湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

來源: 發(fā)布時間:2023-02-16

輸出電壓可調,高壓交流220V非隔離BUCK電路芯片,非常適用于智能照明,智能家電控制產品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率開關,適用于離線式小功率降壓型應用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產品內置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP35064內部無固定時鐘驅動MOSFET,系統(tǒng)開關頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術,有效簡化了外圍電路設計,提升線性調整率和負載調整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。AC 同步檢測及主動泄放電路。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

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芯片內部集成有AC同步檢測電路,該電路通過Drain端對地內置的分壓電阻檢測AC信號。當芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后,內部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容,導致Drain端電壓可能過高,芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題,芯片內部設計了主動式泄放電路:該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道,并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制,確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外,當各種保護(UVP,OLPorOTP)發(fā)生時,主動式泄放電路也將打開,對VDD電容進行充電,同時對Drain端寄生電容進行放電,以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復重啟的順利進行。吉林低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率開關,適用于離線式小功率降壓型應用場合,**電路簡單、器件個數(shù)少。

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另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運行,在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外,推薦另外再添加一個 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是,雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命,但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下,實際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩,**惡劣時甚至會振蕩到2 倍的 VIN 電壓,從而過壓擊穿芯片。此時,推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。采用恒定導通時間控制實現(xiàn)超快速的動態(tài)響應。

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在此時間內過流比較器不翻轉且高壓 MOSFET 不允許關斷。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

輸出電容選擇:對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格,輸出電容根據(jù)實際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負載選擇:需在空載輸出電壓和待機損耗上折中:即過大的假負載可以壓制空載輸出上飄電壓,但系統(tǒng)待機損耗也隨之加大;而過小的假負載則反之。一般而言,芯片系統(tǒng)推薦假負載阻值范圍在1-2k范圍內(隨輸出電壓調整),假負載損耗控制在10-15mW左右即可。內集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能,當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加,而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

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