有口碑的氧化鉿純度

來源: 發(fā)布時間:2021-11-03

氧化鉿是一種化學(xué)物質(zhì),分子式是HfO?。中文名氧化鉿,外文名:Hafnium(IV)oxide,中文別名氧化鉿(IV),CAS:12055-23-1,EINECS:235-013-2,分子量:210.4888,毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面:刺激皮膚和粘膜在眼睛上面:刺激的影響致敏作用:沒有已知的敏化現(xiàn)象。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。合成方法當(dāng)加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用途用于光譜分析及催化劑體系,耐熔材料。氧化鉿的生產(chǎn)方法有那些?有口碑的氧化鉿純度

性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。 陜西氧化鉿環(huán)境危害氧化鉿薄膜的特性與應(yīng)用?

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,捕獲中子的能力強,化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時,對光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。

氧化鉿性質(zhì)熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學(xué)物質(zhì)信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿(HfO2)是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,一種是無定型狀態(tài),另外兩種為晶體。在<400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃,開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。氧化鉿的中文別稱有哪些?

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***,氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃,基片溫度~250℃,蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,干涉膜氧化鉿是怎么制備而來的?江西西隴氧化鉿

氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)有哪些?有口碑的氧化鉿純度

文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS號:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS號:235-013-2有口碑的氧化鉿純度