常熟新型可控硅模塊聯(lián)系方式

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-24

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體,功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能,功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet,常簡(jiǎn)寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡(jiǎn)寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡(jiǎn)寫psoc),它能把傳感器件與電路、信號(hào)處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過(guò)熱、過(guò)壓、過(guò)流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國(guó)際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;常熟新型可控硅模塊聯(lián)系方式

常熟新型可控硅模塊聯(lián)系方式,可控硅模塊

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形??煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,具有無(wú)火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個(gè)電極。常熟新型可控硅模塊聯(lián)系方式在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。

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可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好;第二是當(dāng)陰極和陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷,不導(dǎo)通;第三是當(dāng)控制極開路時(shí),陽(yáng)極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通;第四是給控制極加上正向電流,給陰極和陽(yáng)極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉,仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻,就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體方法是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極和陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無(wú)窮大,說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。

雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端:Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來(lái)命名雙向可控硅。**型號(hào)如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅;Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),如:可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。

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大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱晶閘管T,又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。大;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。虎丘區(qū)好的可控硅模塊報(bào)價(jià)

按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。常熟新型可控硅模塊聯(lián)系方式

單向可控硅和雙向可控硅,都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極(K)、陽(yáng)極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。?1、單、雙向可控硅的判別:先任測(cè)兩個(gè)極,若正、反測(cè)指針均不動(dòng)(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對(duì)單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對(duì)雙向可控硅)。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。?常熟新型可控硅模塊聯(lián)系方式

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