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鋯、鉿的提取與分離鋯在地殼中的含量為162ppm，海水中為2.6×10-5ppm，比銅、鋅和鉛的總量還多，但分布非常分散。主要礦物為斜鋯石（ZrO2）和鋯英石（ZrSiO4）。鉿在地殼中的含量為2.8ppm，海水中<0.008ppm，沒有獨自的礦物，在自然界中常與鋯共生，存在于鋯礦石中，鉿與鋯原子比為0.02。鋯、鉿的化學性質與鈦相似，在高溫下極易與氧、氮等非金屬元素化合，而且鋯與鉿的性質又極為相似，因此純金屬的制取較困難。由于原子能工業(yè)的需要，對它們的提取和分離曾進行過許多研究，方法較多，工業(yè)上通常采用與制金屬鈦相似的克魯爾（Kroll）法，即用氯化物的鎂還原法制得粗金屬。再用碘化物熱分解法制純金屬。四氯化鉿四氯化鉿是什么？有什么作用？重慶高純四氯化鉿市面價

超導材料超導材料在電動機、變壓器和磁懸浮列車等領域有著巨大的市場，如用超導材料制造電機可增大極限輸出量20倍，減輕重量90%。超導材料的研制，關鍵在于提高材料的臨界溫度，若此問題得到解決，則會使許多領域產生重大變化?？茖W家在超導材料上有不少新收獲，相繼發(fā)現了臨界溫度更訓的新型超導材料，使人類朝著開發(fā)室溫超導材料邁出了一大步。在日本，有人發(fā)現二硼化鎂可在－234℃成為超導體，這是迄今為止發(fā)現臨界溫度特別高的金屬化合物超導體。由于二硼化鎂的發(fā)現，使世界凝聚態(tài)物理學界為之振奮。由于二硼化鎂超導體易合成、易加工，很容易制成薄膜或線材，因而應用前景看好。美國科學家在研制更具實用性超導材料方面取得了明顯的進展，并開始進入實用階段。美國底物律的福瑞斯比電站在地下鋪設了360多米的超導電纜，電纜中123kg重的導線是由含鉍、鍶、鈣、銅的氧化物超導瓷制造的。這是世界上實用的超導輸電線路。我國在高溫超導產業(yè)化技術上也獲得了重大突破，已有高溫超導線材生產線投產。據估計，到2010年超導產品可有1000億美元的市場。但應當指出的是，除超導材料以外，還有許多配套技術需要解決，同時還要繼續(xù)研究開發(fā)高溫超導體，如室溫超導材料。

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納米材料展現了異常的力學、電學、磁學、光學特性、敏感特性和催化以及光活性，為新材料的發(fā)展開辟了一個嶄新的研究和應用領域。納米技術在精細陶瓷、微電子學、生物工程、化工、醫(yī)學等領域的成功應用及其廣闊的應用前景使得納米材料及其技術成為目前科學研究的熱點之一，被認為是世紀的又一次產業(yè)**。納米材料向國民經濟和高新科技等各個領域的滲透以及對人類社會的進步的影響是難以估計的。納米材料和納米結構無論在自然界還是在工程界都不是新生事物。在自然界存在大量的天然納米結構，只不過在透射電鏡的應用以前人們沒有發(fā)現而已。

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美國ibm公司的科研人員，在2001年4月，用碳納米管制造出了晶體管，這一利用電子的波性，而不是常規(guī)導線實現傳遞住處的技術突破，有可能導致更快更小的產品出現，并可能使現有的硅芯片技術逐漸被淘汰。在碳納米管研究方興未艾的同時，納米事業(yè)的新秀－－“納米帶”又問世了。在美國佐治亞理工學院工作的三位中國科學家2001年初利用高溫氣體固相法，在世界上合成了半導體化物納米帶狀結構。這是繼發(fā)現多壁碳納米管和合成單壁納米管以來，一維納米材料合成領域的又一大突破。這種納米帶的橫截面是一個窄矩形結構，帶寬為30～300mm，厚度為5～10nm，而長度可達幾毫米，是迄今為止合成的惟一具有結構可控且無缺陷的寬帶半導體準一維帶狀結構。已經成功合成了氧化錫、氧化銦、氧化隔等材料納米帶。由于半導體氧化物納米帶克服了碳納米管的不穩(wěn)定性和內部缺陷問題，具有比碳納米管更獨特和優(yōu)越的結構及物理性能，因而能夠更早地投入工業(yè)生產和商業(yè)開發(fā)四氯化鉿在國外多少錢。海南質量四氯化鉿供應

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國際半導體技術發(fā)展趨勢(ITRS)預測未來45納米節(jié)點上的高性能晶體管的有效柵氧厚度（EOT）將小于1.0納米。隨著有效柵氧厚度（EOT）小于2.0納米,多晶硅柵電極的耗盡效應將成為一道擺在工程師面前難以逾越的鴻溝,于是生產中使用幾乎完全沒有耗盡效應的金屬柵電極將是大勢所趨。而且值得一提的是當有效柵氧厚度（EOT）進入這一范圍后,柵氧與硅之間交接面的質量將會明顯影響器件的性能。另外,將高介電常數絕緣材料和兩種不同功函數的金屬柵電極引入nMOS和pMOS晶體管的制造流程是非常復雜的。本文針對當今業(yè)界在生產雙金屬柵結構CMOS器件中使用的高介電常數絕緣材料表面預處理工藝及金屬濕法刻蝕技術等領域取得的成就和存在的問題進行了總結與展望，重慶高純四氯化鉿市面價

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