中山P型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-09-07
低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管MK31015P采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供低柵電荷的優(yōu)良RDS(ON)。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。一般特征:VDS=-30V,ID=-50A,RDS(ON)<20mΩ@10VRdson高密度電池設(shè)計(jì)充分表征雪崩電壓和電流穩(wěn)定性好,均勻性好

盟科電子產(chǎn)品場(chǎng)效應(yīng)管主要適用于:開(kāi)關(guān)電源、報(bào)警器、控制器、安定器、電表、電動(dòng)工具、逆變器、充電器、保護(hù)板、鋰電池保護(hù)板、電動(dòng)車(chē)等,場(chǎng)效應(yīng)管的作用如下:場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。 在放大器中,場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大音頻信號(hào)、射頻信號(hào)和微波信號(hào)。中山P型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹

中山P型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹,場(chǎng)效應(yīng)管

用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞:測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的),如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔,再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明管是正常的;若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?,則說(shuō)明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。東莞貼片場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹由于場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高,可以減少電路中的信號(hào)損失,因此在放大低電平信號(hào)時(shí)非常有用。

中山P型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹,場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管和MOS管在主體、特性和原理規(guī)則方面存在一些區(qū)別。以下是具體的比較:1.主體:場(chǎng)效應(yīng)管是V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管,繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效功率開(kāi)關(guān)器件。MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。2.特性:場(chǎng)效應(yīng)管不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)良特性,如輸入阻抗高(≥108W)和驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右),還具有耐壓高(比較高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等特性。MOS管主要特點(diǎn)是金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(比較高可達(dá)1015Ω)。3.原理規(guī)則:場(chǎng)效應(yīng)管將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。而MOS管在VGS=0時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài),加入正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,形成導(dǎo)電溝道。

場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理可以簡(jiǎn)單概括為:通過(guò)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流。具體來(lái)說(shuō),當(dāng)柵極沒(méi)有電壓時(shí),源極和漏極之間不會(huì)有電流通過(guò),場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)柵極加上正電壓時(shí),會(huì)在溝道中形成電場(chǎng),吸引電子或空穴,從而形成電流,使源極和漏極之間導(dǎo)通。柵極電壓的大小決定了溝道的導(dǎo)通程度,從而控制了電流的大小。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類(lèi)型:N溝道型和P溝道型。N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,P溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別在于,增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管在柵極沒(méi)有電壓時(shí),溝道中沒(méi)有電流;而耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在柵極沒(méi)有電壓時(shí),溝道中已經(jīng)有一定的電流。場(chǎng)效應(yīng)管的用途包括放大器、開(kāi)關(guān)、振蕩器、電壓控制器等。

中山P型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹,場(chǎng)效應(yīng)管

根據(jù)材料的不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)和JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)兩種。MOSFET是目前應(yīng)用*****的場(chǎng)效應(yīng)管,它由金屬柵極、絕緣層和半導(dǎo)體構(gòu)成。JFET則是由PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成,柵極與半導(dǎo)體之間沒(méi)有絕緣層。MOSFET具有輸入電容小、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于高頻放大和開(kāi)關(guān)電路;而JFET具有輸入電容大、噪聲低等特點(diǎn),適用于低頻放大和調(diào)節(jié)電路。場(chǎng)效應(yīng)管具有許多獨(dú)特的特點(diǎn),使其在電子器件中得到廣泛應(yīng)用。首先,場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高,可以減小輸入信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng),提高電路的靈敏度。其次,場(chǎng)效應(yīng)管的輸出阻抗低,可以提供較大的輸出電流,適用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載電路。此外,場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲低,可以提高電路的信噪比。此外,場(chǎng)效應(yīng)管還具有體積小、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),適用于集成電路和便攜式設(shè)備。場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō),就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID。惠州N+P場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)

V型槽場(chǎng)效應(yīng)管是半導(dǎo)體器件,主要用于放大和開(kāi)關(guān)電路中。中山P型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹

   晶閘管又稱可控硅,其與場(chǎng)效應(yīng)管一樣,皆為半導(dǎo)體器件,它們的外形封裝也基本一樣,但它們?cè)陔娐分械挠猛緟s不一樣。

晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們?cè)陔娮与娐分锌梢宰鳛殡娮娱_(kāi)關(guān)使用,用來(lái)控制負(fù)載的通斷;可以用來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外,單向晶閘管還可以用于整流。
晶閘管在日常中用的很廣,像家里用的聲控?zé)?,一般采用BT169、MCR100-6這類(lèi)小功率單向晶閘管作為電子開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)燈泡工作。在白熾燈泡無(wú)級(jí)調(diào)光或電風(fēng)扇無(wú)級(jí)調(diào)速電路中,常用BT136這類(lèi)大功率的雙向晶閘管來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速。
場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件,其可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管兩種,每種類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管又有P溝道和N溝道之分。場(chǎng)效應(yīng)管在電子電路中既可以作為放大器件用來(lái)放大信號(hào),又可以作為開(kāi)關(guān)器件用來(lái)控制負(fù)載的通斷,故場(chǎng)效應(yīng)管的用途比晶閘管更廣一些。在功放電路中,采用VMOS場(chǎng)效應(yīng)管作為功率放大元件,可以提高音質(zhì)。在開(kāi)關(guān)電路中,驅(qū)動(dòng)電機(jī)等大電流負(fù)載時(shí),選用MOS場(chǎng)效應(yīng)管作為電子開(kāi)關(guān),可以減輕前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)擔(dān)(若選用晶閘管的話,需要從前級(jí)電路汲取較大的驅(qū)動(dòng)電流)。 中山P型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品介紹