美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái)，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起。然后，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。普陀TFT-LCD正性光刻膠光致抗蝕劑
靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光，正膠較慢，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3~4倍 。靈敏度反映了光刻膠材料對(duì)某種波長(zhǎng)的光的反應(yīng)程度。不同的光刻膠對(duì)于不同的波長(zhǎng)的光是有選擇性的。比如248 nm波長(zhǎng)光刻膠的成膜樹(shù)脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu)，對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光具有很強(qiáng)的吸收作用，即對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光是不透明的，因此193 nm光刻膠必須改變樹(shù)脂主體。同時(shí)，高的產(chǎn)出要求短的曝光時(shí)間，對(duì)光刻膠的靈敏度要求也越來(lái)越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo)，曝光劑量值越小，光刻膠的靈敏度越高。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻膠材料，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對(duì)比度曲線上。江蘇光刻膠樹(shù)脂以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。
歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì)。不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長(zhǎng)**短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此很早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國(guó)科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長(zhǎng)的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來(lái)。
光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹(shù)脂、光敏劑等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試等設(shè)備供應(yīng)商。從原材料市場(chǎng)來(lái)看，由于中國(guó)從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應(yīng)商較少，中國(guó)光刻膠原材料市場(chǎng)主要被日本、韓國(guó)和美國(guó)廠商所占據(jù)。從設(shè)備市場(chǎng)來(lái)看，中國(guó)在光刻機(jī)、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備行業(yè)的起步時(shí)間較晚，且這些設(shè)備具備較高的制造工藝壁壘，導(dǎo)致中國(guó)在光刻膠、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化程度均低于10%。相信后期國(guó)產(chǎn)化程度會(huì)越來(lái)越高。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類(lèi)型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。
目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。當(dāng)今，中國(guó)通過(guò)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）撬動(dòng)全社會(huì)資源對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行投資和扶持。同時(shí)，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。蘇州光聚合型光刻膠曝光
光刻膠下游為印刷電路板、顯示面板和電子芯片，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域。普陀TFT-LCD正性光刻膠光致抗蝕劑
黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān)，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 。作為刻蝕阻擋層，光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好，才能夠忠實(shí)地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的黏附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝（刻蝕、離子注入等）。通常負(fù)膠比正膠有更強(qiáng)的黏結(jié)能力。
表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋。 普陀TFT-LCD正性光刻膠光致抗蝕劑
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