新吳區(qū)環(huán)保電子器件銷售網(wǎng)上價格

來源: 發(fā)布時間:2020-11-16

各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無法控制其陽極電流,故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門極信號能控制元件的導(dǎo)通,但不能控制其關(guān)斷,稱半控型器件??申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件,其門極信號既能控制器件的導(dǎo)通,又能控制其關(guān)斷,稱全控型器件。后兩類器件控制靈活,電路簡單,開關(guān)速度快,廣fan應(yīng)用于整流、逆變、斬波電路中,是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應(yīng)加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小、工作可靠,而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%~40%)。從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。新吳區(qū)環(huán)保電子器件銷售網(wǎng)上價格

電子元件是電子電路中的基本元素,通常是個別封裝,并具有兩個或以上的引線或金屬接點。電子元件須相互連接以構(gòu)成一個具有特定功能的電子電路,例如:放大器、無線電接收機、振蕩器等,連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨的封裝(電阻器、電容器、電感器、晶體管、二極管等),或是各種不同復(fù)雜度的群組,例如:集成電路(運算放大器、排阻、邏輯門等)。 電子器件是指在真空、氣體或固體中,利用和控制電子運動規(guī)律而制成的器件。分為電真空器件、充氣管器件和固態(tài)電子器件。在模擬電路中作整流、放大、調(diào)制、振蕩、變頻、鎖相、控制、相關(guān)等作用;在數(shù)字電路中作采樣、限幅、邏輯、存儲、計數(shù)、延遲等用。充氣管器件主要作整流、穩(wěn)壓和顯示之用。固態(tài)電子器件如集成電路?;萆絽^(qū)科技化電子器件銷售相關(guān)問題各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。

進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管, 由于不受少子儲存效應(yīng)的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性,不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象;需要擴大電流容量時,器件并聯(lián)簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動功率;在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數(shù)十安,阻斷電壓近千伏。

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點,在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應(yīng)晶體管的柵控特性,又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能,它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點,結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴展的過程,所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度,而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求。單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。

電力二極管:結(jié)構(gòu)和原理簡單,工作可靠; 晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT:開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動,驅(qū)動功率??;缺點:開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR:耐壓高,電流大,開關(guān)特性好,通流能力強,飽和壓降低;缺點:開關(guān)速度低,為電流驅(qū)動,所需驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,存在二次擊穿問題 GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),其通流能力很強;缺點:電流關(guān)斷增益很小,關(guān)斷時門極負(fù)脈沖電流大,開關(guān)速度低,驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,開關(guān)頻率低 電力MOSFET:開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題;缺點:電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素:耐壓,電流容量,開關(guān)的速度20世紀(jì)50年代,電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。梁溪區(qū)電子器件銷售價格

進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應(yīng)的影響。新吳區(qū)環(huán)保電子器件銷售網(wǎng)上價格

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