溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝復(fù)雜，費(fèi)用較高。溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理

    場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor,FET）的簡(jiǎn)稱。它屬于電壓型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。普通晶體管（三極管）是一種電流元件，工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，所以被稱為雙極型晶體管；而場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種電壓器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時(shí)，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面，場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管，是三極管無(wú)法替代的。 江蘇金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造商場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長(zhǎng)。

場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái)，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來(lái)的S、D極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。 V型槽場(chǎng)效應(yīng)管使電流可以在器件的溝道中流動(dòng)，從而產(chǎn)生增益和開關(guān)效應(yīng)。

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢(shì)。在一般的設(shè)計(jì)中場(chǎng)效應(yīng)管特長(zhǎng)沒(méi)有得到充分發(fā)揮，甚至認(rèn)為聲音偏冷、偏暗，其實(shí)這不是場(chǎng)效應(yīng)管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場(chǎng)效應(yīng)管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性，在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性，帶來(lái)嚴(yán)重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài)，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好，音質(zhì)純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動(dòng)聽，更具有電子管的醇美音色。 P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。珠海大功率場(chǎng)效應(yīng)管廠家

場(chǎng)效應(yīng)管具有放大和開關(guān)功能。溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理

場(chǎng)效應(yīng)管（FieldEffectTransistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功率小、易于集成等特點(diǎn)。在電路中，場(chǎng)效應(yīng)管通常用字母“Q”表示。場(chǎng)效應(yīng)管一般具有3個(gè)極，即柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。它的工作原理是當(dāng)柵極接的負(fù)偏壓增大時(shí)，溝道減少，漏極電流減??；當(dāng)柵極接的負(fù)偏壓減小時(shí)，耗盡層減小，溝道增大，漏極電流增大。漏極電流受柵極電壓的控制，因此場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，即通過(guò)輸入電壓的變化來(lái)控制輸出電流的大小，從而達(dá)到放大等目的。場(chǎng)效應(yīng)管在電路中被廣泛應(yīng)用于放大、調(diào)制、阻抗變換、恒流源、可變電阻等場(chǎng)合。此外，它還有許多其他應(yīng)用，如開關(guān)電源、逆變器、電子鎮(zhèn)流器等。場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)和電子設(shè)備中扮演著非常重要的角色。溫州大功率場(chǎng)效應(yīng)管原理