硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對來料硅片進行檢測。該工序主要用來對硅片的一些技術參數(shù)進行在線測量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏硅片檢測儀對硅片表面不平整度進行檢測,同時檢測硅片的尺寸和對角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測模塊用來檢測硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個在線測試[url=]模組[/url]主要測試硅片體電阻率和硅片類型，另一個模塊用于檢測硅片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進行檢測，并自動剔除破損硅片。硅片檢測設備能夠自動裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測精度和效率。太陽能板工作的原理是什么。浙江單晶硅太陽能電池片組件
按電池片的類型可以分：單晶、多晶、非晶三種，現(xiàn)工廠生產(chǎn)的多為多晶和單晶非晶較少按電池板中包含的電池片的多少主要有：5612p、5612M、6610P、6612P注：5612M5：電池片尺寸6：電池片的串數(shù)12：單串電池片的數(shù)量P（多晶）、M（單晶）你見到的純黑色多為：單晶深藍色多為：多晶還有樓主說的“花”，是多晶才有的，多晶是由多個單晶組成，單晶和單晶在成晶的時候由于條件的不同之間會有的界限，線切割完后會看到不規(guī)格的圖案，熟稱“花”，實際上一個花就是一個單晶，所以從單晶轉(zhuǎn)換的效率看大花的效率要比小花的效率高。浙江太陽能電池片價格太陽能電池單片體積是多大？
太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。以光電效應工作的晶硅太陽能電池為主流，而以光化學效應工作的薄膜電池實施太陽能電池則還處于萌芽階段。太陽電池是一種可以將能量轉(zhuǎn)換的光電元件，其基本構造是運用P型與N型半導體接合而成的。半導體基本的材料是“硅”，它是不導電的，但如果在半導體中摻入不同的雜質(zhì)，就可以做成P型與N型半導體，再利用P型半導體有個空穴。與N型半導體多了一個自由電子的電位差來產(chǎn)生電流，所以當太陽光照射時，光能將硅原子中的電子激發(fā)出來，而產(chǎn)生電子和空穴的對流，這些電子和空穴均會受到內(nèi)建電位的影響，分別被N型及P型半導體吸引，而聚集在兩端。此時外部如果用電極連接起來，形成一個回路，這就是太陽電池發(fā)電的原理。
擴散制結太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片進行反應，得到磷原子。經(jīng)過一定時間，磷原子從四周進入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結是太陽電池生產(chǎn)較基本也是較關鍵的工序。因為正是PN結的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。太陽能電池片的功能用途！
與常用的發(fā)電系統(tǒng)相比優(yōu)點太陽能發(fā)電被稱為理想的新能源。①無枯竭危險；②安全可靠，無噪聲，無污染排放外，干凈（）；③不受資源分布地域的限制，可利用建筑屋面的優(yōu)勢；④無需消耗燃料和架設輸電線路即可就地發(fā)電供電；⑤能源質(zhì)量高；⑥使用者從感情上容易接受；⑦建設周期短，獲取能源花費的時間短。缺點①照射的能量分布密度小，即要占用巨大面積；②獲得的能源同四季、晝夜及陰晴等氣象條件有關。以如今的科學技術來講，利用太陽能來發(fā)電，設備成本高，太陽能利用率卻較低，不能廣泛應用，主要用在一些特殊環(huán)境下，如衛(wèi)星等太陽能電池的主要參數(shù).江蘇雙晶硅太陽能電池片結構
太陽能電池片有哪些功能？浙江單晶硅太陽能電池片組件
多晶硅太陽電他的出現(xiàn)主要是為了降低成本，其優(yōu)點是能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方型硅錠，設備比較簡單，制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料，對材質(zhì)要求也較低。晶界及雜質(zhì)影響可通過電池加工工藝進行改善；由于材質(zhì)和晶界影響，電池效率較低。電池工藝主要采用吸雜、鈍化、背場等技術。常規(guī)鋁吸雜工藝是在電池的背面蒸鍍鋁膜后經(jīng)過燒結形成，也可同時形成電池的背場。近幾年在吸雜上的工作證明，它對單晶硅太陽電池及多晶硅太陽電池都會產(chǎn)生一定的作用。鈍化是提高多晶硅質(zhì)量的有效方法。一種方法是采用氫鈍化，鈍化硅體內(nèi)的懸掛鍵等缺點。在晶體生長中受應力等影響造成缺點越多的硅材料，氫鈍化的效果越好。氫鈍化可采用離子注入或等離子體處理。在多晶硅太陽電池表面采用PECVD法鍍上一層氮化硅減反射膜，由于硅烷分解時產(chǎn)生氫離子，對多晶硅可產(chǎn)生氫鈍化的效果。在太陽電池上常采用表面氧鈍化的技術來提高太陽電他的效率，近年來在光伏級的晶體硅材料上使用也有明顯的效果，尤其采用熱氧化法效果更明顯。使用PECVD法在更低的溫度下進行表面氧化，近年來也被使用，具有一定的效果。 浙江單晶硅太陽能電池片組件
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