性質白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。
應用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。 氧化鉿的安全操作的注意事項？上海氧化鉿市面價
產品特點：白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和9.68g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。氧化鉿 性質熔點 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。產品應用：二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。天津氧化鉿的價格氧化鉿薄膜的特性與應用？
性質氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解。Chemicalbook化學反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。
物性數(shù)據(jù)1.性狀：白色粉末。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定4.熔點（oC）：21825.沸點（oC,常壓）：未確定6.沸點（oC，1mmHg）：未確定7.折射率：未確定8.閃點（oC）：未確定9.比旋光度（o）：未確定10.自燃點或引燃溫度（oC）：未確定11.蒸氣壓（20oC）：未確定12.飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定13.燃燒熱（KJ/mol）：未確定14.臨界溫度（oC）：未確定15.臨界壓力（KPa）：未確定16.油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：未確定17.上限（%,V/V）：未確定18.下限（%,V/V）：未確定19.溶解性：未確定氧化鉿是怎么制備而來的？
氧化鉿更多1.性狀：白色粉末。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定4.熔點（oC）：21825.沸點（oC,常壓）：未確定6.沸點（oC，1mmHg）：未確定7.折射率：未確定8.閃點（oC）：未確定9.比旋光度（o）：未確定10.自燃點或引燃溫度（oC）：未確定11.蒸氣壓（20oC）：未確定12.飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定13.燃燒熱（KJ/mol）：未確定14.臨界溫度（oC）：未確定15.臨界壓力（KPa）：未確定16.油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：未確定17.上限（%,V/V）：未確定18.下限（%,V/V）：未確定19.溶解性：未確定氧化鉿的海關編碼是多少？四川高純氧化鉿
氧化鉿的 共價鍵單元數(shù)量？上海氧化鉿市面價
氧化鉿是一種化學物質，分子式是HfO?。中文名氧化鉿，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文別名氧化鉿(IV)，CAS:12055-23-1，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888，毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象。性質與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。上海氧化鉿市面價