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表明了所能達到的效率上限。雖然所用的材料花費很大，但用于制造這種電池的技術(shù)很有前途。通過降低成本和回收利用這些生長基底，未來類似的產(chǎn)品可能將被推向市場。背景技術(shù)：在平板型太陽能集熱器的生產(chǎn)中，往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜，以提高對太陽熱能的吸收，以往使用的化學鍍膜，對環(huán)境污染大，而且對太陽熱能的吸收不好。由于在濺鍍化合物薄膜時，若直接以化合物當作靶材，則所濺鍍出來的薄膜會與靶材成份有所差別，且因為不同物質(zhì)被離子擊出的濺擊產(chǎn)額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜。陜西AM0太陽光譜模擬公司

本發(fā)明實施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；內(nèi)蒙古下打光太陽光譜模擬AM0首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測器等應(yīng)用之中。

為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進行。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進行反應(yīng)，也會在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)拍攝時刻和所地理經(jīng)度，計算拍攝時刻的太陽時角。在本實施例一可行的方式中，可根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)計算太陽時角，其中，t為拍攝時刻，ω(x，t)為坐標為(x，y)的像素點在t時刻對應(yīng)的太陽時角。s24，根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角。在本實施例一可行的方式中，可根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)計算太陽高度角α(x，y，d，t)。經(jīng)檢測，本申請制備的膜層的吸收率為93％～97％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3％～9％。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當組合來實現(xiàn)。或者，根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為計算機程序模塊，當該計算機程序模塊被運行時，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。本申請制備的膜層的發(fā)射率為3％～5％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％。陜西代理太陽光譜模擬工廠

由于在濺鍍化合物薄膜時，若直接以化合物當作靶材，則所濺鍍出來的薄膜會與靶材成份有所差別。陜西AM0太陽光譜模擬公司

針對自研的太陽光譜輻照度計入射光學系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開展了實驗室余弦響應(yīng)特性測量和多種儀器的敦煌外場比對試驗.結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°時,440nm、500nm、670nm和870nm波段太陽光譜輻照度計的余弦誤差為4.3%~9.1%;由太陽光譜輻照度計獲取的直射輻照度反演得到的大氣光學厚度受到余弦誤差的嚴重影響,余弦校正前后與CE318太陽光度計反演結(jié)果相比,偏差分別為0.11~0.13和小于0.012;基于天空輻亮度各向同性分布假設(shè),余弦校正后四個波段漫射輻照度數(shù)值提升6.8%~10%.基于天空輻亮度分布數(shù)據(jù),提出了一種漫射輻照度的精確校正方法,仿真結(jié)果顯示,余弦校正后的漫射輻照度與理論數(shù)據(jù)一致,初步驗證了該方法的可行性.陜西AM0太陽光譜模擬公司

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