遼寧低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，集成軟啟動(dòng)電路。遼寧低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

EN 引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電流源，從而允許用戶保持EN 引腳懸空來(lái)使能芯片。另外根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要，EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實(shí)現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個(gè)5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護(hù)內(nèi)部電路受到過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時(shí)，串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流，防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路，以減少開關(guān)抖動(dòng)。江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工PWM控制電路、**的過(guò)零檢測(cè)電 路以及各種保護(hù)電路，用以實(shí)現(xiàn)臨界導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)控制。

PCB設(shè)計(jì)對(duì)芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要，請(qǐng)遵循以下指南設(shè)計(jì)以獲得比較好的電路工作性能：1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降，提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點(diǎn)的電壓波形為高頻方波，適當(dāng)減小SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以改善EMI性能，另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能，可根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源，比如SW節(jié)點(diǎn)和BST節(jié)點(diǎn)。5.輸出電壓VOUT的采樣點(diǎn)靠近輸出電容末端放置，且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計(jì)中，推薦為GND引腳設(shè)置一個(gè)完整的GND層，并在GND層和芯片層間增加足夠多的過(guò)孔。

高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片，30V3A，500kHz同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52330X是一款簡(jiǎn)單易用高效率的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍，能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)3A的負(fù)載電流，非常適合用于12V和24V等常見的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)以維持高輕載效率；KP523308輕載下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開關(guān)頻率和低輸出紋波。通過(guò)集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝，該器件可實(shí)現(xiàn)高功率密度，并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內(nèi)部補(bǔ)償?shù)姆逯惦娏髂Ｊ娇刂萍軜?gòu)，用于維持穩(wěn)定運(yùn)行和超小的輸出電容。借助EN精密使能功能，可對(duì)器件啟動(dòng)和關(guān)斷進(jìn)行精確控制。內(nèi)置有完善的保護(hù)功能：輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過(guò)壓保護(hù)(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(hù)(VOUTUVP)，和過(guò)溫保護(hù)(OTP)，以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運(yùn)行。當(dāng) CS 電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET 即刻關(guān) 斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)3 個(gè)PWM 周期.。

40V低功耗降壓DCDC電源芯片，40V,1A易用高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52140X(A)是一款簡(jiǎn)單易用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)1A的負(fù)載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍，因此適用于工業(yè)領(lǐng)域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的P型高側(cè)MOSFET和N型低側(cè)MOSFET，省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)和補(bǔ)償電路減少了**元器件的數(shù)量，固定5V或3.3V的輸出方式可進(jìn)一步減少**元器件數(shù)量，從而輕松實(shí)現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關(guān)頻率為100kHz，采用低開關(guān)速率設(shè)計(jì)適用于有EMI要求的應(yīng)用場(chǎng)合。KP52140X(A)內(nèi)置有完善的保護(hù)功能：輸入過(guò)壓保護(hù)(VINOVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過(guò)壓保護(hù)(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(hù)(VOUTUVP)，和過(guò)溫保護(hù)(OTP)，以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運(yùn)行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封裝，可節(jié)約布局空間。芯片采用管腳復(fù)用技術(shù)，內(nèi)部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內(nèi)部過(guò)流比較 器的輸入。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片樣品

。內(nèi)置開關(guān)頻率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音頻噪聲和降 低開關(guān)損耗。遼寧低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

輸出電容選擇：對(duì)于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實(shí)際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負(fù)載選擇：需在空載輸出電壓和待機(jī)損耗上折中：即過(guò)大的假負(fù)載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機(jī)損耗也隨之加大；而過(guò)小的假負(fù)載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負(fù)載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負(fù)載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。遼寧低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

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