成都MINILED芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

在未進(jìn)行劃片封裝的整片Wafer上，通過(guò)探針將裸露的芯片與測(cè)試機(jī)連接，從而進(jìn)行的芯片測(cè)試就是CP測(cè)試。晶圓CP測(cè)試，常應(yīng)用于功能測(cè)試與性能測(cè)試中，了解芯片功能是否正常，以及篩掉芯片晶圓中的故障芯片。FT測(cè)試，封裝后成品FT測(cè)試，常應(yīng)用與功能測(cè)試、性能測(cè)試和可靠性測(cè)試中，檢查芯片功能是否正常，以及封裝過(guò)程中是否有缺陷產(chǎn)生，并且?guī)椭诳煽啃詼y(cè)試中用來(lái)檢測(cè)經(jīng)過(guò)“火雪雷電”之后的芯片是不是還能工作。需要應(yīng)用的設(shè)備主要是自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）+機(jī)械臂（Handler）+儀器儀表，需要制作的硬件是測(cè)試板（Loadboard）+測(cè)試插座（Socket）等。Function TEST: 測(cè)試芯片的邏輯功能。成都MINILED芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

傳統(tǒng)的芯片測(cè)試，一般由測(cè)試廠商統(tǒng)一為芯片生產(chǎn)廠商進(jìn)行測(cè)試。隨著越來(lái)越多的芯片公司的誕生，芯片測(cè)試需求也日益增多。對(duì)于成熟的大規(guī)模的芯片廠而言，由于其芯片產(chǎn)量大，往往會(huì)在測(cè)試廠商的生產(chǎn)計(jì)劃中占據(jù)一定的優(yōu)勢(shì)。而對(duì)于小規(guī)模的芯片廠的小批量芯片而言，其往往在測(cè)試廠的測(cè)試計(jì)劃中無(wú)法得到優(yōu)先選擇處理，從而導(dǎo)致芯片測(cè)試周期變長(zhǎng)。當(dāng)前芯片測(cè)試廠的測(cè)試設(shè)備多為大型設(shè)備，可以滿足大批量的芯片測(cè)試的需求。如果該大型測(cè)試設(shè)備用于小批量的芯片的測(cè)試，則會(huì)造成資源的浪費(fèi)。而且現(xiàn)有的大型測(cè)試設(shè)備往往都是多個(gè)測(cè)試單元并行測(cè)試，以達(dá)到提高測(cè)試效率的目的，從而導(dǎo)致了該設(shè)備的體積較大，占地空間多，無(wú)法靈活移動(dòng)。成都MINILED芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)如果設(shè)計(jì)有錯(cuò)誤則無(wú)法測(cè)試，需要重新拆裝電路甚至燒壞芯片或設(shè)備。

芯片測(cè)試的目的及原理介紹，測(cè)試在芯片產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈上的位置，如下面這個(gè)圖表，一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上，一般需要經(jīng)過(guò)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié)。在整個(gè)價(jià)值鏈中，芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試，其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來(lái)主導(dǎo)或者完成。所以，測(cè)試本身就是設(shè)計(jì)，這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的，對(duì)于設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō)，測(cè)試至關(guān)重要，不亞于電路設(shè)計(jì)本身。RF Test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。

一般packagetest的設(shè)備也是各個(gè)廠商自己開發(fā)或定制的，通常包含測(cè)試各種電子或光學(xué)參數(shù)的傳感器，但通常不使用探針探入芯片內(nèi)部（多數(shù)芯片封裝后也無(wú)法探入），而是直接從管腳連線進(jìn)行測(cè)試。由于packagetest無(wú)法使用探針測(cè)試芯片內(nèi)部，因此其測(cè)試范圍受到限制，有很多指標(biāo)無(wú)法在這一環(huán)節(jié)進(jìn)行測(cè)試。但packagetest是Z終產(chǎn)品的測(cè)試，因此其測(cè)試合格即為Z終合格產(chǎn)品。IC的測(cè)試是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的系統(tǒng)工程，無(wú)法簡(jiǎn)單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。集成電路測(cè)試通常分為晶圓測(cè)試（CP）、成品測(cè)試（FT）和可靠性測(cè)試（BurnInTest）等。

本發(fā)明的目的在于提供一種芯片測(cè)試機(jī)及芯片測(cè)試方法，本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊、體積較小，占地面積只一平米左右，可以滿足小批量的芯片測(cè)試要求。其技術(shù)方案如下：本發(fā)明在一實(shí)施例中公開了一種芯片測(cè)試機(jī)。該芯片測(cè)試機(jī)包括機(jī)架，以及設(shè)置于機(jī)架上的移載裝置、測(cè)試裝置、自動(dòng)上料裝置、自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)，所述自動(dòng)上料裝置包括頭一料倉(cāng)及自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)，所述自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)在所述頭一料倉(cāng)內(nèi)上下移動(dòng)；所述自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)包括第二料倉(cāng)及自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)，所述自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)在所述第二料倉(cāng)內(nèi)上下移動(dòng)，所述移載裝置位于所述自動(dòng)上料裝置、自動(dòng)下料裝置、測(cè)試裝置及不良品放置臺(tái)的上方，所述移載裝置將自動(dòng)上料裝置的待測(cè)試芯片移動(dòng)至測(cè)試裝置，并將測(cè)試完成的芯片移動(dòng)至自動(dòng)下料裝置或不良品放置臺(tái)，所述移載裝置還將自動(dòng)上料裝置的空tray盤移動(dòng)至自動(dòng)下料裝置。FT測(cè)試屬于芯片級(jí)測(cè)試，是通過(guò)測(cè)試板和測(cè)試插座使自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備與封裝后的芯片之間建立電氣連接。貴陽(yáng)MINILED芯片測(cè)試機(jī)公司

不同的性能指標(biāo)需要對(duì)應(yīng)的測(cè)試方案才能完成芯片質(zhì)量的篩選。成都MINILED芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)

測(cè)試項(xiàng)目流程：目前量產(chǎn)的是BLE的SOC產(chǎn)品，里面包含了eflash、AD/DA、 LDO/BUCK、RF等很多模塊，為了提供給客戶品質(zhì)高的產(chǎn)品，我們針對(duì)每個(gè)模塊都有詳細(xì)的測(cè)試，下面是我們的大概的項(xiàng)目測(cè)試流程：Open/Short Test: 檢查芯片引腳中是否有開路或短路。DC TEST: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。Eflash TEST: 測(cè)試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫擦除動(dòng)作及功耗和速度等各種參數(shù)。Function TEST: 測(cè)試芯片的邏輯功能。AC Test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。Mixed Signal Test: 驗(yàn)證DUT數(shù)模混合電路的功能及性能參數(shù)。成都MINILED芯片測(cè)試機(jī)行價(jià)