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    而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的狀態(tài)的時間變化的圖。圖8是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的狀態(tài)的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖。如圖7所示，在根據(jù)率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅(qū)動電流狀態(tài)：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，驅(qū)動電流可以采用更多狀態(tài)。因此，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，可以實現(xiàn)根據(jù)所測量的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅(qū)動電流(即，發(fā)熱值)。因此，例如，當環(huán)境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結溫可以在幾個周期內(nèi)達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結溫過度升高。提高結溫導致漏電流增加，并且因此結溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發(fā)熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結溫。功率半導體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上。山西質(zhì)量半導體器件設備批量定制

    第三實施例接下來，將描述第三實施例。圖9是示出根據(jù)第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據(jù)第二實施例的微控制器200的不同之處在于，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170。在下文中，將描述與第二實施例的不同點，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述?？刂破?60與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數(shù)目(即，操作的功耗電路130的數(shù)目)。具體地，在診斷部分170隨著功耗電路130的數(shù)目的變化而執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數(shù)目。例如，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執(zhí)行診斷的同時改變數(shù)目以增加要操作的功耗電路130的數(shù)目。具體地，當診斷部分170執(zhí)行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0，然后將要操作的功耗電路130設置為1。此后。河南建設項目半導體器件設備管理半導體器件設備為了與集成電路相區(qū)另，有時也稱為分立器件。

    其中d1圖6是示出與微控制器200中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執(zhí)行。在步驟s200中，如在圖3的步驟s100中，設定測量周期和結溫的下限。在步驟s200之后，處理進入步驟s201。在步驟s201中，測量結溫。也就是說，控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。在步驟s201之后，處理進入步驟s202。在步驟s202中，控制器150根據(jù)在步驟s201中獲取的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數(shù)目。因此，在當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，產(chǎn)生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結溫等于或大于預定閾值時，控制器150關閉所有功耗電路130。在步驟s202中，控制器150重置計數(shù)器的計數(shù)t。在步驟s202之后，處理進入步驟s203。在步驟s203中，類似于圖3中的步驟s104，控制器150確定在步驟s200中設置的測量周期是否已經(jīng)過去。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s203中的“是”)，處理進入步驟s204。在步驟s204中，如在圖3的步驟s105中，控制器150確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止。

    圖12是示出根據(jù)第四實施例的微控制器400的示例性配置的框圖。微控制器400與根據(jù)第三實施例的微控制器300的不同之處在于，增加了電流變化控制電路180。在以下描述中，將描述與第三實施例的不同點，并且將省略對與第三實施例相同的點的描述。電流變化控制電路180控制功耗電路130消耗預定功率，同時暫時停止邏輯塊110中包括的電路的操作。由于邏輯塊110中的暫時停止導致的電流的明顯減小可能導致電源電壓的變化。例如，如果由于流水線停頓而暫時停止執(zhí)行邏輯塊110中的cpu的操作的指令，則在該時間期間電流量急劇減少，結果，電源電壓波動。因此，電流變化控制電路180通過引起負載電流流過功耗電路130來抑制微控制器400中的負載電流的變化，例如，在邏輯塊110的操作停止時。結果，電流變化控制電路180抑制電源電壓的變化。也就是說，在本實施例中，耗電路130用于強制升高結溫，并且用于抑制邏輯塊110消耗的功率的變化。在本實施例中，如在第二實施例中，控制器160在微控制器400被開啟時控制功耗電路130。當結溫達到邏輯塊110的下限溫度并且邏輯塊110開始操作時，在電流變化控制電路180的控制下控制功耗電路130接通和斷開。在啟動時。半導體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設備,屬于半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關重要。

    在本實施例中，當n＝0時，即，當處理從步驟s300轉(zhuǎn)移到步驟s301時，在關閉所有功耗電路130的情況下測量結溫。在步驟s302中，診斷部分170確定測量結果是否正常。如果測量結果異常，則處理進入步驟s303，而如果測量結果正常，則處理進入步驟s304。如果所有功耗電路130都關閉，則如果沒有從溫度傳感器120獲取測量結果，或者如果沒有獲取指示預定溫度范圍(例如，定義為操作保證范圍的環(huán)境溫度的溫度范圍)的測量結果，則診斷部分170確定測量結果異常。否則，診斷部分170確定測量結果正常。當多個功耗電路130中的至少一個接通時，檢查此時獲取的結溫與上一次在步驟s301中獲取的結溫之間的差值(即，結溫的變化δtj)和與預定適當量的偏差量是否等于或小于預定閾值。當偏差超過閾值時，診斷部分170確定測量結果異常。另一方面，當偏移量不超過閾值時，診斷部分170確定測量結果正常。在步驟s303中，診斷部分170確定溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤，并且結束診斷操作。在步驟s304中，診斷部分170確定計數(shù)值n是否大于診斷數(shù)n。當計數(shù)值n大于診斷數(shù)n時，處理進入步驟s305。在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常，并且結束診斷操作。如果計數(shù)值n等于或小于n，則在步驟s304之后。半導體器件通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。浙江國內(nèi)半導體器件設備24小時服務

半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等。山西質(zhì)量半導體器件設備批量定制

    控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說，當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時，控制器140關閉功耗電路130。當結溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預定閾值時，控制器140可以接通功耗電路130。預定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此，預定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度，或者預定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度?？刂破?40包括用于對測量周期進行計數(shù)的計數(shù)器電路，并且當計數(shù)器電路指示的計數(shù)器值超過測量周期時，再次執(zhí)行功耗電路130的開/關控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時，該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經(jīng)開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示，功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130，并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應于來自控制器140的控制信號c而被切換?？刂菩盘朿對應于用于指示上述功耗的信號。山西質(zhì)量半導體器件設備批量定制

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