江浙滬i線光刻膠光引發(fā)劑

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行**初的擴(kuò)散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。江浙滬i線光刻膠光引發(fā)劑

在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中，樹脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯?；瘜W(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑。當(dāng)光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會(huì)產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會(huì)移除樹脂的保護(hù)基團(tuán)從而使得樹脂變得易于溶解。化學(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對(duì)深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時(shí)具有高對(duì)比度，對(duì)高分辨率等優(yōu)點(diǎn)。按照曝光波長(zhǎng)分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長(zhǎng)的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長(zhǎng)越短，加工分辨率越佳。昆山半導(dǎo)體光刻膠樹脂光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。

半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種，尤其在EUV市場(chǎng)高度壟斷。近年來，隨著光刻膠的需求攀升，疊加日本減產(chǎn)，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸、8英寸晶圓廠，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗(yàn)證，有望在未來形成銷售。光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以內(nèi)，無法囤貨，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯。

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要  。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光，正膠較慢，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3~4倍  。靈敏度反映了光刻膠材料對(duì)某種波長(zhǎng)的光的反應(yīng)程度。不同的光刻膠對(duì)于不同的波長(zhǎng)的光是有選擇性的。比如248 nm波長(zhǎng)光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu)，對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光具有很強(qiáng)的吸收作用，即對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光是不透明的，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體。同時(shí)，高的產(chǎn)出要求短的曝光時(shí)間，對(duì)光刻膠的靈敏度要求也越來越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo)，曝光劑量值越小，光刻膠的靈敏度越高。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻膠材料，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對(duì)比度曲線上。經(jīng)過多年技術(shù)積累，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能，國內(nèi)公司市場(chǎng)份額逐步提升，國產(chǎn)替代正在進(jìn)行。

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí)。與此同時(shí)，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變，影響加工精度；當(dāng)浸沒工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí)，將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一。光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。江浙滬i線光刻膠其他助劑

在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。江浙滬i線光刻膠光引發(fā)劑

中國半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模增速超過全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小，光刻工藝對(duì)光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約8%-10%；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約23億元人民幣，年復(fù)合增速為9.8%，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約10%。以前，光刻膠主要依賴進(jìn)口，隨著科技的逐漸發(fā)展，國產(chǎn)化光刻膠趨勢(shì)越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會(huì)越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢(shì)。江浙滬i線光刻膠光引發(fā)劑

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