離子束光刻技術可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補傳統及相位轉移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術類似，不需要掩膜板，應用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強，因此具有更好的分辨率。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經由外層為液態(tài)金屬表面產生的場使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm），因此利用離子光學系統可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細微離子束，從而進行高分辨率的離子束曝光。有機-無機雜化光刻膠被認為是實現10nm以下工業(yè)化模式的理想材料。浙江光刻膠其他助劑
此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術。深紫外光由于波長更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF、ArF等稀有氣體鹵化物準分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技術開始成熟并投入實際使用。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強烈吸收效應，KrF和ArF作為光刻氣體產生的射光無法穿透DQN光刻膠，這意味著光刻分辨率會受到嚴重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術體系，這種技術體系被稱為化學放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。昆山光交聯型光刻膠光引發(fā)劑光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關系，市場新進入者很難與現有企業(yè)競爭，簽約新客戶的難度高。
光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領域，是典型的技術密集行業(yè)。從事微電子化學品業(yè)務需要具備與電子產業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關鍵生產技術，如混配技術、分離技術、純化技術以及與生產過程相配套的分析檢驗技術、環(huán)境處理與監(jiān)測技術等。同時，下游電子產業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學品生產企業(yè)有較強的配套能力，以及時研發(fā)和改進產品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級的黃光區(qū)潔凈房進行混合，在氮氣氣體保護下充分攪拌，使其充分混合形成均相液體，經過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗，使其達到工藝技術和質量要求，然后做產品檢驗，合格后在氮氣氣體保護下包裝、打標、入庫。
質量控制技術：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產品的質量穩(wěn)定。原材料技術：光刻膠是一種經過嚴格設計的復雜、精密的配方產品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質的原料，通過不同的排列組合，經過復雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質對光刻膠的質量起著關鍵作用。對于半導體化學化學試劑的純度，際半導體設備和材料組織（SEMI）制定了國際統一標準。半導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉法和動態(tài)噴灑法。
目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。當今，中國通過國家集成電路產業(yè)投資基金（大基金）撬動全社會資源對半導體產業(yè)進行投資和扶持。同時，國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現了技術突破。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。浦東光分解型光刻膠單體
從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。浙江光刻膠其他助劑
光刻膠屬于半導體八大重要材料之一，根據全球半導體行業(yè)協會（SEMI）近期數據，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構成。浙江光刻膠其他助劑
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