目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導(dǎo)調(diào)制器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn),也取得了許多的進(jìn)展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中,面臨著一系列的問(wèn)題,波導(dǎo)芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構(gòu)出發(fā),模擬設(shè)計(jì)了懸臂型倒錐耦合結(jié)構(gòu),通過(guò)開(kāi)發(fā)相應(yīng)的有效地耦合工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)耦合實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)良好的耦合效率。在此基礎(chǔ)之上,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝,并對(duì)封裝后的調(diào)制器進(jìn)行性能測(cè)試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術(shù)的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測(cè)試技術(shù)其實(shí)就是硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:可編程性。北京震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的服務(wù)器為完成設(shè)備控制及自動(dòng)測(cè)試應(yīng)包含有自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序,可以使用于根據(jù)測(cè)試站請(qǐng)求信息分配測(cè)試設(shè)備,并自動(dòng)切換光矩陣進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。服務(wù)器連接N個(gè)測(cè)試站、測(cè)試設(shè)備、光矩陣。其中N個(gè)測(cè)試站連接由于非占用式特性采用網(wǎng)口連接方式;測(cè)試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì),物理連接采用GPIB接口、串口或者USB接口;光矩陣連接采取串口。自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序包含三個(gè)功能模塊:多工位搶占式通信、設(shè)備自動(dòng)測(cè)試、測(cè)試指標(biāo)運(yùn)算;設(shè)備自動(dòng)測(cè)試過(guò)程又包含如下三類(lèi):偏振態(tài)校準(zhǔn)、存光及指標(biāo)測(cè)試。北京震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):功耗低。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈劃分,芯片從設(shè)計(jì)到出廠(chǎng)的中心環(huán)節(jié)主要包括6個(gè)部分:(1)設(shè)計(jì)軟件,芯片設(shè)計(jì)軟件是芯片公司設(shè)計(jì)芯片結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具,目前芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要依靠EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)軟件來(lái)完成;(2)指令集體系,從技術(shù)來(lái)看,CPU只是高度聚集了上百萬(wàn)個(gè)小開(kāi)關(guān),沒(méi)有高效的指令集體系,芯片沒(méi)法運(yùn)行操作系統(tǒng)和軟件;(3)芯片設(shè)計(jì),主要連接電子產(chǎn)品、服務(wù)的接口;(4)制造設(shè)備,即生產(chǎn)芯片的設(shè)備;(5)圓晶代工,圓晶代工廠(chǎng)是芯片從圖紙到產(chǎn)品的生產(chǎn)車(chē)間,它們決定了芯片采用的納米工藝等性能指標(biāo);(6)封裝測(cè)試,是芯片進(jìn)入銷(xiāo)售前的結(jié)尾一個(gè)環(huán)節(jié),主要目的是保證產(chǎn)品的品質(zhì),對(duì)技術(shù)需求相對(duì)較低。應(yīng)用到芯片的領(lǐng)域比如我們的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)。
此在確認(rèn)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)耦合不過(guò)的前提下,可依次排除B殼天線(xiàn)、KB板和同軸線(xiàn)等內(nèi)部結(jié)構(gòu)的故障進(jìn)行維修。若以上一一排除,則是主板參數(shù)校準(zhǔn)的問(wèn)題,或者說(shuō)是主板硬件存在故障。耦合天線(xiàn)的種類(lèi)比較多,有塔式、平板式、套筒式,常用的是自動(dòng)硅光芯片硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)。為防止外部環(huán)境的電磁干擾搭載屏蔽箱,來(lái)提高耦合直通率。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶(hù)非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”,“易掉話(huà)”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽(tīng)”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶(hù)環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號(hào)類(lèi)”返修量一直占有較大的比例。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要是用整機(jī)模擬一個(gè)實(shí)際使用的環(huán)境,測(cè)試設(shè)備在無(wú)線(xiàn)環(huán)境下的射頻性能。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要工作可以分為四個(gè)部分:1、利用開(kāi)發(fā)出的耦合封裝工藝,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測(cè)試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對(duì)調(diào)制過(guò)程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測(cè)試方法。并通過(guò)調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問(wèn)題,為后續(xù)研發(fā)提供改進(jìn)方向。2、針對(duì)倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過(guò)程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對(duì)插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開(kāi)發(fā)出行之有效的耦合工藝。3、從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。4、理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對(duì)光調(diào)制器進(jìn)行理論分析與介紹。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):方便管理。山西硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠(chǎng)家
圖像處理軟件能自動(dòng)測(cè)量出各項(xiàng)偏差,然后軟件驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)和運(yùn)動(dòng)平臺(tái)來(lái)補(bǔ)償偏差,以及給出提示。北京震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中的硅光與芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步驟:1、使用微調(diào)架將光纖端面與模斑變換器區(qū)域精確對(duì)準(zhǔn),調(diào)節(jié)至合適耦合間距后采用紫外膠將光纖分別與固定塊和墊塊粘接固定;2、將硅光芯片粘貼固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波導(dǎo)為懸臂梁結(jié)構(gòu),具有模斑變換器;通過(guò)圖像系統(tǒng),微調(diào)架將光纖端面與耦合波導(dǎo)的模斑變換器耦合對(duì)準(zhǔn),固定塊從側(cè)面緊挨光纖并固定在基板上;3、硅光芯片的輸入端和輸出端分別粘貼墊塊并支撐光纖未剝除涂覆層的部分。北京震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)