江蘇交流高壓220V轉5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片內部集成有AC同步檢測電路，該電路通過Drain端對地內置的分壓電阻檢測AC信號。當芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容，導致Drain端電壓可能過高，芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題，芯片內部設計了主動式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外，當各種保護（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時，主動式泄放電路也將打開，對VDD電容進行充電，同時對Drain端寄生電容進行放電，以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復重啟的順利進行。；當工作 于空載附近時，系統(tǒng)將重新進入調頻模式以降低待 機損耗。江蘇交流高壓220V轉5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片引腳內部有一個上拉電流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引腳外部懸空時處于使能狀態(tài)。同時，上拉電流源同樣也可被用于設置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到，當VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時，額外的一個上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會被打開從而改變VEN 的電壓比，實現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動電壓和關閉電壓值。江蘇交流高壓220V轉5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨同時產品內置高耐壓 MOSFET 可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。

PCB設計對芯片的穩(wěn)定可靠工作至關重要，請遵循以下指南設計以獲得比較好的電路工作性能：1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應該盡可能短和寬以減小回路壓降，提高轉換效率。3.SW節(jié)點的電壓波形為高頻方波，適當減小SW節(jié)點的鋪銅可以改善EMI性能，另一方面適當增大SW節(jié)點的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能，可根據(jù)實際情況適當折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠離噪聲源，比如SW節(jié)點和BST節(jié)點。5.輸出電壓VOUT的采樣點靠近輸出電容末端放置，且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設計中，推薦為GND引腳設置一個完整的GND層，并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。

在輕載工作條件下自動進入脈沖頻率調制模式(PFM)，以保持輕載高效率。當負載電流逐漸減小時，電感電流紋波的波谷逐漸下降，直至電感電流波谷為0A，此時即為電感電流連續(xù)導通模式和不連續(xù)導通模式的臨界——電感電流臨界導通模式。繼續(xù)降低負載電流，當檢測到電感電流過零時，將會關閉低側MOSFET (LSF)，從而電感電流保持為零。在這種情況下，輸出電容只被負載電流放電，輸出電壓下降速度變慢，從而開關頻率將會降低。由于開關頻率的降低，輕載時的開關損耗也將降低，從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。。內置開關頻率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音頻噪聲和降 低開關損耗。

高性能、低成本離線式PWM控制功率開關KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率開關，適用于離線式小功率降壓型應用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產品內置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP3112內部無固定時鐘驅動MOSFET，系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術，有效簡化了外圍電路設計，提升線性調整率和負載調整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP3112集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護等。主要特點?集成700V高壓MOSFET和高壓啟動電路?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關頻率?良好的線性調整率和負載調整率?集成軟啟動電路?內部保護功能：?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?過溫保護(OTP)?封裝類型SOT23-5在此過程中高壓MOSFET 不 允許導通，同時VDD 電容上電壓持續(xù)在6.2V 和 7V 之間振蕩。四川交流高壓220V轉3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片資料

集成式線電壓和輸出電壓補償優(yōu)化調整率。江蘇交流高壓220V轉5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

電子元器件幾乎覆蓋了我們生活的各個方面，包括電力、機械、交通、化工等傳統(tǒng)工業(yè)，也涵蓋航天、激光、通信、機器人、新能源等新興產業(yè)。據(jù)統(tǒng)計，目前，我國電子元器件銷售產業(yè)總產值已占電子信息行業(yè)的五分之一，是我國電子信息行業(yè)發(fā)展的根本。中國電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片行業(yè)協(xié)會秘書長古群表示 5G 時代下電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產業(yè)面臨的機遇與挑戰(zhàn)。認為，在當前不穩(wěn)定的國際貿易關系局勢下，通過 2018—2019 年中國電子元件行業(yè)發(fā)展情況可以看到，被美國加征關稅的電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產品的出口額占電子元件出口總額的比重只有 10％?；仡欉^去一年國內電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產業(yè)運行情況，上半年市場低迷、部分外資企業(yè)產線轉移、中小企業(yè)經營困難，開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產業(yè)受到相關部門高度重視、下游企業(yè)與元器件產業(yè)的黏性增強、下游 5G 在產業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅使下，我國電子元器件行業(yè)下半年形勢逐漸好轉。利用物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能等技術推動銷售產品智能化升級。信息消費5G先行,完善信息服務基礎建設:信息消費是居民、相關部門對信息產品和服務的使用,包含產品和服務兩大類,產品包括手機、電腦、平板、智能電視和VR/AR等。江蘇交流高壓220V轉5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

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