IPA90R340C3其他被動元件

    二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。二極管有兩個電極，正極，又叫陽極；負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通，加上反向電壓時，二極管截止。二極管的導通和截止，則相當于開關(guān)的接通與斷開[2]。二極管具有單向?qū)щ娦阅?，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。二極管是一開始誕生的半導體器件之一，其應(yīng)用非常多。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構(gòu)成不同功能的電路，可以實現(xiàn)對交流電整流、對調(diào)制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能[3]。無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡。 在未來的電子設(shè)備中，二極管將繼續(xù)發(fā)揮重要作用，推動電子技術(shù)的不斷進步。IPA90R340C3其他被動元件

    當二極管正向偏置時，即P區(qū)接正極，N區(qū)接負極，外部電場與PN結(jié)內(nèi)建電場方向相反。此時，PN結(jié)變窄，多數(shù)載流子擴散運動增強，形成較大的擴散電流，即正向電流。二極管導通，電阻很小，相當于一根導線。反之，當二極管反向偏置時，PN結(jié)變寬，多數(shù)載流子擴散運動被抑制，反向電流很小，二極管截止。這種特性使得二極管在電路中可以作為整流、檢波、穩(wěn)壓等應(yīng)用的關(guān)鍵元件。在現(xiàn)代電子電路中，二極管的應(yīng)用非常普遍。例如，在電源電路中，二極管可以將交流電轉(zhuǎn)換為直流電；在信號處理電路中，二極管可以檢波或調(diào)制信號；在保護電路中，二極管可以防止電流反向流動，保護其他電子元件不受損壞。74HC1G04GV-Q100H SOT753二極管結(jié)構(gòu)簡單，制造成本低，因此廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。

    要理解二極管的工作原理，必須從二極管的結(jié)構(gòu)說起。晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。

    二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種常見的電子器件。它有單向?qū)щ娦?，意思是如果給二極管陽極加上正向電壓時，二極管導通。如果給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管阻斷。因此，二極管的導通和阻斷，就相當于開關(guān)的接通與斷開。完全可以想象成電子版的逆止閥。二極管的作用它非常明顯的特性就是單向?qū)щ姡簿褪请娏髦豢梢詮亩O管的一個方向流過。利用這個特性，二極管可以應(yīng)用于開關(guān)電路、整流電路、限幅電路、檢波電路、穩(wěn)壓電路、變?nèi)蓦娐返雀鞣N調(diào)制電路。肖特基二極管具有低導通壓降和快速開關(guān)特性，性能優(yōu)異。

    二極管有多種類型，如普通二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管（LED）等。每種二極管都有其獨特的特性和應(yīng)用。例如，肖特基二極管具有較低的正向壓降和快速開關(guān)速度，適用于高頻電路；而LED則能將電能轉(zhuǎn)換為光能，廣泛應(yīng)用于照明和顯示領(lǐng)域。二極管的發(fā)展經(jīng)歷了多個階段，從早期的晶體二極管到現(xiàn)代的半導體二極管，其性能和可靠性不斷提高。隨著材料科學和制造技術(shù)的進步，二極管的尺寸不斷縮小，性能不斷優(yōu)化，為電子技術(shù)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。二極管的價格相對較低，使得其在電子行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用基礎(chǔ)。BUK7Y3R5-40E

在數(shù)字電路中，二極管常被用作邏輯門的基本組件，實現(xiàn)信號的邏輯運算。IPA90R340C3其他被動元件

    二極管PN結(jié)形成原理：P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 IPA90R340C3其他被動元件