技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：(一)要解決的技術(shù)問題針對于現(xiàn)有技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種太陽光照補(bǔ)償值計(jì)算方法，用于至少部分解決上述技術(shù)問題。(二)技術(shù)方案本發(fā)明提供一種太陽光照補(bǔ)償值計(jì)算方法，用于對地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像進(jìn)行光補(bǔ)償，包括：獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻及拍攝位置高程；根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強(qiáng)度和太陽散射輻射強(qiáng)度；根據(jù)太陽直接輻射強(qiáng)度和太陽散射輻射強(qiáng)度，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽總輻照強(qiáng)度；針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時(shí)間、和/或拍攝位置對應(yīng)的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，計(jì)算各自對應(yīng)的太陽總輻照強(qiáng)度相互之間的差值，得到各個(gè)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像各像素之間的太陽光照補(bǔ)償值。反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜。河南上打光太陽光譜模擬低價(jià)
為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進(jìn)行。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：陜西AM0太陽光譜模擬AM1.5對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例。
2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；
可選地，根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計(jì)算太陽散射輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)，計(jì)算太陽散射輻射強(qiáng)度es(α，z)，k2為常系數(shù)，取值范圍通常為0.6≤k2≤0.9。(三)有益效果本發(fā)明提供一種太陽光照補(bǔ)償值計(jì)算方法，至少包括以下有益效果：通過地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽赤緯角、太陽時(shí)角、太陽高度角、太陽輻射強(qiáng)度、大氣光學(xué)質(zhì)量、直射輻射大氣透明度系數(shù)、直接輻射強(qiáng)度、散射輻射大氣透明度系數(shù)、散射輻射強(qiáng)度、太陽總輻照強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對于不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽光照補(bǔ)償值計(jì)算，并且計(jì)算復(fù)雜度低，運(yùn)行速度快，算法簡單，易于工程實(shí)現(xiàn)。雖然科學(xué)家們?yōu)榱藢?shí)現(xiàn)更具效率的太陽能電池已經(jīng)努力多年，這一方法具有兩個(gè)創(chuàng)新之處。
以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層，成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮?dú)鈿夥障陆?jīng)500℃退火1002 h，其太陽光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右，400℃紅外發(fā)射率約在10-11%，如圖1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。 目前國內(nèi)外研究人員積極開發(fā)基于熔融鹽（如60% KNO3+40% NaNO3）熱工質(zhì)的高溫太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其工作溫度常在550℃以上，客觀上對太陽光譜選擇性吸收涂層提出了更為苛刻的要求，如何獲得600℃下具備優(yōu)異熱穩(wěn)定性的太陽光譜選擇性吸收涂層是亟需攻克的難題之一。此外，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜。河南上打光太陽光譜模擬低價(jià)
在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻。河南上打光太陽光譜模擬低價(jià)
顯示的區(qū)域約1納米寬，中心在628納米左右。通過*0.7秒的單次曝光記錄太陽光譜的可見區(qū)域，演示了HN-9332光譜儀的寬波長覆蓋范圍。圖的左側(cè)部分顯示了SpectraLoK軟件直接顯示的整個(gè)425-700nm波長范圍。圖的右部分顯示了在517nm附近鎂三重態(tài)周圍連續(xù)擴(kuò)展的區(qū)域。HN-9332光譜儀的儀器分辨率比較好用頻率單位來表示——儀器波長覆蓋范圍約20GHz，對應(yīng)于425nm處約15pm、550nm處約2pμm和700nm處約30pm的分辨率。因此，圖中顯示的數(shù)據(jù)可以理解為相當(dāng)于>10000個(gè)分辨率點(diǎn)，所有這些分辨率點(diǎn)都記錄在不到1秒的單次曝光中。河南上打光太陽光譜模擬低價(jià)
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