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接下來是單晶硅生長，**常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。關(guān)節(jié)式機(jī)械手因其結(jié)構(gòu)復(fù)雜。韶關(guān)進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格便宜

    確定性主要分為兩種主要類型:結(jié)構(gòu)(structured)不確定性和非結(jié)構(gòu)(unstructured)不確定性,非結(jié)構(gòu)不確定性主要是由于測量噪聲、外界干擾及計(jì)算中的采樣時(shí)滯和舍入誤差等非被控對(duì)象自身因素所引起的不確定性。結(jié)構(gòu)不確定性和建模模型本身有關(guān),可分為系統(tǒng)模型①參數(shù)不確定性如負(fù)載質(zhì)量、連桿質(zhì)量、長度及連桿質(zhì)心等參數(shù)未知或部分已知。②未建模動(dòng)態(tài)高頻未建模動(dòng)態(tài),如執(zhí)行器動(dòng)態(tài)或結(jié)構(gòu)振動(dòng)等;低頻未建模動(dòng)態(tài),如動(dòng)/靜摩擦力等。模型不確定性給機(jī)械臂軌跡**的實(shí)現(xiàn)帶來影響,同時(shí)部分控制算法受限于一定的不確定性。應(yīng)用于機(jī)械臂控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法主要包括PID控制、自適應(yīng)控制和魯棒控制等,然而由于它們自身所存在的缺點(diǎn),促使其與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、模糊控制等算法相結(jié)合,一些新的控制方法也在涌現(xiàn),很多算法是彼此結(jié)合在一起的。 廣東晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂批發(fā)各支承、連接件的剛性也要有一定的要求，以保證能承受所需要的驅(qū)動(dòng)力。

    區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長；后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長的不同捏？這是由于硅的熔點(diǎn)高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，所以難以找到適合的器皿來盛方，自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于：區(qū)熔法一般不使用坩鍋，引入的雜質(zhì)更少，生長的材料雜質(zhì)含量也就更少?？偠灾?，單晶硅棒是圓柱形的，使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個(gè)樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎？Bingo，圖左的尖尖是籽晶，圖右的尖尖是晶棒長到***，從熔融態(tài)里出來后，由于復(fù)雜的流體力學(xué)原理，以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導(dǎo)致的。

年來全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口依賴，并有足夠的能力滿足市場需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。一，晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳氧結(jié)合，得硅），提純得純度約為98%的純硅，又稱冶金級(jí)硅，這對(duì)微電子器件來說依然不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度相當(dāng)?shù)拿舾?，因而?duì)冶金級(jí)硅作進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度達(dá)99%，成為電子級(jí)硅。對(duì)于工業(yè)應(yīng)用來說，有時(shí)并不需要機(jī)械手臂具有完整的六個(gè)自由度.

    近年來全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口依賴，并有足夠的能力滿足市場需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。一，晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳氧結(jié)合，得硅），提純得純度約為98%的純硅，又稱冶金級(jí)硅，這對(duì)微電子器件來說依然不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度相當(dāng)?shù)拿舾?，因而?duì)冶金級(jí)硅作進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度達(dá)99%，成為電子級(jí)硅。 手端的定位由各部關(guān)節(jié)相互轉(zhuǎn)角來確定，其誤差是積累誤差，因而精度較差，其位置精度也更難保證。銷售晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂市場報(bào)價(jià)

有時(shí)往往相互矛盾，剛性好、載重大，結(jié)構(gòu)往往粗大、導(dǎo)向桿也多。韶關(guān)進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格便宜

    6)自適應(yīng)控制。采用組合自適應(yīng)控制將系統(tǒng)劃分成關(guān)節(jié)子系統(tǒng)和柔性子系統(tǒng)。利用參數(shù)線性化的方法設(shè)計(jì)自適應(yīng)控制規(guī)則來辨識(shí)柔性機(jī)械臂的不確定性參數(shù)。對(duì)具有非線性和參數(shù)不確定性的柔性機(jī)械臂進(jìn)行了**控制器的設(shè)計(jì)?？刂破鞯脑O(shè)計(jì)是依據(jù)Lyapunov方法的魯棒和自適應(yīng)控制設(shè)計(jì)。通過狀態(tài)轉(zhuǎn)換將系統(tǒng)分成兩個(gè)子系統(tǒng)。用自適應(yīng)控制和魯棒控制分別對(duì)兩個(gè)子系統(tǒng)進(jìn)行控制。7)PID控制。PID控制器作為很受歡迎和**廣泛應(yīng)用的控制器,由于其簡單、有效、實(shí)用,被普遍地用于剛性機(jī)械臂控制,常通過調(diào)整控制器增益構(gòu)成自校正PID控制器或與其它控制方法結(jié)合構(gòu)成復(fù)合控制系統(tǒng)以改善PID控制器性能。8)變結(jié)構(gòu)控制。變結(jié)構(gòu)控制系統(tǒng)是一種不連續(xù)的反饋控制系統(tǒng),其中滑?？刂剖?*普遍的變結(jié)構(gòu)控制。其特點(diǎn);在切換面上,具有所謂的滑動(dòng)方式,在滑動(dòng)方式中系統(tǒng)對(duì)參數(shù)變化和擾動(dòng)保持不敏感,同時(shí),它的軌跡位于切換面上,滑動(dòng)現(xiàn)象并不依賴于系統(tǒng)參數(shù),具有穩(wěn)定的性質(zhì)。變結(jié)構(gòu)控制器的設(shè)計(jì),不需要機(jī)械臂精確的動(dòng)態(tài)模型,模型參數(shù)的邊界就足以構(gòu)造一個(gè)控制器。 韶關(guān)進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格便宜

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