為了保持電子元件運作的穩(wěn)定性，通常將它們以合成樹脂（Resin dispensing）包覆封裝，以提高絕緣與保護不受環(huán)境的影響。?[1]? 元件也許是被動或有源的（passive or active）：被動元件（Passive components）是一種電子元件，在使用時它們沒有任何的增益或方向性。在電路分析（Network analysis）時，它們被稱為電力元件（Electrical elements）。 有源元件（Active components）是一種電子元件，相對于被動元件所沒有的，在使用時它們有增益或方向性。它們包括了半導體器件與真空管。 端子與連接器：用于電路連接的裝置 端子（Terminal）： 電子連接器（Connector）：（Closed）、信號插座（Socket）、端子臺（Screw terminal, Terminal Blocks）、信號接頭（Header）。從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。宜興正規(guī)電子元器件網(wǎng)上價格
功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數(shù)的影響，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進展：2014年，美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件。錫山區(qū)技巧電子元器件相關問題電子元件的元件分類：端子與連接器。
電力二極管：結構和原理簡單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率??；缺點：開關速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強；缺點：電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 電力MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開關的速度
各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關斷，稱半控型器件?？申P斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導通，又能控制其關斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關速度快，廣fan應用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調速、發(fā)電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構成裝置不jin體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。
20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快，而在電力電子電路中得到廣fan應用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關電流已達數(shù)千安，能承受的正、反向工作電壓達數(shù)千伏。在此基礎上，為適應電力電子技術發(fā)展的需要，又開發(fā)出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性?；萆絽^(qū)電子元器件怎么樣
按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。宜興正規(guī)電子元器件網(wǎng)上價格
電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡稱少子)的復合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數(shù)百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制它的抗浪涌能力。宜興正規(guī)電子元器件網(wǎng)上價格
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