雙分子層膜片鉗技術(shù)

來源: 發(fā)布時間:2024-07-23

膜片鉗的基本原理則是利用負(fù)反饋電子線路,將微電極前列所吸附的一個至幾個平方微米的細(xì)胞膜的電位固定在一定水平上,對通過通道的微小離子電流作動態(tài)或靜態(tài)觀察,從而研究其功能。膜片鉗技術(shù)實現(xiàn)膜電流固定的關(guān)鍵步驟是在玻璃微電極前列邊緣與細(xì)胞膜之間形成高阻密封,其阻抗數(shù)值可達(dá)10~100GΩ(此密封電阻是指微電極內(nèi)與細(xì)胞外液之間的電阻)。由于此阻值如此之高,故基本上可看成絕緣,其上之電流可看成零,形成高阻密封的力主要有氫健、范德華力、鹽鍵等。此密封不僅電學(xué)上近乎絕緣,在機械上也是較牢固的。又由于玻璃微電極前列管徑很小,其下膜面積只約1μm2,在這么小的面積上離子通道數(shù)量很少,一般只有一個或幾個通道,經(jīng)這一個或幾個通道流出的離子數(shù)量相對于整個細(xì)胞來講很少,可以忽略,也就是說電極下的離子電流對整個細(xì)胞的靜息電位的影響可以忽略,那么,只要保持電極內(nèi)電位不變,則電極下的一小片細(xì)胞膜兩側(cè)的電位差就不變,從而實現(xiàn)電位固定。探索離子通道的舞動,膜片鉗是您的科學(xué)利器!雙分子層膜片鉗技術(shù)

雙分子層膜片鉗技術(shù),膜片鉗

20世紀(jì)初由Cole發(fā)明,Hodgkin和Huxleyw完善,目的是為了證明動作電位的峰電位是由于膜對鈉的通透性發(fā)生了一過性的增大過程。但當(dāng)時沒有直接測定膜通透性的辦法,于是就用膜對某種離子的電導(dǎo)來**該種離子的通透性。為了弄清膜電導(dǎo)變化的機制和離子通道的存在,也為了克服電壓鉗的缺點Erwin和Bert在電壓鉗的基礎(chǔ)上發(fā)明了膜片鉗,并利用該技術(shù)***在蛙肌膜上記錄到PA級的乙酰膽堿激動的單通道電流,***證明了離子通道的存在。并證明在完整細(xì)胞膜上記錄到膜電流是許多單通道電流總和的結(jié)果。這一技術(shù)被譽為與分子克隆技術(shù)并駕齊驅(qū)的劃時代的偉大發(fā)明。二人因此獲得諾貝爾生理或醫(yī)學(xué)獎。德國雙分子層膜片鉗多少錢膜片鉗,您研究離子通道功能的得力助手!

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不同的全自動膜片鉗技術(shù)所采用的原理如PopulationPatchClamp技術(shù)∶同SealChip技術(shù)一樣,完全摒齊了玻璃電極,而是采用PatchPlate平面電極芯片。該芯片含有多個小室,每個小室中含有很多1-2μm的封接孔。在記錄時,每個小室中封接成功的細(xì)胞|數(shù)目較多,獲得的記錄是這些細(xì)胞通道電流的平均值。因此,不同小室其通道電流的一致性非常好,變異系數(shù)很小。美國Axon(MDS)公司采用這一技術(shù)研發(fā)出了全自動高通量的lonWorksQuattro系統(tǒng),成為藥物初期篩選的金標(biāo)準(zhǔn)滔博生物TOP-Bright專注基于多種離子通道靶點的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實驗結(jié)果,專業(yè)團隊,7*39小時隨時人工在線咨詢.

