場效應管的工作原理,我們先了解一下只含有一個P—N結的二極管的工作過程。如圖6所示,我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負極)時,二極管導通,其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時,N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端,而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動,從而形成導通電流。同理,當二極管加上反向電壓(P端接負極,N端接正極)時,這時在P型半導體端為負電壓,正電子被聚集在P型半導體端,負電子則聚集在N型半導體端,電子不移動,其PN結沒有電流通過,二極管截止。場效應管是電壓控制器件,管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。雙P場效應管產(chǎn)品介紹
導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應控制電流的,所以也叫場效應三極管(FET),簡稱場效應管。MOS在電路中應用很常見,主要作為開關管,在電機驅動電路中常見。場效應管可以分成兩大類,一類是結型場效應管(JFET),另一類是絕緣柵場效應管(MOSFET)。即使搜索“結型場效應管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結型場效應管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFET相對來說是比較少使用的。插件場效應管批量定制盟科MK6400參數(shù)是可以替代AO6800的。
場效應管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時觸及一下G,D極,場效應管應呈瞬時導通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極,場效應管應無反應,即表針回零位置不動.此時應可判斷出場效應管為好管.將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測量場效應管三個管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時,并且再交換表筆后仍為無窮大時,則此腳為G極,其它兩腳為S極和D極.然后再用萬用表測量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.
取出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應用金屬盤來盛放待用器件。焊接用的電烙鐵須要不錯接地。在焊接前應把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成后在分離。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機時依次相反。電路板在裝機之前,要用接地的線夾子去碰一下機械的各接線端子,再把電路板接上來。MOS場效應晶體管的柵極在容許條件下,接入保護二極管。在檢修電路時應留意查明原來的保護二極管是不是損壞。JK9610A型功率場效應管測試儀:是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應管參數(shù)測試設備,可用于標稱電流約在2-85A,功率在300W以內的N溝導和P溝導功率場效應管主要參數(shù)的測試。場效應管測試儀它可以精確測量擊穿電壓VDSS、柵極打開電壓VGS(th)和放大特點參數(shù)跨導Gfs,更是是跨導Gfs的測試電流可以達到50A,由于使用脈沖電流測試法,即使在大電流測試時也不會對被測器件導致任何損壞,更可以在大電流狀況下對場效應管開展參數(shù)一致性的測試(配對);儀器全然可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量;儀器還是一臺性能甚為優(yōu)于的電子元器件耐壓測試裝置,其測試耐壓時的漏電流有1mA、250uA、25uA三擋可以選項。做家電方案的mos管廠家。
場效應管是在三極管的基礎上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場效應管是通過輸入電壓控制輸出,不消耗功率。場效應管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制,但這都是相對的。電壓控制的也需要電流,電流控制的也需要電壓,只是相對要小而已。就其性能而言,場效應管要明顯優(yōu)于普通三極管,不管是頻率還是散熱要求,只要電路設計合理,采用場效應管會明顯提升整體性能。三極管是雙極型管子,即管子工作時內部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場效應管是單極型管子,即管子工作時要么只有空穴,要么只有自由電子參與導電,只有一種載流子;三極管屬于電流控制器件,有輸入電流才會有輸出電流;場效應管屬于電壓控制器件,沒有輸入電流也會有輸出電流。 盟科MK6801參數(shù)是可以替代AO6801的?;葜蓦pN場效應管出廠價
場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外,還可作壓控可變線性電阻使用。雙P場效應管產(chǎn)品介紹
場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名,絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中,應用非常為多方面的是MOS場效應管,簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管,以及非常近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。雙P場效應管產(chǎn)品介紹
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