蘇州KrF光刻膠集成電路材料

來源: 發(fā)布時間:2023-08-13

伴隨全球半導體產(chǎn)業(yè)東移,加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時,國內(nèi)晶圓廠進入投產(chǎn)高峰期,由于半導體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點,國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴張。當前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距,半導體國產(chǎn)化的大趨勢下,國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠,所以必須要對光刻膠足夠的重視,不斷向日本和歐美等發(fā)達國家學習,努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠,使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地。在PCB行業(yè):主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。蘇州KrF光刻膠集成電路材料

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫(>150℃)而不改變其原有特性  。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  。在濕法刻蝕中,印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學刻蝕液中,進行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性,才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中,例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時,需要有較好的保護電路圖形的能力,否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用,器件的電路性能受阻。浦東干膜光刻膠按曝光波長可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠、極紫外光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學品有技術(shù)要求高、功能性強、產(chǎn)品更新快等特點,其產(chǎn)品品質(zhì)對下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響。因此,下游企業(yè)對微電子化學品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視,常采用認證采購的模式,需要通過送樣檢驗、技術(shù)研討、信息回饋、技術(shù)改進、小批試做、大批量供貨、售后服務(wù)評價等嚴格的篩選流程。認證時間久,要求嚴苛;一般產(chǎn)品得到下游客戶的認證需要較長的時間周期。顯示面板行業(yè)通常為1-2年,集成電路行業(yè)由于要求較高,認證周期能達到2-3年時間;認證階段內(nèi),光刻膠供應(yīng)商沒有該客戶的收入,這需要供應(yīng)收有足夠的資金實力。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大;一般情況下,為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后,不會輕易更換。通過建立反饋機制,滿足個性化需求,光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應(yīng)商行列,往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高。

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,重氮萘醌成分(DQN 體系)作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后,重氮萘醌(DQN)基團轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩c水接觸時,進一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時除去。由此,曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除,而未曝光的光刻膠部分則得以保留。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似,但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,而i-line光刻膠使用于0.35um(350nm至0.5um(500nm)尺寸的集成電路制作。在集成電路制造領(lǐng)域,如果說光刻機是推動制程技術(shù)進步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅膜烘烤、顯影檢查等工序。在光刻過程中,光刻膠被均勻涂布在襯底上,經(jīng)過曝光、顯影與刻蝕等工藝,將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%,耗時占整個芯片工藝的40-50%,是半導體制造中重要的工藝。隨著半導體制程不斷縮小,光刻工藝對光刻膠要求逐步提高,需求量也隨之增加。從全球市場來看,專注電子材料市場研究的TECHCET預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導體制造光刻膠市場規(guī)模將同比增長11%,達到19億美元。光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,受到光照后特性會發(fā)生改變,主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。蘇州光刻膠單體

中國半導體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。蘇州KrF光刻膠集成電路材料

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