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來自具有不同波長的兩個(gè)波束的斑點(diǎn)圖案變得不相關(guān)。這意味著應(yīng)該設(shè)計(jì)各種vcsel的孔徑寬度以使得vcsel之間的發(fā)射波長差由下式給出：δλ≥λ2/2z(1)其中，z是物體的照明表面的表面剖面高度變化。對于940nm的示例峰值發(fā)射波長和z＝，波長差應(yīng)≥。圖5是示出根據(jù)實(shí)施例的具有不同孔徑寬度的兩個(gè)不同vcsel陣列的激光光譜的圖表。頂部的光譜是從***vcsel陣列測得的，其中每個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)具有4μm的孔徑寬度。底部的光譜是從第二vcsel陣列測得的，其中每個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)具有2μm的孔徑寬度。從光譜可以看出，具有較大孔徑大小的***vcsel陣列包括兩種橫向激光模式和具有973nm左右的峰值波長的主導(dǎo)模式。與之對照，第二vcsel陣列*包括其峰值波長在972nm左右的單個(gè)激光模式。通過改變孔徑大小，可以改變橫向激光模式的數(shù)目和發(fā)射的峰值波長，從而產(chǎn)生不同的斑點(diǎn)圖案。圖6示出了根據(jù)實(shí)施例的具有襯底302的光源的另一示例，其中，該襯底包括具有不同孔徑寬度的vcsel結(jié)構(gòu)的各種區(qū)域。襯底302包括具有***孔徑寬度(d1)的多個(gè)vcsel的***區(qū)域602、具有第二孔徑寬度(d2)的多個(gè)vcsel的第二區(qū)域604、具有第三孔徑寬度(d3)的多個(gè)vcsel的第三區(qū)域606、以及具有第四孔徑寬度。太陽灶菲涅爾透鏡24小時(shí)服務(wù)客服電話。遠(yuǎn)紅外透鏡按需定制

用于降低來自激光源的斑點(diǎn)噪聲的方法1100開始于操作1102，在操作1102從***多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射輻射。輻射可以包括可見光或紅外輻射。輻射可以具有大約935nm到大約945nm之間的峰值波長。根據(jù)實(shí)施例，***多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)中的每個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)具有相同的孔徑寬度，使得從***多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射的輻射在對物體進(jìn)行照射時(shí)產(chǎn)生***斑點(diǎn)圖案。從***多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射的輻射包括部分地取決于孔徑寬度的***數(shù)目的橫向模式。接著，在操作1104，從第二多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射輻射。第二多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)可以被布置在與***多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)相同的襯底上。輻射可以包括可見光或紅外輻射。輻射可以具有大約935nm到大約945nm之間的峰值波長。根據(jù)實(shí)施例，第二多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)中的每個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)具有不同于***多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)的孔徑寬度的相同孔徑寬度，使得從第二多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射的輻射在對物體進(jìn)行照射時(shí)產(chǎn)生第二斑點(diǎn)圖案。從第二多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射的輻射包括部分地取決于孔徑寬度第二數(shù)目的橫向模式。第二數(shù)目的橫向模式不同于***數(shù)目的橫向模式。例如，從***多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射的輻射包括兩個(gè)或更多個(gè)橫向模式，而從具有較小孔徑寬度的第二多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射的輻射*包括單個(gè)橫向模式。河北微型紅外透鏡菲涅爾透鏡賣家廠家供應(yīng)。

圖10示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的使用亞波長結(jié)構(gòu)的元分子的示例。圖11是示出根據(jù)本文公開的某些實(shí)施例的從用在光投影儀系統(tǒng)中的光源發(fā)射輻射的方法的流程圖。盡管將參考說明性實(shí)施例繼續(xù)下面的詳細(xì)描述，但是根據(jù)本公開，很多替代、修改、和變形將是明顯的。具體實(shí)施方式用在結(jié)構(gòu)化光投影儀中的激光源包括襯底、襯底上的一個(gè)或多個(gè)***vcsel、以及襯底上的一個(gè)或多個(gè)第二vcsel。一個(gè)或多個(gè)***vcsel各自具有***孔徑寬度并且各自單獨(dú)地在襯底的表面上延伸。一個(gè)或多個(gè)第二vcsel各自具有不同于***孔徑寬度的第二孔徑寬度并且各自單獨(dú)地在襯底的表面上延伸。根據(jù)一些實(shí)施例，可以使用光刻技術(shù)對***vcsel和第二vcsel進(jìn)行圖案化。使用具有不同孔徑寬度的vcsel的陣列提供了具有不同波長的發(fā)射輻射，從而提供了不同的斑點(diǎn)圖案。當(dāng)在檢測器上被接收時(shí)不同的斑點(diǎn)圖案被平均，此時(shí)斑點(diǎn)噪聲減小。vcsel還可以包括多個(gè)亞波長結(jié)構(gòu)以操控光輸出。這種亞波長結(jié)構(gòu)還可以用在包括標(biāo)準(zhǔn)vcsel在內(nèi)的其他vcsel的表面上。在任意這些情況中，激光源可以與圖像傳感器結(jié)合在一起，以提供光投影儀系統(tǒng)?？傮w概述如上所述，仍然有與結(jié)構(gòu)化光照明(sli)相關(guān)聯(lián)的很多未解決的問題。更具體地。

