美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結合起來，創(chuàng)造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質內部的微小分子孔擴散，與聚合物鏈內部的化學物質結合到一起。然后，他們引入了另一種前驅物（例如水），與前驅物反應形成PMMA基體內部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠遠高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。普陀TFT-LCD正性光刻膠光致抗蝕劑
靈敏度即光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢，其曝光時間為負膠的3~4倍 。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應程度。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結構，對193 nm波長的光具有很強的吸收作用，即對193 nm波長的光是不透明的，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體。同時，高的產出要求短的曝光時間，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標，曝光劑量值越小，光刻膠的靈敏度越高。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻膠材料，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對比度曲線上。江蘇光刻膠樹脂以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。
歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫將這兩種波長的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術命名的由來。
光刻膠的產業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹脂、光敏劑等原材料供應商和光刻機、顯影機、檢測與測試等設備供應商。從原材料市場來看，由于中國從事光刻膠原材料研發(fā)及生產的供應商較少，中國光刻膠原材料市場主要被日本、韓國和美國廠商所占據(jù)。從設備市場來看，中國在光刻機、顯影機、檢測與測試設備行業(yè)的起步時間較晚，且這些設備具備較高的制造工藝壁壘，導致中國在光刻膠、顯影機、檢測與測試設備的國產化程度均低于10%。相信后期國產化程度會越來越高。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。
目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。當今，中國通過國家集成電路產業(yè)投資基金（大基金）撬動全社會資源對半導體產業(yè)進行投資和扶持。同時，國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現(xiàn)了技術突破。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。蘇州光聚合型光刻膠曝光
光刻膠下游為印刷電路板、顯示面板和電子芯片，廣泛應用于消費電子、航空航天等領域。普陀TFT-LCD正性光刻膠光致抗蝕劑
黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力。它不僅與光刻膠本身的性質有關，而且與襯底的性質和其表面情況等有密切關系 。作為刻蝕阻擋層，光刻膠層必須和晶圓表面黏結得很好，才能夠忠實地把光刻層圖形轉移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的黏附性必須經受住后續(xù)工藝（刻蝕、離子注入等）。通常負膠比正膠有更強的黏結能力。
表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。 普陀TFT-LCD正性光刻膠光致抗蝕劑
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