示意性示出了本發(fā)明實施例提供的操作s2計算過程流程圖，如圖2所示，該操作例如可以包括s21～s28。s21，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像中每個像素對應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度。在本實施例可行方式中，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像，選取圖像中一點為原點建立直角坐標系，例如，可以在左上角建立直角坐標系，圖像左上角向右為x軸正方向，圖像左上角向下為y軸正方向，還可以選取圖像的中心點為原點建立坐標系，向右為x軸正方向，向上為y軸正方向，具體建立坐標系的方式本發(fā)明不做限制。這樣，可以得到圖像總每一像素點的坐標值(x，y)，像素點的灰度值可用g(x，y)表示。每一像素點對應(yīng)的地理坐標為(by-1，lx-1)，該地理坐標表示該像素點**的地球上的位置在地里坐標系中用經(jīng)度和緯度表示地面點位置的球面坐標。經(jīng)檢測，本申請制備的膜層的吸收率為93％～97％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3％～9％。貴州下打光太陽光譜模擬低價
5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請的一個實施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強化膜的厚度為30～120nm。河南AM0太陽光譜模擬公司相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。
步驟2)中，靶材為銅靶，功率為7kw，電壓為520v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為320sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為200nm；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；步驟3)中，靶材為鉻靶，功率為7kw，電壓為420v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為240sccm，氮氣流量為43sccm，制得的緩沖膜的厚度為90nm；
在本申請的一個實施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為180～220nm。在本申請的一個實施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請的一個實施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請的一個實施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率提高了6％～10％。
為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進行。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進行反應(yīng)，也會在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。技術(shù)實現(xiàn)要素：這一新設(shè)備利用了聚光光伏(CPV)電池板，利用透鏡將太陽光集中到微小尺度的太陽能電池上。海南AM1.5太陽光譜模擬公司
這一新設(shè)計轉(zhuǎn)換太陽光為電力的效率是44.5%，有望成為世界上效率的太陽能電池。貴州下打光太陽光譜模擬低價
可選地，根據(jù)相對大氣光學質(zhì)量，計算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計算散射輻射大氣透明度系數(shù)，包括：根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1，計算直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，取值范圍通常為0.8≤k1≤0.9；根據(jù)τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)，其中，τs(α，z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)?？蛇x地，根據(jù)大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計算太陽直接輻射強度，包括：根據(jù)ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)計算太陽直接輻射強度ed(d，α，z)。貴州下打光太陽光譜模擬低價
昊躍光學，2020-01-16正式啟動，成立了天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠鏡等幾大市場布局，應(yīng)對行業(yè)變化，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進而提升HYO的市場競爭力，把握市場機遇，推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進步。業(yè)務(wù)涵蓋了天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠鏡等諸多領(lǐng)域，尤其天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠鏡中具有強勁優(yōu)勢，完成了一大批具特色和時代特征的電子元器件項目；同時在設(shè)計原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標準規(guī)范等方面推動行業(yè)發(fā)展。我們強化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠鏡等實現(xiàn)一體化，建立了成熟的天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠鏡運營及風險管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗，擁有一大批專業(yè)人才。值得一提的是，昊躍光學致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案，在有效降低用戶成本的同時，更能憑借科學的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘HYO的應(yīng)用潛能。