云南質量半導體器件設備收費

    不需要功耗電路130升高結溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中，耗電路130接通，并且驅動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅動電流iload流過電阻器131。在溫度區(qū)域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結果，在溫度區(qū)域s1中，結溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區(qū)域s2中，由于環(huán)境溫度ta足夠高，所以結溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb，這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續(xù)關閉。結溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經(jīng)描述了率先實施例。在微控制器100中，當結溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時，功耗電路130接通，從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量。因此，結溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結果，與不提供上述配置時相比。對半導體層進行摻雜而在非原胞區(qū)上形成保護結構，以及在阱區(qū)進行摻雜而在原胞區(qū)內形成工作結構。云南質量半導體器件設備收費

    確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t，t是下限溫度。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如，邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結溫tj的傳感器。例如，溫度傳感器120被配置為包括電阻器，該電阻器的電阻根據(jù)溫度而變化。作為這樣的電阻元件，例如，使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據(jù)溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預定功率的電路。當通過來自控制器140的控制指示功耗時，功耗電路130消耗預定功率并且相應地產(chǎn)生熱量。更具體地，當從控制器140輸入指示功耗的信號時，功耗電路130通過引起預定的負載電流在功耗電路130中流動來產(chǎn)生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述。控制器140是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預定下限操作溫度的電路。具體地，控制器140獲取預定測量周期的結溫，并且當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，輸出指示功耗電路130消耗功率的信號。即，當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器140接通功耗電路130。當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時。云南建設項目半導體器件設備排行榜半導體器件通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。

    控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說，當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時，控制器140關閉功耗電路130。當結溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預定閾值時，控制器140可以接通功耗電路130。預定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此，預定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度，或者預定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度?？刂破?40包括用于對測量周期進行計數(shù)的計數(shù)器電路，并且當計數(shù)器電路指示的計數(shù)器值超過測量周期時，再次執(zhí)行功耗電路130的開/關控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時，該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經(jīng)開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示，功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130，并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應于來自控制器140的控制信號c而被切換?？刂菩盘朿對應于用于指示上述功耗的信號。

    而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的狀態(tài)的時間變化的圖。圖8是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的狀態(tài)的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅動電流之和的轉變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉變的曲線圖。如圖7所示，在根據(jù)率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅動電流狀態(tài)：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，驅動電流可以采用更多狀態(tài)。因此，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，可以實現(xiàn)根據(jù)所測量的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅動電流(即，發(fā)熱值)。因此，例如，當環(huán)境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結溫可以在幾個周期內達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結溫過度升高。提高結溫導致漏電流增加，并且因此結溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發(fā)熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結溫。功率半導體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上。

    在本實施例中，當n＝0時，即，當處理從步驟s300轉移到步驟s301時，在關閉所有功耗電路130的情況下測量結溫。在步驟s302中，診斷部分170確定測量結果是否正常。如果測量結果異常，則處理進入步驟s303，而如果測量結果正常，則處理進入步驟s304。如果所有功耗電路130都關閉，則如果沒有從溫度傳感器120獲取測量結果，或者如果沒有獲取指示預定溫度范圍(例如，定義為操作保證范圍的環(huán)境溫度的溫度范圍)的測量結果，則診斷部分170確定測量結果異常。否則，診斷部分170確定測量結果正常。當多個功耗電路130中的至少一個接通時，檢查此時獲取的結溫與上一次在步驟s301中獲取的結溫之間的差值(即，結溫的變化δtj)和與預定適當量的偏差量是否等于或小于預定閾值。當偏差超過閾值時，診斷部分170確定測量結果異常。另一方面，當偏移量不超過閾值時，診斷部分170確定測量結果正常。在步驟s303中，診斷部分170確定溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤，并且結束診斷操作。在步驟s304中，診斷部分170確定計數(shù)值n是否大于診斷數(shù)n。當計數(shù)值n大于診斷數(shù)n時，處理進入步驟s305。在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常，并且結束診斷操作。如果計數(shù)值n等于或小于n，則在步驟s304之后。在半導體器件的具體的制備工藝中，通常是在半導體襯底的非原胞區(qū)域形成場氧，以場氧為掩膜對半導體。云南建設項目半導體器件設備排行榜

半導體碳化硅材料的半導體器件用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機械臂、飛行器等多個工業(yè)領域。云南質量半導體器件設備收費

    如果所獲取的溫度小于下限溫度，則處理進行到步驟s102，而如果所獲取的溫度等于或大于下限溫度，則處理進行到步驟s103。在步驟s102中，控制器140接通功耗電路130。結果，功耗電路130產(chǎn)生熱量。控制器140重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s103中，控制器140關閉功耗電路130?？刂破?40重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s104中，控制器140確定在步驟s100中設置的測量周期是否已經(jīng)過去。也就是說，控制器140確定計數(shù)值t是否超過測量周期。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s104中的“是”)，處理進入步驟s105。在步驟s105中，控制器140確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止，而當未接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s101。圖4是作為環(huán)境溫度的函數(shù)的微控制器100的狀態(tài)的圖形表示。在圖4中，上圖是示出環(huán)境溫度ta與功耗電路130的驅動電流之間的關系的曲線圖。在圖4中，下部所示的曲線圖是示出環(huán)境溫度ta與結溫tj之間的關系的曲線圖。在圖4中，環(huán)境溫度ta過低并且因此需要功耗電路130進行結溫升高的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s1。另一方面。云南質量半導體器件設備收費

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