韶關(guān)6096J9m賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

    二級(jí)保護(hù)電路應(yīng)用場(chǎng)景二級(jí)保護(hù)電路通常指的是在電子設(shè)備中用于防止電壓過(guò)高或其他異常情況導(dǎo)致設(shè)備損壞的電路。以下是二級(jí)保護(hù)電路的一些常見(jiàn)應(yīng)用場(chǎng)景：1.電力系統(tǒng)在電力系統(tǒng)中，過(guò)壓保護(hù)電路是至關(guān)重要的。當(dāng)電網(wǎng)中的電壓突然增加時(shí)，過(guò)壓保護(hù)電路可以保護(hù)發(fā)電機(jī)、變壓器和其他關(guān)鍵設(shè)備免受過(guò)高電壓的損害1。2.各種電子設(shè)備過(guò)壓保護(hù)電路可以用于保護(hù)各種電子設(shè)備，如計(jì)算機(jī)、電話(huà)、電視和音頻設(shè)備等，免受由于電壓波動(dòng)引起的損壞1。3.交通系統(tǒng)在交通系統(tǒng)中，過(guò)壓保護(hù)電路可以保護(hù)號(hào)燈、電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)備和其他交通設(shè)施免受供電電壓突然升高的損害1。4.工業(yè)系統(tǒng)在工業(yè)系統(tǒng)中，過(guò)壓保護(hù)電路可以在設(shè)備中使用，以保護(hù)關(guān)鍵部件和設(shè)備免受電壓波動(dòng)和過(guò)高電壓的損害1。5.通信系統(tǒng)在通信系統(tǒng)中。 XF5131是賽芯退出的一款集成充電管理、鋰電池保護(hù)、低功耗二合一芯片。韶關(guān)6096J9m賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

公司成立于2023年，總部設(shè)立在深圳，同時(shí)在成都設(shè)有研發(fā)中心。**研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)自國(guó)內(nèi)外前列半導(dǎo)體公司，擁有多位海歸大廠技術(shù)骨干，都擁有著10年以上的芯片開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，擁有強(qiáng)大的研發(fā)創(chuàng)新能力。創(chuàng)立之初便推出了多款移動(dòng)電源SOC，幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)，受到客戶(hù)的高度認(rèn)可。移動(dòng)電源SOC具有高集成、多協(xié)議雙向快充，集成了同步開(kāi)關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊，并提供輸入/輸出的過(guò)壓/欠壓，電池過(guò)充/過(guò)放、NTC過(guò)溫、放電過(guò)流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能，支持1-6節(jié)電池。中山XBM5770 賽芯原廠30W-100W 2串-6串移動(dòng)電源。

移動(dòng)電源應(yīng)用兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹、35W以?xún)?nèi)、XBM2138QFA  2串鋰保集成MOS內(nèi)置均衡：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能、XBM2138QFA

    二級(jí)保護(hù)電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)二級(jí)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面：1.電路組成和工作原理二級(jí)保護(hù)電路通常包括***級(jí)靜電保護(hù)電路和第二級(jí)靜電保護(hù)電路。***級(jí)靜電保護(hù)電路連接于輸入管腳和接地端之間，而第二級(jí)靜電保護(hù)電路則包括電阻和MOS晶體管，其中MOS晶體管的源極和漏極均與輸出管腳相連，其柵極與接地端相連，襯體端也與接地端相連。這樣的設(shè)計(jì)可以在減少占用芯片面積的同時(shí)，維持相同的靜電保護(hù)效果3。2.保護(hù)電路的選擇和應(yīng)用在設(shè)計(jì)保護(hù)電路時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)元件。例如，瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一種常用的電子元件，用于保護(hù)電路免受過(guò)電壓的影響。在電力系統(tǒng)、通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)硬件和其他敏感電子設(shè)備中，TVS是不可或缺的保護(hù)元件1。3.電路的穩(wěn)定性和可靠性在設(shè)計(jì)二級(jí)保護(hù)電路時(shí)，還需要考慮電路的穩(wěn)定性和可靠性。例如，在激光二極管保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中，需要重點(diǎn)分析電流、瞬態(tài)電壓處理等關(guān)鍵因素。 單節(jié)至四節(jié)鎳氫電池進(jìn)行充電管理。該器件內(nèi)部包括功率晶體管，不需要外部的電流檢測(cè)電阻和阻流二極管。

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱(chēng)，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長(zhǎng)些，也無(wú)需多粗，但需要繞開(kāi)干擾源-VDD采樣線里面沒(méi)有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤(pán)略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過(guò)電阻后，先經(jīng)過(guò)電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 5串/NTC/MSOP10多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品——二級(jí)保護(hù) XBM4530。深圳XBM3204JFG賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

6串-7串 XBM5773 集成均衡/PWM、/NTC/Sense/SSOP24。韶關(guān)6096J9m賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

2串鋰電池保護(hù)芯片介紹XBM3204XBM3214保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：2串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過(guò)電流保護(hù)閾值由開(kāi)關(guān)MOS管決定，如果覺(jué)得該閾值較小，可以將多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過(guò)流電流，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能韶關(guān)6096J9m賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保