江門插件場效應管

根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。 1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管。江門插件場效應管

柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當柵極電壓UGs取不同的電壓值時，漏極電流ID將隨之改變。當ID=0時,UGS的值為場效應管的夾斷電壓Uq；當UGs=0時，ID的值為場效應管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時，反映ID與Uds之間的關系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時，應工作在飽和區(qū)（這一點與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對應普通三極管的“放大區(qū)”。 深圳電路保護場效應管批量定制場效應管當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型。

場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進行檢測。 場效應管的輸入阻抗很大，輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小，在導電時輸入電流較大。

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應管由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。中山低壓場效應管代理品牌

場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用。江門插件場效應管

場效應管非常重要的一個作用是作開關作用，作開關時候多數(shù)應用于各類電子負載控制、開關電源開關管，MOS管非常明顯的特性是開關特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況，也就是驅(qū)動。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調(diào)制器或開關穩(wěn)壓控制器的功率開關管。 江門插件場效應管

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