亞波長結(jié)構(gòu)包括用作諧振光學(xué)天線的比光波長更小的表面結(jié)構(gòu)的密集布置。光表面結(jié)構(gòu)交互的諧振性質(zhì)提供了操縱光學(xué)波振面的能力。根據(jù)另一實(shí)施例，激光源包括襯底、vcsel結(jié)構(gòu)、以及多個(gè)亞波長結(jié)構(gòu)。vcsel結(jié)構(gòu)被布置在襯底的表面上，并且在襯底的表面上方延伸。多個(gè)亞波長結(jié)構(gòu)被布置在vcsel結(jié)構(gòu)的頂層。多個(gè)亞波長結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或多個(gè)亞波長結(jié)構(gòu)包括芯材和放置在芯材的一個(gè)或多個(gè)表面上的殼材。注意，如根據(jù)本公開將明白的，亞波長結(jié)構(gòu)可以結(jié)合本文中根據(jù)一些實(shí)施例提供的vcsel結(jié)構(gòu)或者根據(jù)其他實(shí)施例的任何其他vcsel結(jié)構(gòu)使用。vcsel陣列架構(gòu)圖1示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于創(chuàng)建物體104的3d圖像的示例光投影儀系統(tǒng)102。物體104可以是放置在與光投影儀系統(tǒng)102相距給定距離處的任意尺寸或形狀的物體。光投影儀系統(tǒng)102被設(shè)計(jì)為向物體104發(fā)射輻射106并接收反射輻射108，以生成物體104的3d圖像或模型。將參考圖2進(jìn)一步詳細(xì)論述光投影儀系統(tǒng)102的示例組件。發(fā)射的輻射106在物體104的一個(gè)或多個(gè)表面上形成光圖案110。光圖案110可以是網(wǎng)格(如圖1所示)或者可以具有任何其他預(yù)定圖案。來自光圖案110的反射輻射108被用來確定橫跨物體104的各個(gè)點(diǎn)的深度。led菲涅爾透鏡材料模板有哪些？

有些對菲涅爾透鏡焦屏上還刻有局部測光或點(diǎn)測光區(qū)域。早期AF單反機(jī)在光線較暗環(huán)境中對焦時(shí)，往往很難看見對焦框，就難以判斷相機(jī)是以哪一點(diǎn)來作為對焦點(diǎn)，新一代單反機(jī)對焦屏上的對焦點(diǎn)會發(fā)光，或者有對焦聲音提示，便于在復(fù)雜環(huán)境中確認(rèn)對焦。不同類型的對焦屏有不同的用途、拍攝人像可能用如裂像對焦屏更好，帶橫豎線或刻度的對焦屏適用于建筑物攝影和文件翻拍；中間部分沒有裂像而只有微棱的對焦屏適用于小光圈鏡頭，它不會有裂像一邊亮一邊黑的缺點(diǎn)。不少單反相機(jī)焦屏可由用戶自己更換。又稱螺紋透鏡。由于菲涅爾透鏡由有機(jī)玻璃制成,不能用任何有機(jī)溶液(如酒精等)擦拭，除塵時(shí)可先用蒸餾水或普通凈水沖洗,再用脫脂棉擦拭。菲涅爾透鏡圖材料模板有哪些？吉林制造紅外透鏡按需定制

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因此使用詞語“頂”并不將該層限制到任何具體的空間或幾何關(guān)系。本文描述的任意vcsel結(jié)構(gòu)可以包括用于操控光輸出的一個(gè)或多個(gè)元原子800。應(yīng)該理解的是，為了清楚起見*示出了單個(gè)元原子，但是任意數(shù)目的元原子可以被圖案化在頂層802上。盡管在本實(shí)施例中示出了圓柱形狀，但是任意形狀可以用于元原子800。元原子800可以具有基于來自vcsel的發(fā)射光的峰值波長的直徑。例如，元原子800可以具有范圍在λ/10到λ/5之間的總直徑。類似地，元原子800的總厚度取決于來自vcsel的發(fā)射光的峰值波長。例如，元原子800可以具有大約λ/2的厚度。芯材804可以是具有相對較低的折射率但是高沉積速率的材料，因此提高了制造元原子800時(shí)的吞吐量。例如，芯材804可以是氮化硅(si3n4)，并且可以使用化學(xué)氣相沉積(cvd)或物***相沉積(pvd)技術(shù)沉積。隨后可以使用標(biāo)準(zhǔn)等離子體蝕刻工藝對所沉積的氮化硅層進(jìn)行蝕刻，以形成每個(gè)元原子800的芯材804。殼材806可以是具有相對較高的折射率(或者至少比芯材804的折射率高)的材料。例如，諸如氧化鈦(tio2)或硅之類的材料可被用于殼材806，并且可以通過使用原子層沉積(ald)技術(shù)來非常薄地沉積。ald允許殼材806以非常薄的厚度共形地覆蓋芯材804的外表面上。遠(yuǎn)紅外透鏡按需定制

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