和透射電鏡相比，掃描電鏡試樣制備比較簡單。在保持材料原始形狀情況下，可以直接觀察和研究試樣表面形貌及其它物理效應（特征），這是掃描電鏡的一個突出優(yōu)點。掃描電鏡的有關制樣技術是以透射電鏡、光學顯微鏡及電子探針X射線顯微分析制樣技術為基礎發(fā)展起來的，有些方面還兼具透射電鏡制樣技術，所用設備也基本相同。但因掃描電鏡有其本身的特點和觀察條件，只簡單地引用已有的制樣方法是不夠的。掃描電鏡的特點是：觀察試樣為不同大小的固體（塊狀、薄膜、顆粒），并可在真空中直接進行觀察。試樣應具有良好的導電性能，不導電的試樣，其表面一般需要蒸涂一層金屬導電膜。試樣表面一般起伏（凹凸）較大。觀察方式不同，制樣方法有明顯區(qū)別。試樣制備與加速電壓、電子束流、掃描速度（方式）等觀察條件的選擇有密切關系。掃描電鏡是用途較為普遍的一種儀器。貴州賽默飛掃描電鏡制造商
掃描電鏡特點：樣品制備簡單,只要將塊狀或粉末狀的樣品稍加處理或不處理,就可直接放到掃描電鏡中進行觀察,因而更接近于物質的自然狀態(tài)?？梢酝ㄟ^電子學方法有效地控制和改善圖像質量,如亮度及反差自動保持,試樣傾斜角度校正,圖象旋轉,或通過Y調制改善圖象反差的寬容度,以及圖象各部分亮暗適中。采用雙放大倍數(shù)裝置或圖象選擇器,可在熒光屏上同時觀察放大倍數(shù)不同的圖象。可進行綜合分析。基本結構：1-鏡筒;2-樣品室;3-EDS探測器;4-監(jiān)控器;5-EBSD探測器;6-計算機主機;7-開機/待機/關機按鈕;8-底座;9-WDS探測器。貴州賽默飛掃描電鏡制造商掃描電鏡成像立體效果好。
掃描電鏡基本原理：由電子長筒械具發(fā)射的電子束較高可達30keV,經會聚透鏡、物鏡縮小和聚焦,在樣品表面形成一個具有一定能量、強度、斑點直徑的電子束。在掃描線圈的磁場作用下,入射電子束在樣品表面上按照一定的空間和時間順序做光柵式逐點掃描。由于入射電子與樣品之間的相互作用,將從樣品中激發(fā)出二次電子。由于二次電子收集極的作用,可將各個方向發(fā)射的二級電子匯集起來,再將加速極加速射到閃爍體上,轉變成光信號,經過光導管到達光電倍增管,使光信號再轉變成電信號。這個電信號又經視頻放大器放大并將其輸送至顯像管的柵極,調制顯像管的亮度。因而,再熒光屏上呈現(xiàn)一幅亮暗程度不同的、反映樣品表面形貌的二次電子象。
掃描電鏡應用范圍：進行材料斷口的分析。掃描電鏡的另一個重要特點是景深大,圖象富有立體感。掃描電鏡的焦深比透射掃描電鏡大10倍,比光學顯微鏡大幾百倍。由于圖象景深大,故所得掃描電子象富有立體感,具有三維形態(tài),能夠提供比其他顯微鏡多得多的信息,這個特點對使用者很有價值。掃描電鏡所顯示的斷口形貌從深層次、高景深的角度呈現(xiàn)材料斷裂的本質,在教學、科研和生產中,有不可替代的作用,在材料斷裂原因的分析、事故原因的分析以及工藝合理性的判定等方面是一個強有力的手段。掃描電鏡景深大,視野大。
在掃描電鏡應用中，很多集中在半導體器件和集成電路方面，它可以很詳細地檢查器件工作時局部表面電壓變化的實際情況，這是因為這種變化會帶來象的反差的變化。焊接開裂和腐蝕表面的細節(jié)或相互關系可以很容易地觀察到。利用束感生電流，可以觀測半導體P—N結內部缺陷。電子束與樣品作用區(qū)內，還發(fā)射與樣品物質其他性質有關信號。例如：與樣品化學成分分布相關的，背散射電子，特征X射線，俄歇電子，陰極熒光，樣品吸收電流等；與樣品晶體結構相關的，背散射電子衍射現(xiàn)象的探測；與半導體材料電學性能相關的，二次電子信號、電子束感生電流信號；在觀察薄樣品時產生的透射電子信號等。目前分別有商品化的探測器和裝置可安裝在掃描電鏡樣品分析室，用于探測和定性定量分析樣品物質的相關信息。掃描電鏡普遍應用于化學領域的微觀研究。貴州賽默飛掃描電鏡制造商
掃描電鏡普遍應用于礦床學領域的研究。貴州賽默飛掃描電鏡制造商
SEM的工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發(fā)出次級電子，次級電子的多少與電子束入射角有關，也就是說與樣品的表面結構有關，次級電子由探測體收集，并在那里被閃爍器轉變?yōu)楣庑盘?，再經光電倍增管和放大器轉變?yōu)殡娦盘杹砜刂茻晒馄辽想娮邮膹姸龋@示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標本的表面結構。分辨率高，放大倍數(shù)范圍廣，可以從幾倍到幾十萬倍，連續(xù)可調，便于尋找缺陷并建立微觀形貌和宏觀形貌之間的聯(lián)系；景深大，有很強的立體感，適于觀察像斷口那樣粗糙的表面；加配能譜儀和波譜儀后，可同時進行成分分析。貴州賽默飛掃描電鏡制造商
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