為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明實(shí)施例提出一種用于地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值方法，該方法通過地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻及拍攝位置高程，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角、太陽(yáng)高度角、太陽(yáng)輻射強(qiáng)度、大氣光學(xué)質(zhì)量、直射輻射大氣透明度系數(shù)、直接輻射強(qiáng)度、散射輻射大氣透明度系數(shù)、散射輻射強(qiáng)度、太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)于不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算。相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。寧夏高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬AM1.5
2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；廣東上打光太陽(yáng)光譜模擬代理為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例。
5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為30～120nm。
表明了所能達(dá)到的效率上限。雖然所用的材料花費(fèi)很大，但用于制造這種電池的技術(shù)很有前途。通過降低成本和回收利用這些生長(zhǎng)基底，未來類似的產(chǎn)品可能將被推向市場(chǎng)。背景技術(shù)：在平板型太陽(yáng)能集熱器的生產(chǎn)中，往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜，以提高對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，以往使用的化學(xué)鍍膜，對(duì)環(huán)境污染大，而且對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收不好。由于在濺鍍化合物薄膜時(shí)，若直接以化合物當(dāng)作靶材，則所濺鍍出來的薄膜會(huì)與靶材成份有所差別，且因?yàn)椴煌镔|(zhì)被離子擊出的濺擊產(chǎn)額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。
以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層，成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層。在氮?dú)鈿夥障陆?jīng)500℃退火1002 h，其太陽(yáng)光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右，400℃紅外發(fā)射率約在10-11%，如圖1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。 目前國(guó)內(nèi)外研究人員積極開發(fā)基于熔融鹽（如60% KNO3+40% NaNO3）熱工質(zhì)的高溫太陽(yáng)能熱發(fā)電系統(tǒng)，其工作溫度常在550℃以上，客觀上對(duì)太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層提出了更為苛刻的要求，如何獲得600℃下具備優(yōu)異熱穩(wěn)定性的太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層是亟需攻克的難題之一。此外，膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試，結(jié)果為1級(jí)；本申請(qǐng)制備的膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率為77％～82％。吉林高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬
如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進(jìn)行。寧夏高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬AM1.5
根據(jù)τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)(9)其中，τs(α，z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)。s27，根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽(yáng)高度角，計(jì)算太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)(10)計(jì)算太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度ed(d，α，z)。s28，根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽(yáng)高度角，計(jì)算太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)計(jì)算太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度es(α，z)，k2為常系數(shù)，根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度，取值范圍通常為0.6≤k2≤0.9。s103，根據(jù)太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)寧夏高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬AM1.5
昊躍光學(xué)，2020-01-16正式啟動(dòng)，成立了天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等幾大市場(chǎng)布局，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升HYO的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。業(yè)務(wù)涵蓋了天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等諸多領(lǐng)域，尤其天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴(kuò)展，從天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等到眾多其他領(lǐng)域，已經(jīng)逐步成長(zhǎng)為一個(gè)獨(dú)特，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。值得一提的是，昊躍光學(xué)致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案，在有效降低用戶成本的同時(shí)，更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘HYO的應(yīng)用潛能。