電壓鉗技術(shù)是由科爾發(fā)明的,并在20世紀(jì)初由霍奇金和赫胥黎完善。其設(shè)計的主要目的是證明動作電位的產(chǎn)生機制,即動作電位的峰值電位是由于膜對鈉的通透性瞬間增加。但當(dāng)時還沒有直接測量膜通透性的方法,所以用膜電導(dǎo)來測量離子通透性。膜電導(dǎo)測量的基礎(chǔ)是電學(xué)中的歐姆定律,如膜Na電導(dǎo)GNa與電化學(xué)驅(qū)動力(Em-ENa)的關(guān)系,膜電流INaGNa=INa/(Em-ENa)。因此,可以通過測量膜電流,然后利用歐姆定律來計算膜電導(dǎo)。然而,膜電導(dǎo)可以通過使用膜電流來計算。這個條件是通過電壓鉗技術(shù)實現(xiàn)的。下一張幻燈片中右邊的兩張圖顯示了squid的動作電位和動作電位過程中膜電流的變化,這是霍奇金和赫胥黎在半個世紀(jì)前用電壓鉗記錄的。他們的實驗證明了參與動作電位的離子電流由三種成分組成:Na、K、Cl。對這些離子流進行了定量分析。這項技術(shù)為闡明動作電位的本質(zhì)和離子通道的研究做出了巨大貢獻。離子通道探索之旅,從選擇膜片鉗開始!

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電壓鉗的缺點:目前電壓鉗技術(shù)主要用于研究巨火細(xì)胞的全細(xì)胞電流,特別是在分子克隆卵母細(xì)胞表達(dá)電流的鑒定中,發(fā)揮著不可替代的作用。然而,它也有其致命的弱點:1。微電極需要刺穿細(xì)胞膜進入細(xì)胞,導(dǎo)致細(xì)胞質(zhì)丟失,破壞細(xì)胞生理功能的完整性;2、不能確定單通道電流。由于電壓鉗位薄膜面積大,包含大量隨機開關(guān)的通道,背景噪聲大,往往會掩蓋單通道的電流。3.在小細(xì)胞(如直徑10-30μm的哺乳動物細(xì)胞)上進行電壓鉗實驗,技術(shù)難度更大。因為電極需要插入到細(xì)胞中,所以微電極的前端必須做得非常薄。如此薄的前端導(dǎo)致電極阻抗較大,往往為60~-80mω或120~150MΩ(視灌注液不同而定)。如此大的電極阻抗,不利于用細(xì)胞內(nèi)電流鉗或電壓鉗記錄時,短時間(0.1μs)內(nèi)將電流注入細(xì)胞,從而達(dá)到鉗制膜電壓或膜電流的目的。此外,插在小電池上的兩個電極會產(chǎn)生電容并降低電壓測量電極的反應(yīng)能力。膜片鉗放大器系統(tǒng)(以下簡稱IPA系統(tǒng))是高度自動化的膜片鉗放大器系統(tǒng),所有的功能均通過計算機軟件完成。美國單通道膜片鉗電壓鉗制

Neher將膜片鉗技術(shù)與Fura 2 熒光測鈣技術(shù)結(jié)合。雙分子層膜片鉗技術(shù)

高阻封接技術(shù)還明顯降低了電流記錄的背景噪聲,從而戲劇性地提高了時間、空間及電流分辨率,如時間分辨率可達(dá)10μs、空間分辨率可達(dá)1平方微米及電流分辨率可達(dá)10-12A。影響電流記錄分辨率的背景噪聲除了來自于膜片鉗放大器本身外,較主要還是信號源的熱噪聲。信號源如同一個簡單的電阻,其熱噪聲為σn=4Kt△f/R式中σn為電流的均方差根,K為波爾茲曼常數(shù),t為溫度,△f為測量帶寬,R為電阻值。可見,要得到低噪聲的電流記錄,信號源的內(nèi)阻必需非常高。如在1kHz帶寬,10%精度的條件下,記錄1pA的電流,信號源內(nèi)阻應(yīng)為2GΩ以上。電壓鉗技術(shù)只能測量內(nèi)阻通常達(dá)100kΩ~50MΩ的大細(xì)胞的電流,從而不能用常規(guī)的技術(shù)和制備達(dá)到所要求的分辨率。雙分子層膜片鉗技術(shù)