北京芯片測試探針臺哪里有

來源: 發(fā)布時間:2023-03-12

晶圓測試基本的一點(diǎn)就是:晶圓測試必須能夠辨別芯片的好壞,并使合格芯片繼續(xù)進(jìn)入下面的封裝工藝。為了確保芯片功能和成品率的有效測試,封裝廠商和設(shè)備制造者需要不斷探索,進(jìn)而找到高精度、高效率和低成本的測試方法,并運(yùn)用新的組裝工藝要求對晶圓片進(jìn)行探測,這些要求將引起設(shè)備和工藝過程的重大變化。探針臺從操作上來區(qū)分有:手動,半自動,全自動,從功能上來區(qū)分有:溫控探針臺,真空探針臺(低溫探針臺),RF探針臺,LCD平板探針臺,霍爾效應(yīng)探針臺,表面電阻率探針臺。探針卡使芯片與封裝后成品管腳焊接質(zhì)量差,容易引起短路。北京芯片測試探針臺哪里有

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通常,參數(shù)測試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測器件(DUT),然后測量該器件對于此輸入信號的響應(yīng)。這些信號的路徑為:從測試儀通過電纜束至測試頭,再通過測試頭至探針卡,然后通過探針至芯片上的焊點(diǎn),到達(dá)被測器件,并后沿原路徑返回測試儀器。如果獲得的結(jié)果不盡如人意,問題可能是由測量儀器或軟件所致,也可能是其它原因造成。通常情況下,測量儀器引進(jìn)一些噪聲或測量誤差。而更可能導(dǎo)致誤差的原因是系統(tǒng)的其它部件,其中之一可能是接觸電阻,它會受探針參數(shù)的影響,如探針的材料、針尖的直徑與形狀、焊接的材質(zhì)、觸點(diǎn)壓力、以及探針臺的平整度。此外,探針尖磨損和污染也會對測試結(jié)果造成極大的負(fù)面影響。重慶自動探針臺價格探針尖接觸電阻即探針尖與焊點(diǎn)之間接觸時的層間電阻。

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探針臺是半導(dǎo)體(包括集成電路、分立器件、光電器件、傳感器)行業(yè)重要的檢測裝備之一,其普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測量,旨在確保質(zhì)量及可靠性,并縮減研發(fā)時間和器件制造工藝的成本。通過與測試儀器的配合,探針臺將參數(shù)特性不符合要求的芯片記錄下來,在進(jìn)入后序工序前予以剔除,極大降低器件的制造成本。探針臺主要用于晶圓制造環(huán)節(jié)的晶圓檢測、芯片研發(fā)和故障分析等應(yīng)用。半導(dǎo)體測試可以按生產(chǎn)流程可以分為三類:驗(yàn)證測試、晶圓測試測試、封裝檢測。晶圓檢測環(huán)節(jié)需要使用測試儀和探針臺,測試儀/機(jī)用于檢測芯片功能和性能,探針臺實(shí)現(xiàn)被測芯片與測試機(jī)的連接,通過探針臺和測試機(jī)的配合使用對晶圓上的裸芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測試或射頻測試,可以對芯片的良品、不良品的進(jìn)行篩選。

12英寸晶圓在結(jié)構(gòu)上具有更高的效率,以200mm工藝為例,在良率100%的情況下,可出88個完整的晶粒,理論上因方塊切割所造成的邊緣浪費(fèi)率為23%(約有20個晶粒因缺角破損而無法使用);而若以300mm工藝進(jìn)行切割,則產(chǎn)出效率將更驚人,可產(chǎn)出193個完整的晶粒,會浪費(fèi)19%的晶圓面積(36個不完整晶粒)。此外,12英寸廠的規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢也不容小視;300mm的建廠成本與200mm的建廠成本比值約為1.5,而晶圓廠建廠成本與晶圓面積的比值卻少于2.25,這意味著只要多投入1.5倍的建廠成本,即可多生產(chǎn)2.25倍的晶粒!少少的邊際投入即可獲取的收益,約可節(jié)省33%的成本;如此高報酬的投資效益隨著技術(shù)的發(fā)展而讓人們受益。從功能上來區(qū)分有:高溫探針臺,低溫探針臺,RF探針臺,LCD平板探針臺,表面電阻率探針臺。

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探針臺的分類:探針臺可以按照使用類型與功能來劃分,也可以按照操作方式來劃分成:手動探針臺、半自動探針臺、全自動探針臺。手動探針臺:手動探針臺系統(tǒng)顧名思義是手動控制的,這意味著晶圓載物臺和卡盤、壓盤、顯微鏡以及定位器/操縱器都是由使用者手動移動的。因此一般是在沒有很多待測器件需要測量或數(shù)據(jù)需要收集的情況下使用手動探針臺。該類探針臺的優(yōu)點(diǎn)之一是只需要很少的培訓(xùn),易于配置環(huán)境和轉(zhuǎn)換測試環(huán)境,并且不需要涉及額外培訓(xùn)和設(shè)置時間的電子設(shè)備、PC或軟件。某些針尖壓痕太長,超出PAD范圍,使PAD周圍的鋁線短路。北京芯片測試探針臺哪里有

隨著探針接觸到焊點(diǎn)金屬的亞表層,這些效應(yīng)將增加。北京芯片測試探針臺哪里有

初TI退休工程師杰克·基比(JackSt.ClairKilby)發(fā)明顆單石集成電路,為現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)時,晶圓直徑不過1.25英寸~2英寸之間,生產(chǎn)過程多以人工方式進(jìn)行。隨著6英寸、8英寸晶圓的誕生,Align/Load的校準(zhǔn)工作和一些進(jìn)階檢測也開始自動化;直到12英寸晶圓成形,可謂正式邁入“單鍵探測”(OneButtonProbing)的全部自動化時代,就連傳輸也開始借助機(jī)器輔助;但此時的測試大都是轉(zhuǎn)包給專業(yè)的廠商做,且大部分是著重在如何縮短工藝開發(fā)循環(huán)的參數(shù)測試上。北京芯片測試探針臺哪里有

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