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EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的進(jìn)展。由于目前可供利用的光學(xué)材料無法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射,因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV(極紫外光)光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn)。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長(zhǎng)尺度上,量子的不確定性效應(yīng)開始顯現(xiàn),為相應(yīng)光源,光罩和光刻膠的設(shè)計(jì)和使用帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。目前 EUV 光刻機(jī)只有荷蘭 ASML 有能力制造,許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知。在即將到來的 EUV 光刻時(shí)代,業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長(zhǎng)達(dá) 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉砑夹g(shù)變革。光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料,是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。華東LCD觸摸屏用光刻膠光引發(fā)劑
環(huán)化橡膠型光刻膠:屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后,用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說,橡膠具有較好的耐腐蝕性,但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上,因此溶解性甚低,無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑,又稱架橋劑,可以起到光化學(xué)固化作用,依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng),交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基,它和聚烴類樹脂相作用,在聚合物分子鏈之間形成橋鍵,變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。江浙滬g線光刻膠集成電路材料光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。
離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多,常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板;離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+,以鏤空式模板,縮小投影(4~5倍) 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似,不需要掩膜板,應(yīng)用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強(qiáng),因此具有更好的分辨率。液態(tài)金屬離子源為較簡(jiǎn)單的曝光源:在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金,加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場(chǎng)使離子發(fā)射,其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm),因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束,從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光。
光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額,行業(yè)集中度高。其中,日本 JSR、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷,產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司,如杜邦、JSR 株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm,以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來看,日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前,我國(guó)光刻膠自給率較低,生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品,國(guó)產(chǎn)替代的空間廣闊。
在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè);主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過程中,一般要對(duì)硅片進(jìn)行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中,光刻膠都要通過預(yù)烘、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),將光罩(掩膜版)上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。
光刻膠是集成電路制造的重要材料:光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場(chǎng)巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料。 光刻膠的組成部分包括:光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。普陀顯示面板光刻膠光致抗蝕劑
按顯示效果分類:光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。華東LCD觸摸屏用光刻膠光引發(fā)劑
世界各國(guó)對(duì)環(huán)境保護(hù)和綠色發(fā)展的重視程度日益提升,出臺(tái)了很多環(huán)境方面的政策、法規(guī),同時(shí)環(huán)境執(zhí)法力度也在逐步提高,化工私營(yíng)獨(dú)資企業(yè)企業(yè)需要積極探索綠色低碳、安全環(huán)保的技術(shù),加強(qiáng)與信息化技術(shù)融合,盡可能地發(fā)展環(huán)保型產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)清潔生產(chǎn),并在節(jié)約能源和資源方面,采用工藝技術(shù),降低原材料消耗;配備廢水、廢氣、廢固處理設(shè)備,極大限度地降低三廢排放量,增加節(jié)水措施,提高水的重復(fù)利用率等??梢哉f,“綠色化工”已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展潮流。乙醇胺,乙二胺,丙二醇,己二酸二辛脂的發(fā)展任務(wù)是提升示范升級(jí)水平、解決環(huán)保問題,關(guān)注競(jìng)爭(zhēng)力,努力實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展。乙醇胺,乙二胺,丙二醇,己二酸二辛脂領(lǐng)域市場(chǎng)前景好,發(fā)展成長(zhǎng)性好,技術(shù)含量高,具有帶領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的作用。是發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ),也是傳統(tǒng)石化和化工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)和發(fā)展的重要方向。隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)邁入新時(shí)代,化工行業(yè)在增強(qiáng)供給、高級(jí)供給和高質(zhì)量供給上持續(xù)發(fā)力,也將面臨如何努力正確探索平穩(wěn)健康運(yùn)行和高質(zhì)量發(fā)展的新機(jī)遇。華東LCD觸摸屏用光刻膠光引發(fā)劑
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