MURATA（村田）介質(zhì)承受的電場強度有一定的限制。當束縛電荷脫離原子或分子的束縛并參與傳導(dǎo)時，絕緣性能就會被破壞。這種現(xiàn)象被稱為村田貼片電容介質(zhì)擊穿。電容器擊穿條件村田電容器擊穿的條件達到擊穿電壓。擊穿電壓是電容器的極限電壓。超過此電壓，電容器中的介質(zhì)將被擊穿。額定電壓是電容器在長時間工作時能夠承受的電壓，低于擊穿電壓。電容器在不高于擊穿電壓的電壓下工作時是安全可靠的。不要錯誤地認為電容器只有在額定電壓下工作時才是正常的。PN結(jié)臨界擊穿對應(yīng)的電壓定義為PN結(jié)的擊穿電壓bv。BV是衡量PN結(jié)可靠性和應(yīng)用范圍的重要參數(shù)。當PN結(jié)的其他性能參數(shù)不變時，BV值越高越好。電容器擊穿是開路還是短路電容器的擊穿相當于短路。原因是，當電容器連接到直流時，它被視為開路；當電容器連接到交流時，它被視為短路。電容器的本質(zhì)是交流和直流隔離。電工把“故障”一詞理解為短路。擊穿的主要原因是外部電壓超過其標稱電壓而造成的長久性損壞，稱為擊穿。murata村田10UF貼片電容現(xiàn)貨。型號貼片電容1UF
電容器擊穿是開路還是短路電容器的擊穿相當于短路。原因是，當電容器連接到直流時，它被視為開路；當電容器連接到交流時，它被視為短路。電容器的本質(zhì)是交流和直流隔離。電工把“故障”一詞理解為短路。擊穿的主要原因是外部電壓超過其標稱電壓而造成的長久性損壞，稱為擊穿。。電容器擊穿的原因電容器擊穿的根本原因是其介質(zhì)的絕緣被破壞，產(chǎn)生極化。電介質(zhì)絕緣損壞的原因有：①工作電壓超過電容器的比較大耐受電壓；②電容器質(zhì)量差，泄漏電流大，溫度逐漸升高，絕緣強度降低。當固體電介質(zhì)中發(fā)生破壞性放電時，稱為擊穿。在擊穿過程中，固體電介質(zhì)中會留下痕跡，使固體電介質(zhì)長久失去絕緣性能。如果絕緣紙板壞了，紙板上會留下一個洞?？梢钥闯?，擊穿一詞***于固體電介質(zhì)。達方貼片電容2.2UFsamsung三星1UF貼片電容現(xiàn)貨。
MLCC電容是什么結(jié)構(gòu)的呢？A：多層陶瓷電容器是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極）制成的電容。MLCC電容特點：機械強度：硬而脆，這是陶瓷材料的機械強度特點。熱脆性：MLCC內(nèi)部應(yīng)力很復(fù)雜，所以耐溫度沖擊的能力很有限。Q：MLCC電容常見失效模式有哪些？A：Q：怎么區(qū)分不同原因的缺陷呢？有什么預(yù)防措施呢？組裝缺陷1、焊接錫量不當圖1電容焊錫量示意圖圖2焊錫量過多造成電容開裂當溫度發(fā)生變化時，過量的焊錫在貼片電容上產(chǎn)生很高的張力，會使電容內(nèi)部斷裂或者電容器脫帽，裂紋一般發(fā)生在焊錫少的一側(cè)；焊錫量過少會造成焊接強度不足，電容從PCB板上脫離，造成開路故障。在回流焊過程中，貼片元件兩端電極受到焊錫融化后的表面張力不平衡會產(chǎn)生轉(zhuǎn)動力矩，將元件一端拉偏形成虛焊，轉(zhuǎn)動力矩較大時元件一端會被拉起，形成墓碑效應(yīng)。原因：本身兩端電極尺寸差異較大；錫鍍層不均勻；PCB板焊盤大小不等、有污物或水分、氧化以及焊盤有埋孔；錫膏粘度過高，錫粉氧化。
很多客戶買了貼片電容回去測試，發(fā)現(xiàn)村田貼片電容的電容偏低。下面我們來分析一下為什么貼片電容的電容偏低？造成芯片電容低的因素有哪些？一起來分析一下。4、測量環(huán)境不同所得結(jié)果也不同：如，40°C的測試容量將比25°C的測試容量低近20％?？梢钥闯觯斖饨绛h(huán)境溫度比較高時，電容值的測試值會顯得偏低。一般將其放置在20°C的環(huán)境中一段時間使材料處于穩(wěn)定的測試環(huán)境中進行電容測試。5、貼片陶瓷電容產(chǎn)品材料老化現(xiàn)象材料老化是指電容器的電容值隨著時間的推移而減小的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象發(fā)生在所有使用鐵電材料作為介電材料的材料產(chǎn)品中。自然無法避免的現(xiàn)象。