浙江紅外透鏡生產(chǎn)企業(yè)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-21

每個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)具有大約λ/2的厚度,其中,λ是該vcsel結(jié)構(gòu)的峰值輸出波長(zhǎng)。示例30包括示例23至29中任一項(xiàng)的主題,還包括在襯底的表面上的多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu),其中,多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)中的每個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)包括多個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。示例31包括示例23至30中任一項(xiàng)的主題,其中,多個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)包括具有基部和頂部的至少一個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu),其中,基部比頂部寬。示例32包括示例23至31中任一項(xiàng)的主題,其中,多個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)包括具有基部和頂部的至少一個(gè)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu),其中,基部比頂部窄。示例33是一種布置在光學(xué)設(shè)備上的亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。該亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)包括芯材和在芯材的一個(gè)或多個(gè)表面上的殼材。芯材具有***折射率并且具有比光源的峰值輸出波長(zhǎng)小的尺寸。殼材具有大于***折射率的第二折射率。示例34包括示例33的主題,其中,芯材是圓柱狀結(jié)構(gòu)。示例35包括示例34的主題,其中,芯材和殼材具有在λ/10到λ/5之間的直徑,其中,λ是光源的峰值輸出波長(zhǎng)。示例36包括示例33至35中任一項(xiàng)的主題,其中,殼材具有小于5nm的厚度。示例37包括示例33至36中任一項(xiàng)的主題,其中,殼材包括氧化鈦,并且芯材包括氮化硅。示例38包括示例33至37中任一項(xiàng)的主題,其中,殼材*在芯材的側(cè)壁上。菲涅爾透鏡的設(shè)計(jì)技術(shù)指導(dǎo)。浙江紅外透鏡生產(chǎn)企業(yè)

人們初次使用菲涅爾透鏡是在18世紀(jì)初,當(dāng)時(shí)它被用在燈塔的探照燈上,聚焦射出來(lái)的光束。當(dāng)人們需要一面又薄又輕的透鏡時(shí),塑料菲涅爾透鏡便派上了用場(chǎng)。盡管成像質(zhì)量不如玻璃透鏡,但是在很多應(yīng)用中我們并不需要完美的圖像質(zhì)量。菲涅爾透鏡的原理基于菲涅爾波帶片,菲涅爾波帶片具有類(lèi)似透鏡的作用,它可以使入射光匯聚起來(lái),產(chǎn)生極大的光強(qiáng)。菲涅爾透鏡的分類(lèi):a)正菲涅爾透鏡:光線從一側(cè)進(jìn)入,經(jīng)過(guò)菲涅爾透鏡在另一側(cè)出來(lái)聚焦成一點(diǎn)或以平行光射出。焦點(diǎn)在光線的另一側(cè),并且是有限共軛。這類(lèi)透鏡通常設(shè)計(jì)為準(zhǔn)直鏡(如投影用菲涅爾透鏡,放大鏡)以及聚光鏡(如太陽(yáng)能用聚光聚熱用菲涅爾透鏡。b)負(fù)菲涅爾透鏡:和正焦菲涅爾透鏡剛好相反。湖南微型紅外透鏡材料菲涅爾透鏡圖材料模板有哪些?

集成電路(ic)、**集成電路(asic)、片上系統(tǒng)(soc)、桌面型計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、智能電話等。其他實(shí)施例可以被實(shí)現(xiàn)為由可編程控制設(shè)備執(zhí)行的軟件。如本文描述的,各種實(shí)施例可以使用硬件元件、軟件元件、或它們的任意組合實(shí)現(xiàn)。硬件元件的示例可以包括處理器、微處理器、電路、電路元件(例如,晶體管、電阻器、電容器、電感器等)、集成電路、**集成電路(asic)、可編程邏輯器件(pld)、數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、邏輯門(mén)、寄存器、半導(dǎo)體器件、芯片、微芯片、芯片集等。本文提出了很多具體細(xì)節(jié),以提供對(duì)實(shí)施例的透徹理解。但是,將明白的是,可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的條件下實(shí)施實(shí)施例。另外,盡管以特定于結(jié)構(gòu)特征和/或方法動(dòng)作的語(yǔ)言描述了主題,但是將理解的是,所附權(quán)利要求中限定的主題不一定局限于本文描述的具體特征或動(dòng)作。相反,本文描述的具體特征和動(dòng)作被作為實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求的示例形式公開(kāi)。另外的示例實(shí)施例下面的示例涉及另外的實(shí)施例,根據(jù)這些實(shí)施例多種排列和配置將是明顯的。示例1是一種激光源。該激光源包括襯底、一個(gè)或多個(gè)***vscel結(jié)構(gòu)、以及一個(gè)或多個(gè)第二vcsel結(jié)構(gòu)。一個(gè)或多個(gè)***vcsel結(jié)構(gòu)在襯底的表面上。

