目前國內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線、g線光刻膠生產(chǎn)為主，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華、博康已實現(xiàn)量產(chǎn)。國內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進程相對較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔(dān)國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。浦東i線光刻膠其他助劑
受制于國內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平，目前我國前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平。盡管國內(nèi)光刻膠市場保持良好的增長趨勢，但以KrF、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國內(nèi)市場份額仍然較小，前沿光刻膠市場長期為國外巨頭所壟斷。從技術(shù)水平來看，目前中國本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國際先進水平存在明顯差距，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低。具體而言，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國產(chǎn)化率為10%，而ArF/KrF光刻膠的國產(chǎn)化率為1%，對于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段。蘇州光聚合型光刻膠顯影光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實力雄厚，國內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗。
質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合，經(jīng)過復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。
光刻膠屬于半導(dǎo)體八大重要材料之一，根據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數(shù)據(jù)，光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構(gòu)成。光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系，市場新進入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競爭，簽約新客戶的難度高。
光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度高。其中，日本 JSR、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司，如杜邦、JSR 株式會社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。在選擇光刻膠時需要考慮化學(xué)性質(zhì)、照射時間、敏感度和穩(wěn)定性等因素，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求。昆山顯示面板光刻膠單體
經(jīng)過多年技術(shù)積累，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能，國內(nèi)公司市場份額逐步提升，國產(chǎn)替代正在進行。浦東i線光刻膠其他助劑
在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，就可以節(jié)省一次刻蝕，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射，在兩次曝光過程后，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯誤的光刻反應(yīng)。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0，那么就是一次合格的雙重曝光。從這個例子可以看出，與單次曝光不同，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強度之間的權(quán)衡。浦東i線光刻膠其他助劑
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