硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的應用技術領域,公開了光子集成芯片的新型測試系統(tǒng)及方法,包括測試設備和集成芯片放置設備,測試設備包括電耦合測試設備和光耦合測試設備中的一種或兩種,電耦合測試設備和光耦合測試設備可拆卸安裝在集成芯片放置機構四周,電耦合測試設備包括單探針耦合模塊和探針卡耦合模塊,光耦合測試設備包括陣列光纖耦合模塊和光纖耦合模塊;該通過改進結構,形成電耦合測試機構和光耦合測試設備,通過搭配組裝可靈活對待測試集成芯片進行光耦合測試和電耦合測試,安裝方便快捷,成本低。當三維的粗耦合結束后,在計算機地控制下,將光纖陣列和波導端面的距離調整到預先設定的距離,進行微耦合。青海硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪家好
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是比較關鍵的,我們的客戶非常關注此工位測試的嚴謹性,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要控制“信號弱”,“易掉話”,“找網慢或不找網”,“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環(huán)境對設備EMC干擾的方法與實際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號類”返修量一直占有較大的比例??梢?,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是一個需要嚴謹?shù)年P鍵崗位,在利用金機調好衰減(即線損)之后,功率無法通過的,必須進行維修,而不能隨意的更改線損使其通過測試,因為比較可能此類機型在開機界面顯示滿格信號而在使用過程中出現(xiàn)“掉話”的現(xiàn)象,給設備質量和信譽帶來負面影響。以上是整機耦合的原理和測試存在的意義,也就是設備主板在FT測試之后,還要進行組裝硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的原因。青海硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪家好硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路。
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光陣列微調設備,微調設備包括有垂直設置的第1角度調節(jié)機構與第二角度調節(jié)機構,微調設備可帶動設置于微調設備上的硅光陣列在垂直的兩個方向實現(xiàn)角度微調。本發(fā)明還提供一種光子芯片測試系統(tǒng)硅光陣列耦合設備,包括有微調設備以及與微調設備固定連接的位移臺,位移臺可實現(xiàn)對探針卡進行空間上三個方向的位置調整?;诠庾有酒瑴y試系統(tǒng)硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對準到芯片端面的光柵區(qū)間,從而使得測試過程更加穩(wěn)定,結果更加準確。
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)的服務器為完成設備控制及自動測試應包含有自動化硅光芯片耦合測試系統(tǒng)服務端程序,可以使用于根據(jù)測試站請求信息分配測試設備,并自動切換光矩陣進行自動測試。服務器連接N個測試站、測試設備、光矩陣。其中N個測試站連接由于非占用式特性采用網口連接方式;測試設備包括可調激光器、偏振控制器和多通道光功率計,物理連接采用GPIB接口、串口或者USB接口;光矩陣連接采取串口。自動化硅光芯片耦合測試系統(tǒng)服務端程序包含三個功能模塊:多工位搶占式通信、設備自動測試、測試指標運算;設備自動測試過程又包含如下三類:偏振態(tài)校準、存光及指標測試。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:可編程性。
經過多年發(fā)展,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)如今已經成為受到普遍關注的熱點研究領域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學被認為是實現(xiàn)高集成度光子芯片的較佳選擇。但是,硅光子學也有其固有的缺點,比如缺乏高效的硅基有源器件,極低的光纖-波導耦合效率以及硅基波導明顯的偏振相關性等都制約著硅光子學的進一步發(fā)展。針對這些問題,試圖通過新的嘗試給出一些全新的解決方案。首先我們回顧了一些光波導的數(shù)值算法,并在此基礎上開發(fā)了一個基于柱坐標系的有限差分模式分析器,它非常適合于分析彎曲波導的本征模場。對于復雜光子器件結構的分析,我們主要利用時域有限差分以及波束傳播法等數(shù)值工具。接著我們回顧了硅基光子器件各項主要的制造工藝和測試技術。重點介紹了幾種基于超凈室設備的關鍵工藝,如等離子增強化學氣相沉積,電子束光刻以及等離子體干法刻蝕。為了同時獲得較高的耦合效率以及較大的對準容差,本論文主要利用垂直耦合系統(tǒng)作為光子器件的主要測試方法。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:在一個指令周期內可完成一次乘法和一次加法。上海光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢
芯片耦合集成化才能實現(xiàn)高密度、低成本、低能耗,滿足信息社會信息急速膨脹。青海硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪家好
伴隨著光纖通信技術的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當前,我們把主流的光互聯(lián)技術分為兩類。一類是基于III-V族半導體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料。基于III-V族半導體材料的光互聯(lián)技術,在光學性能方面較好,但是其成本高,工藝復雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。青海硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪家好