原因是內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)隨著溫度和時間的變化而變化，導(dǎo)致電容降低，這是一種可逆現(xiàn)象。當老化材料應(yīng)用一段時間高于材料的居里溫度時（電容恢復(fù)的推薦條件為150°C/1小時），當環(huán)境溫度恢復(fù)到恒溫時室內(nèi)24小時溫度25℃分子結(jié)構(gòu)才會恢復(fù)到笨的狀態(tài)。材料將因此開始另一個老化循環(huán)，芯片電容器的電容將恢復(fù)到正常規(guī)格范圍內(nèi)。太誘貼片電容現(xiàn)貨商。
單別致的陶瓷電容(通稱貼片電容)是現(xiàn)在使用量比較多的常用零配件，AVX公司制貼片電容器有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，根據(jù)規(guī)格有不同的用途。在此，我們*針對常用的NPO、X7R、Z5U、Y5V，介紹它們的性能和應(yīng)用，以及應(yīng)該注意的訂單事項以引起大家的注意。不同公司對于上述性能不同的電容器可能有不同的命名方法，在此引用AVX公司的命名方法。其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。NPO、X7R、Z5U、Y5V的主要區(qū)別在于它們的填充介質(zhì)不同。在相同體積下，由填充介質(zhì)構(gòu)成的電容器的容量不同，與之相伴的電容器的介電損耗、容量穩(wěn)定性等也不同。因此，使用電容器時，根據(jù)電容器在電路中的作用，需要選擇不同的電容器。NPO電容器NPO是**常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。其填充介質(zhì)由注音字鐳、釤和其他稀有氧化物組成。NPO電容器是電容和介質(zhì)損耗**穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容積轉(zhuǎn)變?yōu)?±30ppm/℃,容量隨頻率的轉(zhuǎn)變低于±0.3ΔC。NPO電容器的飄移或落后低于±0.05%,相對性超過±2%的薄膜電容而言是能夠忽略的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。yageo貼片電容經(jīng)銷商。宇陽貼片電容10UF
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TDK片式電容器MLCC現(xiàn)在可以達到數(shù)百或數(shù)千層，每層厚度為毫米。因此，輕微變形很容易導(dǎo)致裂紋。此外，相同材料、規(guī)格和抗壓性的TDK片式電容器MLCC的體積越大，層數(shù)越大，每層越薄，因此很容易開裂。此外，一個方面是，具有相同材料、體積和抗壓性且規(guī)格較小的電容器要求每層的材料更薄，從而導(dǎo)致更容易斷裂。裂紋的破壞是一種潛在的安全隱患，嚴重時會造成觸電、內(nèi)部固體層位移和短路故障。裂縫有一個非常麻煩的問題，有時是隱藏的。很可能在工廠檢查期間不會發(fā)現(xiàn)電子產(chǎn)品，并且在手機客戶端暴露之前不會公布。因此，避免TDK片式電容器MLCC引起的裂紋非常重要。 當TDK片式電容器MLCC受到溫度沖擊/沖擊時，很容易從焊接端逐漸產(chǎn)生裂紋。在這一點上，小型電容器相對優(yōu)于大容量電容器。其基本原理是，大容量電容器的熱傳遞并非如此迅速地到達所有電容器。因此，電容器本身不同部位的溫差較大，因此膨脹尺寸不同，造成內(nèi)應(yīng)力。在TDK片式電容器MLCC焊接后的整個冷卻過程中，TDK片式電容器MLCC和PCB的膨脹系數(shù)不同，導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力和裂紋。為了防止這個問題，回流焊爐必須具有良好的激光焊接溫度曲線。如果波峰焊接機在沒有回流焊爐的情況下使用，這種效率會**提高。型號貼片電容1UF
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