每個亞波長結構具有大約λ/2的厚度，其中，λ是該vcsel結構的峰值輸出波長。示例30包括示例23至29中任一項的主題，還包括在襯底的表面上的多個vcsel結構，其中，多個vcsel結構中的每個vcsel結構包括多個亞波長結構。示例31包括示例23至30中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部寬。示例32包括示例23至31中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部窄。示例33是一種布置在光學設備上的亞波長結構。該亞波長結構包括芯材和在芯材的一個或多個表面上的殼材。芯材具有***折射率并且具有比光源的峰值輸出波長小的尺寸。殼材具有大于***折射率的第二折射率。示例34包括示例33的主題，其中，芯材是圓柱狀結構。示例35包括示例34的主題，其中，芯材和殼材具有在λ/10到λ/5之間的直徑，其中，λ是光源的峰值輸出波長。示例36包括示例33至35中任一項的主題，其中，殼材具有小于5nm的厚度。示例37包括示例33至36中任一項的主題，其中，殼材包括氧化鈦，并且芯材包括氮化硅。示例38包括示例33至37中任一項的主題，其中，殼材*在芯材的側壁上。菲涅爾透鏡和凸透鏡結構設計。上海紅外透鏡結構設計
圖3示出了根據實施例的光源202或者光源202的至少一部分的自頂向下的視圖。光源202包括襯底302，該襯底具有布置在襯底302的表面上的多個vcsel結構304。在一些實施例中，襯底302可以是：包括第iv族半導體材料(例如，si、ge、sige)、第iii-v族半導體材料(例如，gaas、gaassb、gaasin)、和/或根據本公開將明白的任何一種或多種其他適當材料的大塊襯底；絕緣體上的x(xoi)結構，其中，x是前述材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一，絕緣體材料是氧化物材料或介電材料或者一些其他電絕緣材料，從而xoi結構包括兩個半導體層之間的電絕緣材料層；或者一些其他適當的多層結構，其中，頂層包括前述半導體材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一。這里使用的“第iv族半導體材料”(或“第iv族材料”或統(tǒng)稱“iv”)在包括至少一種第iv族元素(例如，硅、鍺、碳、錫)，例如，硅(si)、鍺(ge)、硅鍺(sige)等。這里使用的“第iii-v族半導體材料”(或“第iii-v族材料”或統(tǒng)稱“ii-v”)包括至少一種第iii族元素(例如，鋁、鎵、銦)和至少一種第v族元素(例如，氮、磷、砷、銻、鉍)，例如，砷化鎵(gaas)、砷化鎵銦(ingaas)、砷化鋁銦(inalas)、磷化鎵(gap)、銻化鎵(gasb)、磷化銦。江蘇制造紅外透鏡菲涅爾透鏡優(yōu)點怎么樣？
深度確定電路208被配置為從檢測器206接收圖像獲取數據，并且基于參考平面確定橫跨物體表面上的多個點的一個或多個空間測量結果?？梢曰谕渡涞轿矬w上的光圖案的扭曲計算得出這些測量結果。這種圖像處理可以使用本行業(yè)的公知技術，例如，標準測距或三角測量方法。在一些實施例中，光驅動器電路210被包括在光投影儀系統(tǒng)102中并且被配置為控制光源202的操作。因此，光驅動器電路210可以被配置為向光源202提供功率，更具體地控制應用于光源202的功率的占空比。在一些實施例中，深度確定電路208可以向源驅動器電路210提供信號，以改變光源202的操作方式。例如，如果深度確定電路208發(fā)現接收圖像太模糊而無法做出有意義的確定，則其可以向源驅動器電路210提供信號以增大光源202的功率輸出或占空比。可以提供處理器212以執(zhí)行數字重建3d物體所需要的任何附加計算。處理器212可以是任何通用處理設備或微控制器，如根據本公開將明白的。在一些實施例中，處理器212被配置為將數字重建的3d物體存儲在存儲器(未示出)中。所存儲的數字3d物體可以用類型、位置、尺寸、或任何其他符合條件的因素進行索引。所存儲的3d數字物體可以被諸如圖像識別軟件之類的各種應用使用。
