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場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,FET)的簡(jiǎn)稱(chēng)。它屬于電壓型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等,特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路,現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。普通晶體管(三極管)是一種電流元件,工作時(shí),多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以被稱(chēng)為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時(shí),只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的和放大,但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管,是三極管無(wú)法替代的。 場(chǎng)效應(yīng)管在測(cè)試和篩選中需進(jìn)行電氣性能和可靠性測(cè)試,保證質(zhì)量。深圳場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說(shuō)明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。佛山耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管多少錢(qián)場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸小,適合集成電路應(yīng)用。
場(chǎng)效應(yīng)管(FieldEffectTransistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功率小、易于集成等特點(diǎn)。在電路中,場(chǎng)效應(yīng)管通常用字母“Q”表示。場(chǎng)效應(yīng)管一般具有3個(gè)極,即柵極(G)、源極(S)和漏極(D)。它的工作原理是當(dāng)柵極接的負(fù)偏壓增大時(shí),溝道減少,漏極電流減??;當(dāng)柵極接的負(fù)偏壓減小時(shí),耗盡層減小,溝道增大,漏極電流增大。漏極電流受柵極電壓的控制,因此場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,即通過(guò)輸入電壓的變化來(lái)控制輸出電流的大小,從而達(dá)到放大等目的。場(chǎng)效應(yīng)管在電路中被廣泛應(yīng)用于放大、調(diào)制、阻抗變換、恒流源、可變電阻等場(chǎng)合。此外,它還有許多其他應(yīng)用,如開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電子鎮(zhèn)流器等。場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)和電子設(shè)備中扮演著非常重要的角色。
替換法是一種簡(jiǎn)單而有效的場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法。它通過(guò)將待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管與一個(gè)已知好壞的場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行替換,觀察電路的工作狀態(tài)來(lái)判斷待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞。如果替換后電路正常工作,則說(shuō)明待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管正常,反之,則說(shuō)明待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管存在問(wèn)題。熱敏電陽(yáng)法是一種通過(guò)測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的溫度來(lái)評(píng)估其好壞的方法。場(chǎng)效應(yīng)管在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定的熱量,如果場(chǎng)效應(yīng)管存在問(wèn)題,其溫度會(huì)異常升高。通過(guò)測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的溫度變化,可以判斷其好壞。這種方法需要使用專(zhuān)門(mén)的熱敏電阻傳感器進(jìn)行測(cè)量。場(chǎng)效應(yīng)管在數(shù)字電路中用于構(gòu)建邏輯門(mén)電路,實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)的處理和邏輯運(yùn)算。
場(chǎng)效應(yīng)管在模擬電路和數(shù)字電路中都有著廣泛的應(yīng)用。在模擬電路中,場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大、濾波、穩(wěn)壓等電路中。在數(shù)字電路中,場(chǎng)效應(yīng)管則可以作為開(kāi)關(guān)元件,用于邏輯門(mén)、計(jì)數(shù)器、存儲(chǔ)器等電路中。此外,場(chǎng)效應(yīng)管還可以與其他電子元件組合使用,形成各種復(fù)雜的電路,如放大器、振蕩器、定時(shí)器等。在射頻電路中,場(chǎng)效應(yīng)管也有著重要的應(yīng)用。由于場(chǎng)效應(yīng)管具有高頻率響應(yīng)、低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因此被用于射頻放大器、混頻器、振蕩器等電路中。在射頻電路中,場(chǎng)效應(yīng)管的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能有著重要的影響。因此,在設(shè)計(jì)射頻電路時(shí),需要選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管,并進(jìn)行合理的電路布局和參數(shù)優(yōu)化,以確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。不斷探索場(chǎng)效應(yīng)管的新性能和新應(yīng)用,將使其在未來(lái)的科技發(fā)展中始終保持重要地位,為人類(lèi)創(chuàng)造更多的價(jià)值。蘇州P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨
增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極電壓為零時(shí)截止,特定值時(shí)導(dǎo)通,便于精確控制。深圳場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商
根據(jù)材料的不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)和JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)兩種。MOSFET是目前應(yīng)用*****的場(chǎng)效應(yīng)管,它由金屬柵極、絕緣層和半導(dǎo)體構(gòu)成。JFET則是由PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成,柵極與半導(dǎo)體之間沒(méi)有絕緣層。MOSFET具有輸入電容小、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于高頻放大和開(kāi)關(guān)電路;而JFET具有輸入電容大、噪聲低等特點(diǎn),適用于低頻放大和調(diào)節(jié)電路。場(chǎng)效應(yīng)管具有許多獨(dú)特的特點(diǎn),使其在電子器件中得到廣泛應(yīng)用。首先,場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高,可以減小輸入信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng),提高電路的靈敏度。其次,場(chǎng)效應(yīng)管的輸出阻抗低,可以提供較大的輸出電流,適用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載電路。此外,場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲低,可以提高電路的信噪比。此外,場(chǎng)效應(yīng)管還具有體積小、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),適用于集成電路和便攜式設(shè)備。深圳場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商