電子元件是電子電路中的基本元素，通常是個(gè)別封裝，并具有兩個(gè)或以上的引線或金屬接點(diǎn)。電子元件須相互連接以構(gòu)成一個(gè)具有特定功能的電子電路，例如：放大器、無線電接收機(jī)、振蕩器等，連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨(dú)的封裝（電阻器、電容器、電感器、晶體管、二極管等），或是各種不同復(fù)雜度的群組，例如：集成電路（運(yùn)算放大器、排阻、邏輯門等）。 電子器件是指在真空、氣體或固體中，利用和控制電子運(yùn)動規(guī)律而制成的器件。分為電真空器件、充氣管器件和固態(tài)電子器件。在模擬電路中作整流、放大、調(diào)制、振蕩、變頻、鎖相、控制、相關(guān)等作用；在數(shù)字電路中作采樣、限幅、邏輯、存儲、計(jì)數(shù)、延遲等用。充氣管器件主要作整流、穩(wěn)壓和顯示之用。固態(tài)電子器件如集成電路。電子元件的元件分類：電線與開關(guān)。梁溪區(qū)質(zhì)量電子元件銷售價(jià)格
從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不jin體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國的實(shí)際看，因風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機(jī)調(diào)速傳動, 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開關(guān)速度快,控制簡單，逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域。這些器件已普遍應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源、靜止變頻等電力電子裝置中。新北區(qū)關(guān)于電子元件銷售誠信服務(wù)20世紀(jì)50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。
單個(gè)電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個(gè)電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實(shí)用中多用幾個(gè)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時(shí)，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時(shí)則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流。但由于器件的個(gè)異性，串、并聯(lián)時(shí)，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時(shí)，要采取均壓措施；在并聯(lián)時(shí)，要采取均流措施。 電力電子器件工作時(shí)，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。
各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷，稱半控型器件?？申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導(dǎo)通，又能控制其關(guān)斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關(guān)速度快，廣fan應(yīng)用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機(jī)調(diào)速、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁、感應(yīng)加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。
80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn)，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時(shí)必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求。功率集成電路指在一個(gè)芯片上把多個(gè)器件及其控制電路集he在一起。宜興技巧電子元件銷售推薦貨源
80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。梁溪區(qū)質(zhì)量電子元件銷售價(jià)格
電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率?。蝗秉c(diǎn)：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開關(guān)的速度梁溪區(qū)質(zhì)量電子元件銷售價(jià)格
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