一個或多個***vcsel和一個或多個第二vcsel被配置為發(fā)射紅外輻射。示例14包括示例10至13中任一項的主題，其中，一個或多個***vcsel中的每個***vcsel被配置為發(fā)射具有兩個或更多個橫向模式的輻射。示例15包括示例14的主題，其中，一個或多個第二vcsel中的每個第二vcsel被配置為發(fā)射具有單個橫向模式的輻射。示例16包括示例10至15中任一項的主題，其中，激光源還包括在襯底的表面上的一個或多個第三垂直腔面發(fā)射激光器(vcsel)結構，每個第三vcsel結構具有不同于***孔徑寬度和第二孔徑寬度的第三孔徑寬度并且單獨地在襯底的表面上方延伸。示例17包括一種降低來自激光源的斑點噪聲的方法。該方法包括：從布置在襯底上的一個或多個***vcsel結構發(fā)射具有***波長的輻射；以及從布置在襯底上的一個或多個第二vcsel結構發(fā)射具有第二波長的輻射，其中，第二波長不同于***波長。具有***波長的輻射包括***數目的橫向模式，具有第二波長的輻射包括第二數目的橫向模式，第二數目的橫向模式不同于***數目的橫向模式。示例18包括示例17的主題，其中，發(fā)射具有***波長的輻射包括發(fā)射紅外輻射，并且其中，發(fā)射具有第二波長的輻射包括發(fā)射紅外輻射。示例19包括示例17或18的主題，其中。led菲涅爾透鏡材料模板有哪些？
面部識別、從圖像的特征提取等)、以及改善機器人及其環(huán)境之間的交互的機器人學在內的很多領域有用。但是，仍然有很多與sli相關聯(lián)的未解決的問題。技術實現要素：本申請一方面提供了一種激光源。該激光源包括：襯底；一個或多個***垂直腔面發(fā)射激光器(vcsel)結構，一個或多個***vcsel結構在襯底的表面上，其中每個***vcsel結構具有***孔徑寬度，并且每個***vcsel結構單獨地在襯底的表面上方延伸；以及一個或多個第二vcsel結構，一個或多個第二vcsel結構在襯底的表面上，其中每個第二vcsel結構具有不同于***孔徑寬度的第二孔徑寬度，并且每個第二vcsel結構單獨地在襯底的表面上方延伸。本申請另一方面提供了一種光投影儀系統(tǒng)。該光投影儀系統(tǒng)包括：激光源，被配置為生成向物體發(fā)送的輻射，以及圖像傳感器，被配置為接收從物體反射的輻射。該激光源包括：襯底，一個或多個***vcsel結構，一個或多個***vcsel結構在襯底的表面上，其中每個***vcsel結構具有***孔徑寬度，并且每個***vcsel結構單獨地在襯底的表面上方延伸，以及一個或多個第二vcsel結構，一個或多個第二vcsel結構在襯底的表面上，其中每個第二vcsel結構具有不同于***孔徑寬度的第二孔徑寬度。菲涅爾透鏡生產企業(yè)品牌排行榜。遠紅外透鏡材料
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可以確定在***多個vcsel結構和第二多個vcsel結構之間的孔徑寬度的大小，使得從發(fā)射的輻射生成任意數目的不同橫向激光模式和斑點模式。通過從具有不同孔徑寬度的vcsel結構發(fā)射輻射，可以降低斑點噪聲。在使用具有兩個不同孔徑寬度的兩組vcsel結構的示例中，斑點噪聲降低大約可以使用附加的vcsel結構陣列，其中每個陣列具有不同的孔徑寬度，以將斑點噪聲降低因數其中n是不同vcsel陣列的數目。接著，在操作1106，在由***和第二vscel結構發(fā)射的輻射被從物體反射出來之后，在檢測器處接收該輻射。所接收的輻射可被用來定義物體的數字3d圖像。當然，在一些實施例中，如先前結合系統(tǒng)所描述的，可以執(zhí)行附加操作。具體地，輻射可以從與***和第二多個vcsel結構布置在相同襯底上的第三多個vcsel結構發(fā)射。第三多個vcsel結構中的每個vcsel結構包括不同于***和第二多個vcsel結構的孔徑寬度的孔徑寬度，使得從第三多個vcsel結構發(fā)射的輻射產生了不同于***和第二斑點圖案的第三斑點圖案。除非一其他方式明確聲明，否則可以明白的是，諸如“處理”、“計算”、“運算”、“確定”之類的術語指的是計算機或計算系統(tǒng)或類似電子計算設備的動作和/或處理。上海紅外透鏡結構設計
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