離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似，不需要掩膜板，應(yīng)用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強(qiáng)，因此具有更好的分辨率。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm），因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光。光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。普陀干膜光刻膠光引發(fā)劑
光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等。同時，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力，以及時研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗(yàn)，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn)，合格后在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下包裝、打標(biāo)、入庫。嘉定LCD觸摸屏用光刻膠其他助劑有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料。
1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分，對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。2）感光樹脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構(gòu)成光刻膠的骨架，決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài)，但溶劑本身對光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎無影響。4）助劑：通常是專有化合物，主要用來改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì)。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其技術(shù)壁壘依次降低（半導(dǎo)體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）。從國產(chǎn)化進(jìn)程來看，PCB光刻膠目前國產(chǎn)替代進(jìn)度較快，LCD光刻膠替代進(jìn)度相對較快，而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國產(chǎn)技術(shù)較國外先進(jìn)技術(shù)差距比較大。
目前國內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線、g線光刻膠生產(chǎn)為主，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。國內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔(dān)國家02專項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗(yàn)證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。
在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，就可以節(jié)省一次刻蝕，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射，在兩次曝光過程后，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯誤的光刻反應(yīng)。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0，那么就是一次合格的雙重曝光。從這個例子可以看出，與單次曝光不同，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡。聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對應(yīng)的光刻圖形越小。昆山ArF光刻膠樹脂
光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。普陀干膜光刻膠光引發(fā)劑
靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負(fù)膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢，其曝光時間為負(fù)膠的3~4倍 。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應(yīng)程度。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu)，對193 nm波長的光具有很強(qiáng)的吸收作用，即對193 nm波長的光是不透明的，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體。同時，高的產(chǎn)出要求短的曝光時間，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo)，曝光劑量值越小，光刻膠的靈敏度越高。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻膠材料，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對比度曲線上。普陀干膜光刻膠光引發(fā)劑
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