用于***元原子1002和第二元原子1004二者的芯材和殼材可以包括如上針對(duì)芯材804和殼材806所述的材料，并且可以使用如上針對(duì)芯材804和殼材806所述的相同技術(shù)來(lái)制造?？梢允褂萌我鈹?shù)目的具有任意形狀或大小的元原子來(lái)一起形成元分子?？梢詸M跨頂層802的表面重復(fù)具體的元分子結(jié)構(gòu)，或者可以橫跨頂層802的表面布置不同的元分子結(jié)構(gòu)。元分子允許不同的光學(xué)相互作用基于各個(gè)元原子的不同幾何形狀而組合在一起。方法圖11是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于降低來(lái)自激光源的斑點(diǎn)噪聲的示例方法1100的流程圖。可以看出，示例方法1100包括多個(gè)階段和子處理，這些階段和子處理的順序可以隨實(shí)施例改變。但是，當(dāng)綜合考慮時(shí)，這些階段和子處理形成根據(jù)本文公開的某些實(shí)施例的用于降低來(lái)自激光源的斑點(diǎn)噪聲的處理。如上所述，可以例如，使用圖2所示的系統(tǒng)架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些實(shí)施例。但是，根據(jù)本公開將明白的是，在其他實(shí)施例中可以使用其他系統(tǒng)架構(gòu)。因此，圖11所示的各種功能與圖2所示的具體組件的關(guān)聯(lián)不意在暗示任何結(jié)構(gòu)和/或使用限制。相反，其他實(shí)施例可以包括例如不同程度的集成，其中，多個(gè)功能由一個(gè)系統(tǒng)有效地執(zhí)行。根據(jù)本公開將明白多種變化和替代配置。如圖11所示，在一個(gè)實(shí)施例中。菲涅爾透鏡購(gòu)買批量定制。汕頭菲涅爾透鏡的設(shè)計(jì)
b)為高斯聲波經(jīng)過(guò)聚焦透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(c)為高斯聲波經(jīng)過(guò)發(fā)散透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(d)為高斯聲波經(jīng)過(guò)偏折透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(e)為高斯聲波經(jīng)過(guò)高透射透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果；圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例中旋轉(zhuǎn)可調(diào)的多功能二維聲學(xué)超材料透鏡在4000hz下的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，(a)為高斯聲波在空氣中的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(b)為高斯聲波經(jīng)過(guò)聚焦透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(c)為高斯聲波經(jīng)過(guò)發(fā)散透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(d)為高斯聲波經(jīng)過(guò)偏折透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(e)為高斯聲波經(jīng)過(guò)高透射透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果；圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例中旋轉(zhuǎn)可調(diào)的多功能二維聲學(xué)超材料透鏡在9000hz下的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，(a)為高斯聲波在空氣中的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(b)為高斯聲波經(jīng)過(guò)聚焦透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(c)為高斯聲波經(jīng)過(guò)發(fā)散透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(d)為高斯聲波經(jīng)過(guò)偏折透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果，(e)為高斯聲波經(jīng)過(guò)高透射透鏡的聲壓場(chǎng)測(cè)試結(jié)果。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例和說(shuō)明書附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。以下實(shí)施例*是本實(shí)用新型的推薦實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出：對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和等同替換。汕頭菲涅爾透鏡 燈塔菲涅爾透鏡玻璃包括哪些構(gòu)件？
深度確定電路208被配置為從檢測(cè)器206接收?qǐng)D像獲取數(shù)據(jù)，并且基于參考平面確定橫跨物體表面上的多個(gè)點(diǎn)的一個(gè)或多個(gè)空間測(cè)量結(jié)果?？梢曰谕渡涞轿矬w上的光圖案的扭曲計(jì)算得出這些測(cè)量結(jié)果。這種圖像處理可以使用本行業(yè)的公知技術(shù)，例如，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)距或三角測(cè)量方法。在一些實(shí)施例中，光驅(qū)動(dòng)器電路210被包括在光投影儀系統(tǒng)102中并且被配置為控制光源202的操作。因此，光驅(qū)動(dòng)器電路210可以被配置為向光源202提供功率，更具體地控制應(yīng)用于光源202的功率的占空比。在一些實(shí)施例中，深度確定電路208可以向源驅(qū)動(dòng)器電路210提供信號(hào)，以改變光源202的操作方式。例如，如果深度確定電路208發(fā)現(xiàn)接收?qǐng)D像太模糊而無(wú)法做出有意義的確定，則其可以向源驅(qū)動(dòng)器電路210提供信號(hào)以增大光源202的功率輸出或占空比。可以提供處理器212以執(zhí)行數(shù)字重建3d物體所需要的任何附加計(jì)算。處理器212可以是任何通用處理設(shè)備或微控制器，如根據(jù)本公開將明白的。在一些實(shí)施例中，處理器212被配置為將數(shù)字重建的3d物體存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器(未示出)中。所存儲(chǔ)的數(shù)字3d物體可以用類型、位置、尺寸、或任何其他符合條件的因素進(jìn)行索引。所存儲(chǔ)的3d數(shù)字物體可以被諸如圖像識(shí)別軟件之類的各種應(yīng)用使用。
