伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國(guó)持續(xù)增長(zhǎng)的下游需求和政策支持力度。同時(shí)，國(guó)內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，國(guó)內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。當(dāng)前我國(guó)光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國(guó)內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對(duì)光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家學(xué)習(xí)，努力開(kāi)發(fā)出性能優(yōu)異的國(guó)產(chǎn)光刻膠，使我國(guó)在未來(lái)的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開(kāi)中國(guó)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。上海KrF光刻膠其他助劑
光刻膠（Photoresist）又稱(chēng)光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性、負(fù)性?xún)纱箢?lèi)。在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè) 。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求。蘇州濕膜光刻膠曝光光刻膠是一大類(lèi)具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。
質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對(duì)光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對(duì)感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測(cè)試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過(guò)不同的排列組合，經(jīng)過(guò)復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對(duì)光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對(duì)于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。
肉桂酸酯類(lèi)的光刻膠：這類(lèi)光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會(huì)打開(kāi)，產(chǎn)生自由基，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對(duì)二氧化硅、鋁、氧化鉻等材料都有良好的附著力，耐氫氟酸、磷酸腐蝕；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響，無(wú)須氮?dú)獗Ｗo(hù)，分辨率1 μm左右，靈敏度較前者膠高1倍，黏附性好，抗蝕能力強(qiáng)，圖形清晰、線條整齊，耐熱性好，顯影后可在190℃堅(jiān)膜0.5 h不變質(zhì)，感光范圍在250~475 nm，特別對(duì)436 nm十分敏感，屬線型高分子聚合物；第三種膠能溶于酮類(lèi)、烷烴等溶劑，不溶于水、乙醇等。有較好的黏附性和感光性 ，分辨率也很高，感光速度快。光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘高，其研發(fā)和量產(chǎn)對(duì)企業(yè)都具有極高要求。
隨著IC集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級(jí)、亞微米級(jí)、深亞微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢(shì)，對(duì)包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常數(shù)，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個(gè)相關(guān)系數(shù)；λ是曝光波長(zhǎng)，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機(jī)的孔徑數(shù)值。因此，光刻機(jī)需要通過(guò)降低瑞利常數(shù)和曝光波長(zhǎng)，增大孔徑尺寸來(lái)制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長(zhǎng)與光刻機(jī)使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān)。聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對(duì)應(yīng)的光刻圖形越小。普陀LCD觸摸屏用光刻膠印刷電路板
半導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法。上海KrF光刻膠其他助劑
受制于國(guó)內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平，目前我國(guó)前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平。盡管?chē)?guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)保持良好的增長(zhǎng)趨勢(shì)，但以KrF、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額仍然較小，前沿光刻膠市場(chǎng)長(zhǎng)期為國(guó)外巨頭所壟斷。從技術(shù)水平來(lái)看，目前中國(guó)本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平存在明顯差距，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低。具體而言，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%，而ArF/KrF光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率為1%，對(duì)于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段。上海KrF光刻膠其他助劑
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