遼寧AM1太陽(yáng)光譜模擬價(jià)格

表明了所能達(dá)到的效率上限。雖然所用的材料花費(fèi)很大，但用于制造這種電池的技術(shù)很有前途。通過(guò)降低成本和回收利用這些生長(zhǎng)基底，未來(lái)類(lèi)似的產(chǎn)品可能將被推向市場(chǎng)。背景技術(shù)：在平板型太陽(yáng)能集熱器的生產(chǎn)中，往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜，以提高對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，以往使用的化學(xué)鍍膜，對(duì)環(huán)境污染大，而且對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收不好。由于在濺鍍化合物薄膜時(shí)，若直接以化合物當(dāng)作靶材，則所濺鍍出來(lái)的薄膜會(huì)與靶材成份有所差別，且因?yàn)椴煌镔|(zhì)被離子擊出的濺擊產(chǎn)額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強(qiáng)化膜。遼寧AM1太陽(yáng)光譜模擬價(jià)格

膠態(tài)量子點(diǎn)具有兩大優(yōu)勢(shì)。首先是更廉價(jià)，因?yàn)樗鼈兘档土嗣客唠娏Ξa(chǎn)生的成本，但更主要的優(yōu)勢(shì)在于，只需簡(jiǎn)單改變量子點(diǎn)的大小，就能改變吸收光譜。大小容易改變且可調(diào)諧是等離子材料的屬性：通過(guò)改變等離子粒子的大小，研究人員就能將這兩種重要納米粒子的吸收和散射光譜重疊起來(lái)。   薩金特研究小組通過(guò)將金納米殼直接嵌入量子點(diǎn)吸收膜提高了太陽(yáng)能電池的效率，他們下一步將尋找利用更廉價(jià)的金屬來(lái)達(dá)成相同的目標(biāo)。美國(guó)加州大學(xué)納米系統(tǒng)研究所所長(zhǎng)保羅·維斯認(rèn)為，該項(xiàng)研究的重要性在于展示了通過(guò)調(diào)節(jié)納米粒子特性以提高太陽(yáng)能電池效率的潛力。四川AM0太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。

步驟2)中，靶材為銅靶，功率為7kw，電壓為520v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為320sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為200nm；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；步驟3)中，靶材為鉻靶，功率為7kw，電壓為420v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為240sccm，氮?dú)饬髁繛?3sccm，制得的緩沖膜的厚度為90nm；

為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱(chēng)為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進(jìn)行。相反地，如果通入過(guò)量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：這種新型的基于銻化鎵的太陽(yáng)能電池被組裝成堆棧式結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟。青海AM1.5太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)量

濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。遼寧AM1太陽(yáng)光譜模擬價(jià)格

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題針對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法，用于至少部分解決上述技術(shù)問(wèn)題。(二)技術(shù)方案本發(fā)明提供一種太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法，用于對(duì)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像進(jìn)行光補(bǔ)償，包括：獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻及拍攝位置高程；根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度；根據(jù)太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度；針對(duì)于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時(shí)間、和/或拍攝位置對(duì)應(yīng)的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，計(jì)算各自對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)總輻照強(qiáng)度相互之間的差值，得到各個(gè)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像各像素之間的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值。遼寧AM1太陽(yáng)光譜模擬價(jià)格

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