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根據(jù)2019年數(shù)據(jù),全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)87%份額。其中日本占有四家,分別是JSR、東京應(yīng)化(TOK)、信越化學(xué)與富士電子材料,這四家的市場(chǎng)份額達(dá)到72%,市場(chǎng)集中度明顯。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,日本廠商在市場(chǎng)中具有較強(qiáng)話語(yǔ)權(quán)。(1)g/i線光刻膠市場(chǎng):日本的東京應(yīng)化、JSR、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%、15%、15%、8%的份額,在全球市場(chǎng)占據(jù)64%份額。(2)KrF光刻膠市場(chǎng):日本企業(yè)東京應(yīng)化、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)分別占據(jù)34%、22%和18%份額,合計(jì)占比達(dá)到74%。(3)ArF光刻膠市場(chǎng):日本企業(yè)JSR、信越化學(xué)、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四,分別占據(jù)全球ArF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)25%、23%、20%和15%市場(chǎng)份額,合計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)到83%。(4)EUV光刻膠市場(chǎng):較先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo),日本JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺(tái)積電兩家公司。氧化物型光刻膠:這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用。嘉定g線光刻膠顯示面板材料
包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高、功能性強(qiáng)、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn),其產(chǎn)品品質(zhì)對(duì)下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響。因此,下游企業(yè)對(duì)微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視,常采用認(rèn)證采購(gòu)的模式,需要通過(guò)送樣檢驗(yàn)、技術(shù)研討、信息回饋、技術(shù)改進(jìn)、小批試做、大批量供貨、售后服務(wù)評(píng)價(jià)等嚴(yán)格的篩選流程。認(rèn)證時(shí)間久,要求嚴(yán)苛;一般產(chǎn)品得到下游客戶的認(rèn)證需要較長(zhǎng)的時(shí)間周期。顯示面板行業(yè)通常為1-2年,集成電路行業(yè)由于要求較高,認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時(shí)間;認(rèn)證階段內(nèi),光刻膠供應(yīng)商沒有該客戶的收入,這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大;一般情況下,為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后,不會(huì)輕易更換。通過(guò)建立反饋機(jī)制,滿足個(gè)性化需求,光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加。后來(lái)者想要加入到供應(yīng)商行列,往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高。g線光刻膠印刷電路板彩色光刻膠及黑色光刻膠市場(chǎng)也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導(dǎo)的格局,國(guó)內(nèi)企業(yè)有雅克科技、飛凱材料、彤程新材等。
質(zhì)量控制技術(shù):由于用戶對(duì)光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,包括不同批次間的一致性,通常希望對(duì)感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,因此,光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測(cè)試儀器,還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù):光刻膠是一種經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品,由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,通過(guò)不同的排列組合,經(jīng)過(guò)復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。因此,光刻膠原材料的品質(zhì)對(duì)光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對(duì)于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織(SEMI)制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。
環(huán)化橡膠型光刻膠:屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后,用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來(lái)說(shuō),橡膠具有較好的耐腐蝕性,但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬(wàn)以上,因此溶解性甚低,無(wú)論在光刻膠的配制還是顯影過(guò)程中都有很大困難。因此無(wú)法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑,又稱架橋劑,可以起到光化學(xué)固化作用,依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng),交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基,它和聚烴類樹脂相作用,在聚合物分子鏈之間形成橋鍵,變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變,主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。
在雙重曝光工藝中,若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),就可以節(jié)省一次刻蝕,一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會(huì)接受到相對(duì)少量的光刻輻射,在兩次曝光過(guò)程后,非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過(guò)光刻膠的曝光閾值E0,而發(fā)生錯(cuò)誤的光刻反應(yīng)。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,那么就是一次合格的雙重曝光。從這個(gè)例子可以看出,與單次曝光不同,雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡。光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種對(duì)光敏感的混合液體。浙江化學(xué)放大型光刻膠顯示面板材料
光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。嘉定g線光刻膠顯示面板材料
g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,重氮萘醌成分(DQN 體系)作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后,重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?,與水接觸時(shí),進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去。由此,曝光過(guò)的光刻膠會(huì)溶解于顯影液而被去除,而未曝光的光刻膠部分則得以保留。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似,但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,而i-line光刻膠使用于0.35um(350nm至0.5um(500nm)尺寸的集成電路制作。嘉定g線光刻膠顯示面板材料
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