示例39包括示例33至38中任一項(xiàng)的主題，其中，芯材和殼材具有大約λ/2的厚度，其中，λ是光源的峰值輸出波長(zhǎng)。示例40包括示例33至39中任一項(xiàng)的主題，其中，殼材包括硅。示例41包括示例33至40中任一項(xiàng)的主題，其中，芯材具有基部和頂部，并且基部比頂部寬。示例42包括示例33至40中任一項(xiàng)的主題，其中，芯材具有基部和頂部，并且基部比頂部窄。本文采用的術(shù)語(yǔ)和表述被用作描述性術(shù)語(yǔ)而非限制性術(shù)語(yǔ)，并且使用這些術(shù)語(yǔ)和表述不意在排除所示出和描述的特征(或其部分)的任意等同，并且應(yīng)認(rèn)識(shí)到在權(quán)利要求范圍內(nèi)的各種修改是可能的。因此，權(quán)利要求用于覆蓋所有這些等同。本文已經(jīng)描述了各種特征、方面、和實(shí)施例。根據(jù)本公開將理解的是，這些特征、方面、和實(shí)施例易于相互組合以及做出變形和修改。因此，應(yīng)該認(rèn)為本公開涵蓋這些組合、變形、和修改。期望本公開的范圍不受限于具體實(shí)施方式，而是由所附權(quán)利要求來(lái)限定。要求本申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的未來(lái)遞交的申請(qǐng)可以通過(guò)不同方式請(qǐng)求保護(hù)保護(hù)所公開的主題，并且一般可以包括這里的各種公開或者以其他方式表達(dá)的一個(gè)或多個(gè)元素的任意**。菲涅爾透鏡組生產(chǎn)廠家電話多少？
并且每個(gè)第二vcsel結(jié)構(gòu)單獨(dú)地在襯底的表面上方延伸。本申請(qǐng)另一方面提供了一種激光源。該激光源包括：襯底；vcsel結(jié)構(gòu)，vcsel結(jié)構(gòu)在襯底的表面上并且在襯底的表面上方延伸，vcsel結(jié)構(gòu)具有頂層；以及多個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，多個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)在vcsel結(jié)構(gòu)的頂層上，其中，多個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或多個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)包括芯材和殼材，殼材在芯材的一個(gè)或多個(gè)表面。附圖說(shuō)明參考附圖，隨著下面的詳細(xì)描述的繼續(xù)，請(qǐng)求保護(hù)的主題的實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯，在附圖中：圖1示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例配置的光投影儀系統(tǒng)。圖2提供了根據(jù)本公開的實(shí)施例配置的光投影儀系統(tǒng)的更詳細(xì)的圖示。圖3示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用在光投影儀系統(tǒng)中的光源的自頂向下的視圖。圖4示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用在光投影儀系統(tǒng)中的光源的側(cè)視圖。圖5提供了根據(jù)本公開的實(shí)施例的具有不同孔徑寬度的設(shè)備的示例激光光譜。圖6示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用在光投影儀系統(tǒng)中的光源的自頂向下的視圖。圖7示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的具有亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的光源的一部分的側(cè)視圖。圖8示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的更詳細(xì)的視圖。圖9a至9c示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的示例亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。菲涅爾透鏡實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)。珠海菲涅爾透鏡投影儀
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因此使用詞語(yǔ)“頂”并不將該層限制到任何具體的空間或幾何關(guān)系。本文描述的任意vcsel結(jié)構(gòu)可以包括用于操控光輸出的一個(gè)或多個(gè)元原子800。應(yīng)該理解的是，為了清楚起見*示出了單個(gè)元原子，但是任意數(shù)目的元原子可以被圖案化在頂層802上。盡管在本實(shí)施例中示出了圓柱形狀，但是任意形狀可以用于元原子800。元原子800可以具有基于來(lái)自vcsel的發(fā)射光的峰值波長(zhǎng)的直徑。例如，元原子800可以具有范圍在λ/10到λ/5之間的總直徑。類似地，元原子800的總厚度取決于來(lái)自vcsel的發(fā)射光的峰值波長(zhǎng)。例如，元原子800可以具有大約λ/2的厚度。芯材804可以是具有相對(duì)較低的折射率但是高沉積速率的材料，因此提高了制造元原子800時(shí)的吞吐量。例如，芯材804可以是氮化硅(si3n4)，并且可以使用化學(xué)氣相沉積(cvd)或物***相沉積(pvd)技術(shù)沉積。隨后可以使用標(biāo)準(zhǔn)等離子體蝕刻工藝對(duì)所沉積的氮化硅層進(jìn)行蝕刻，以形成每個(gè)元原子800的芯材804。殼材806可以是具有相對(duì)較高的折射率(或者至少比芯材804的折射率高)的材料。例如，諸如氧化鈦(tio2)或硅之類的材料可被用于殼材806，并且可以通過(guò)使用原子層沉積(ald)技術(shù)來(lái)非常薄地沉積。ald允許殼材806以非常薄的厚度共形地覆蓋芯材804的外表面上。例如。汕頭菲涅爾透鏡的設(shè)計(jì)
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