華東g線(xiàn)光刻膠曝光

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過(guò)滴膠頭堆積在硅片的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開(kāi)，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿(mǎn)足新型的硅片加工需求。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開(kāi)始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行**初的擴(kuò)散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿(mǎn)足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。氧化物型光刻膠：這種類(lèi)型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用。華東g線(xiàn)光刻膠曝光

目前國(guó)內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線(xiàn)、g線(xiàn)光刻膠生產(chǎn)為主，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔(dān)國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國(guó)內(nèi)通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠，其他國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段。江蘇光交聯(lián)型光刻膠光引發(fā)劑有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料。

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高、功能性強(qiáng)、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn)，其產(chǎn)品品質(zhì)對(duì)下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響。因此，下游企業(yè)對(duì)微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視，常采用認(rèn)證采購(gòu)的模式，需要通過(guò)送樣檢驗(yàn)、技術(shù)研討、信息回饋、技術(shù)改進(jìn)、小批試做、大批量供貨、售后服務(wù)評(píng)價(jià)等嚴(yán)格的篩選流程。認(rèn)證時(shí)間久，要求嚴(yán)苛；一般產(chǎn)品得到下游客戶(hù)的認(rèn)證需要較長(zhǎng)的時(shí)間周期。顯示面板行業(yè)通常為1-2年，集成電路行業(yè)由于要求較高，認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時(shí)間；認(rèn)證階段內(nèi)，光刻膠供應(yīng)商沒(méi)有該客戶(hù)的收入，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力。光刻膠供應(yīng)商與客戶(hù)粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定，下游客戶(hù)與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會(huì)輕易更換。通過(guò)建立反饋機(jī)制，滿(mǎn)足個(gè)性化需求，光刻膠供應(yīng)商與客戶(hù)的粘性不斷增加。后來(lái)者想要加入到供應(yīng)商行列，往往需要滿(mǎn)足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高。

光刻膠（Photoresist）又稱(chēng)光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性、負(fù)性?xún)纱箢?lèi)。在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線(xiàn)膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè) 。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè)，目前主要技術(shù)主要掌握在日、美等國(guó)際大公司手中，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中。

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國(guó)持續(xù)增長(zhǎng)的下游需求和政策支持力度。同時(shí)，國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠(chǎng)具有伴生性特點(diǎn)，國(guó)內(nèi)光刻膠廠(chǎng)商將直接受益于晶圓廠(chǎng)制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。當(dāng)前我國(guó)光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國(guó)內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對(duì)光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家學(xué)習(xí)，努力開(kāi)發(fā)出性能優(yōu)異的國(guó)產(chǎn)光刻膠，使我國(guó)在未來(lái)的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。江蘇光聚合型光刻膠溶劑

在平板顯示行業(yè)；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。華東g線(xiàn)光刻膠曝光

日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化是必然趨勢(shì)；2019年7月份，在日韓貿(mào)易爭(zhēng)端的背景下，日本宣布對(duì)韓國(guó)實(shí)施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運(yùn)，包含刻蝕氣體，光刻膠和氟聚酰亞胺。韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地，顯示屏生產(chǎn)基地，也是全球晶圓代工基地，三星，海力士，東部高科等一大批晶圓代工廠(chǎng)和顯示屏廠(chǎng)都需要日本的半導(dǎo)體材料。這三種材料直接掐斷了韓國(guó)存儲(chǔ)器和顯示屏的經(jīng)濟(jì)支柱。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴(lài)較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。華東g線(xiàn)光刻膠曝光

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