下打光太陽光譜模擬AM0

來源: 發(fā)布時間:2023-03-04

近年來,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所功能薄膜與智構(gòu)器件團(tuán)隊(duì)聚焦新型金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層研發(fā),以提升熱穩(wěn)定性為抓手,在新型耐高溫金屬陶瓷材料設(shè)計、光學(xué)模擬、涂層構(gòu)筑和熱穩(wěn)定性強(qiáng)化機(jī)理研究等方面開展了一系列的工作。前期,利用金屬Al合金化Ag納米粒子,結(jié)合多靶共濺射的方法,獲得新型AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜,耐熱溫度較Ag-Al2O3(350℃)提高至500℃,在非真空條件下經(jīng)高溫長時間退火(~1000 h),光學(xué)性能非常穩(wěn)定(ACS Applied Materials Interfaces 2014, 6, 11550; Applied Surface Science 2015, 331, 285)。這種新型的基于銻化鎵的太陽能電池被組裝成堆棧式結(jié)構(gòu)。下打光太陽光譜模擬AM0

可選地,根據(jù)尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間,計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個像素對應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度,包括:以地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中的一預(yù)設(shè)點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系,根據(jù)遙感圖像尺寸,得到每個像素點(diǎn)在直角坐標(biāo)系中的坐標(biāo)(x,y);獲取每個像素點(diǎn)對應(yīng)的地理坐標(biāo)(by-1,lx-1);根據(jù)計算坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)對應(yīng)的地理經(jīng)度l(x);根據(jù)計算坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)對應(yīng)的地理緯度b(y);其中,(b0,l0)為坐標(biāo)值(0,0)為的像素點(diǎn)對應(yīng)的地理坐標(biāo),x×y為尺寸??蛇x地,根據(jù)拍攝日期,計算拍攝日期對應(yīng)的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強(qiáng)度,包括:根據(jù)計算太陽赤緯角;根據(jù)計算太陽輻射強(qiáng)度;其中,d表示計算拍攝日期在一年中所處的天數(shù),δ(d)為太陽赤緯角,e(d)為太陽輻射強(qiáng)度。下打光太陽光譜模擬AM0膜層包括6層,從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強(qiáng)化膜。

2)濺鍍制備低發(fā)射率膜:在第二真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜;3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻,反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜;

在本申請的一個實(shí)施例中,步驟2)中,靶材為銅靶,氬氣流量為50~500sccm,制得的低發(fā)射率膜的厚度為180~220nm。在本申請的一個實(shí)施例中,步驟3)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氮?dú)饬髁繛?0~100sccm,制得的緩沖膜的厚度為30~150nm。在本申請的一個實(shí)施例中,步驟4)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~500sccm,氮?dú)饬髁繛?0~200sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的過渡膜的厚度為30~100nm。在本申請的一個實(shí)施例中,步驟5)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的吸收膜的厚度為30~120nm。撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅,反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟。

HN-9332儀器的寬波長覆蓋范圍允許在整個光譜的可見區(qū)域進(jìn)行快速的“測量”光譜。然而,許多夫瑯和費(fèi)譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來詳細(xì)檢查太陽光譜的感興趣區(qū)域;例如HF-8989。02高分辨率太陽光譜下圖顯示了太陽光譜中一個特別有趣的區(qū)域。這個位于689nm附近的區(qū)域主要是由地球大氣中的氧氣引起的大地吸收。在這里,可以清楚地觀察到氧帶的R-和P-分支中的單個吸收線,較強(qiáng)的吸收線在線中心顯示~100%的吸收。左邊是一個高分辨率的太陽光譜,它是用629nm波段的HF-8989-3光譜儀拍攝的。相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上,此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。廣西上打光太陽光譜模擬購買

這種太陽能電池非常昂貴,但研究者認(rèn)為其**重要的是表明了所能達(dá)到的效率上限。下打光太陽光譜模擬AM0

步驟2)中,靶材為銅靶,功率為7kw,電壓為520v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為320sccm,制得的低發(fā)射率膜的厚度為200nm;3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻,反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;步驟3)中,靶材為鉻靶,功率為7kw,電壓為420v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為240sccm,氮?dú)饬髁繛?3sccm,制得的緩沖膜的厚度為90nm;下打光太陽光譜模擬AM0

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