圖3示出了根據(jù)實(shí)施例的光源202或者光源202的至少一部分的自頂向下的視圖。光源202包括襯底302,該襯底具有布置在襯底302的表面上的多個(gè)vcsel結(jié)構(gòu)304。在一些實(shí)施例中,襯底302可以是:包括第iv族半導(dǎo)體材料(例如,si、ge、sige)、第iii-v族半導(dǎo)體材料(例如,gaas、gaassb、gaasin)、和/或根據(jù)本公開(kāi)將明白的任何一種或多種其他適當(dāng)材料的大塊襯底;絕緣體上的x(xoi)結(jié)構(gòu),其中,x是前述材料(例如,第iv和/或iii-v族半導(dǎo)體材料)之一,絕緣體材料是氧化物材料或介電材料或者一些其他電絕緣材料,從而xoi結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)半導(dǎo)體層之間的電絕緣材料層;或者一些其他適當(dāng)?shù)亩鄬咏Y(jié)構(gòu),其中,頂層包括前述半導(dǎo)體材料(例如,第iv和/或iii-v族半導(dǎo)體材料)之一。這里使用的“第iv族半導(dǎo)體材料”(或“第iv族材料”或統(tǒng)稱(chēng)“iv”)在包括至少一種第iv族元素(例如,硅、鍺、碳、錫),例如,硅(si)、鍺(ge)、硅鍺(sige)等。這里使用的“第iii-v族半導(dǎo)體材料”(或“第iii-v族材料”或統(tǒng)稱(chēng)“ii-v”)包括至少一種第iii族元素(例如,鋁、鎵、銦)和至少一種第v族元素(例如,氮、磷、砷、銻、鉍),例如,砷化鎵(gaas)、砷化鎵銦(ingaas)、砷化鋁銦(inalas)、磷化鎵(gap)、銻化鎵(gasb)、磷化銦。負(fù)菲涅爾透鏡生產(chǎn)廠家電話多少?

一個(gè)或多個(gè)***vcsel和一個(gè)或多個(gè)第二vcsel被配置為發(fā)射紅外輻射。示例14包括示例10至13中任一項(xiàng)的主題,其中,一個(gè)或多個(gè)***vcsel中的每個(gè)***vcsel被配置為發(fā)射具有兩個(gè)或更多個(gè)橫向模式的輻射。示例15包括示例14的主題,其中,一個(gè)或多個(gè)第二vcsel中的每個(gè)第二vcsel被配置為發(fā)射具有單個(gè)橫向模式的輻射。示例16包括示例10至15中任一項(xiàng)的主題,其中,激光源還包括在襯底的表面上的一個(gè)或多個(gè)第三垂直腔面發(fā)射激光器(vcsel)結(jié)構(gòu),每個(gè)第三vcsel結(jié)構(gòu)具有不同于***孔徑寬度和第二孔徑寬度的第三孔徑寬度并且單獨(dú)地在襯底的表面上方延伸。示例17包括一種降低來(lái)自激光源的斑點(diǎn)噪聲的方法。該方法包括:從布置在襯底上的一個(gè)或多個(gè)***vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射具有***波長(zhǎng)的輻射;以及從布置在襯底上的一個(gè)或多個(gè)第二vcsel結(jié)構(gòu)發(fā)射具有第二波長(zhǎng)的輻射,其中,第二波長(zhǎng)不同于***波長(zhǎng)。具有***波長(zhǎng)的輻射包括***數(shù)目的橫向模式,具有第二波長(zhǎng)的輻射包括第二數(shù)目的橫向模式,第二數(shù)目的橫向模式不同于***數(shù)目的橫向模式。示例18包括示例17的主題,其中,發(fā)射具有***波長(zhǎng)的輻射包括發(fā)射紅外輻射,并且其中,發(fā)射具有第二波長(zhǎng)的輻射包括發(fā)射紅外輻射。示例19包括示例17或18的主題,其中。菲涅爾透鏡放大鏡價(jià)格實(shí)惠。廣東人體紅外透鏡生產(chǎn)企業(yè)

菲涅爾透鏡陣列價(jià)格咨詢(xún)。浙江紅外透鏡生產(chǎn)企業(yè)

殼材806可以具有小于10nm、小于5nm、小于1nm的厚度或單層原子。圖9a至9c示出了根據(jù)一些實(shí)施例的圖案化在vcsel結(jié)構(gòu)的頂層802上的元原子的不同示例。圖9a示出了***元結(jié)構(gòu)902,其中,殼材806圍繞用于每個(gè)元原子的芯材804,但是不覆蓋頂層802在每個(gè)元原子之間的區(qū)域。在蝕刻工藝期間,使用例如光刻膠或硬掩模來(lái)保護(hù)殼材806的圍繞芯材804的部分,以移除殼材806在頂層802的表面上的暴露部分。圖9b示出了第二元結(jié)構(gòu)904,其中,殼材906共形地覆蓋包括芯材804的所有表面和頂層802的表面。圖9c示出了第三元結(jié)構(gòu)906,其中,殼材806*覆蓋芯材804的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁。在沉積殼材806后,可以執(zhí)行包層各向異性干法蝕刻工藝,以移除殼材806的所有水平平面部分,*留下芯材804的側(cè)壁上的那些部分。圖10示出了根據(jù)實(shí)施例的包括不止一種類(lèi)型的元原子的元結(jié)構(gòu)1000(這里稱(chēng)為“元分子(metamolecule)”)的另一示例。根據(jù)實(shí)施例,***元原子1002包括具有基部1006和頂部1008的芯材?;?006可以比頂部1008更寬或更窄。第二元原子1004包括芯材1010,并且***元原子1002和第二元原子1004二者被殼材1012環(huán)繞。浙江紅外透鏡生產(chǎn)企業(yè)

深圳市芯華利實(shí)業(yè)有限公司專(zhuān)注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。目前我公司在職員工以90后為主,是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括:微波雷達(dá)感應(yīng)模塊(傳感器,紅外人體感應(yīng)模塊,菲涅爾鏡片,PIR透鏡,單面、雙面、多層PCB板等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨,深受客戶好評(píng)。一直以來(lái)公司堅(jiān)持以客戶為中心、微波雷達(dá)感應(yīng)模塊(傳感器,紅外人體感應(yīng)模塊,菲涅爾鏡片,PIR透鏡,單面、雙面、多層PCB板市場(chǎng)為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。