氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管怎么樣

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方法(1)．準(zhǔn)備工作測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開(kāi)，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判定電極將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。(3)．檢查放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類(lèi)，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：(1).MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。盟科電子MOS管可應(yīng)用于放大。氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管怎么樣

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。中山插件場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家252封裝MOS管盟科電子做得很不錯(cuò)。

場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，英文簡(jiǎn)稱(chēng)是MOSFET，一般也簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高，高達(dá)109Ω以上，從導(dǎo)電溝道來(lái)分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無(wú)論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱(chēng)為NMOS，P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOS。MOS管共有3個(gè)腳，柵極G，漏極D，源極S，通常情況下，MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的，而且，MOS管的D極和S極之間一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管，所以，你見(jiàn)到的MOS管的符號(hào)通常是畫(huà)成下面這樣的。

取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地。在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)依次相反。電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)械的各接線端子，再把電路板接上來(lái)。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在容許條件下，接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)留意查明原來(lái)的保護(hù)二極管是不是損壞。JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀：是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試設(shè)備，可用于標(biāo)稱(chēng)電流約在2-85A，功率在300W以?xún)?nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀它可以精確測(cè)量擊穿電壓VDSS、柵極打開(kāi)電壓VGS(th)和放大特點(diǎn)參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，更是是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于使用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件導(dǎo)致任何損壞，更可以在大電流狀況下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)展參數(shù)一致性的測(cè)試(配對(duì))；儀器全然可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能甚為優(yōu)于的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA三擋可以選項(xiàng)。盟科MK6801參數(shù)是可以替代萬(wàn)代AO6801的參數(shù)。

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場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱(chēng)單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號(hào)源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管怎么樣

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