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s25，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。s26，根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1(8)計(jì)算晴天無(wú)云條件下的直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為所述直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度，取值范圍例如可以為0.8≤k1≤0.9。撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積。湖北AM1.5太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)售

根據(jù)拍攝時(shí)刻和所地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角。s24，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)。上海購(gòu)買(mǎi)太陽(yáng)光譜模擬AM1為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體。

步驟5)中，靶材為鉻靶，功率為11kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為110sccm，氧氣流量為90sccm，制得的吸收膜的厚度為80nm；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層；步驟6)中，靶材為硅靶，功率為6kw，電壓為560v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為220sccm，氧氣流量為30sccm，制得的抗反射膜的厚度為120nm。

例如，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330和第三計(jì)算模塊340中的任意多個(gè)可以合并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)，或者其中的任意一個(gè)模塊可以被拆分成多個(gè)模塊。或者，這些模塊中的一個(gè)或多個(gè)模塊的至少部分功能可以與其他模塊的至少部分功能相結(jié)合，并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330及第三計(jì)算模塊340中的至少一個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式等硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)?；蛘?，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330及第三計(jì)算模塊340中的至少一個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計(jì)算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時(shí)，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。

經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例1制備的膜層的吸收率為94％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3％～9％；本申請(qǐng)制備的膜層的發(fā)射率為4％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％；膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試，結(jié)果為1級(jí)；采用本申請(qǐng)制備的膜層的太陽(yáng)能集熱器的熱效率為80.4％，比采用現(xiàn)有技術(shù)中膜層的太陽(yáng)能集熱器的熱效率提高了6％～8.4％。本發(fā)明未詳盡描述的方法和裝置均為現(xiàn)有技術(shù)，不再贅述。本文中應(yīng)用了具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其**思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。由于在濺鍍化合物薄膜時(shí)，若直接以化合物當(dāng)作靶材，則所濺鍍出來(lái)的薄膜會(huì)與靶材成份有所差別。陜西購(gòu)買(mǎi)太陽(yáng)光譜模擬價(jià)格

首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見(jiàn)于紅外激光器和光電探測(cè)器等應(yīng)用之中。湖北AM1.5太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)售

每層的特制材料吸收特定波長(zhǎng)**的能量。等到陽(yáng)光透過(guò)整個(gè)堆棧之時(shí)，近一半的可用能量都被轉(zhuǎn)換為了電力。相對(duì)的，目前大部分常見(jiàn)太陽(yáng)能電池只能將25%的可用能量轉(zhuǎn)換為電力。   研究***作者、喬治*華盛頓大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院研究科學(xué)家Matthew Lumb說(shuō)道：“抵達(dá)地球表面的太陽(yáng)光中99%的能量都落在250納米到2500納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)，但高效多連接太陽(yáng)能電池的傳統(tǒng)材料無(wú)法捕獲這整個(gè)光譜范圍。我們的新設(shè)備能夠解鎖存儲(chǔ)在長(zhǎng)波長(zhǎng)光子中的能量，這些是傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池力所未逮之處，從而為實(shí)現(xiàn)多連湖北AM1.5太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)售

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